Intel® Cyclone® 10 GX内核架构和通用I/O手册

ID 683775
日期 6/14/2018
Public
文档目录

8.2. Intel® Cyclone® 10 GXSEU缓解技术

Intel® Cyclone® 10 GX器件提供各种单粒子翻转(SEU)缓解方法,以适用于不同的应用领域。

表 81.   Intel® Cyclone® 10 GX器件的SEU缓解领域和方法
领域 SEU缓解方法
硅芯片设计: CRAM/SRAM/触发器 Intel使用各种设计技术来降低翻转和/或限制可纠正的双比特错误。
错误检测循环冗余检验(EDCRC) / Scrubbing 您可以使能EDCRC功能来检测CRAM SEU事件和CRAM内容的自动纠正。
M20K SRAM模块 Intel FPGA实现了交错的特殊布局技术和Error Correction Code(ECC,纠错码)可将SEU FIT率降低至几乎为零。
敏感度处理(Sensitivity processing) 您可以使用敏感度处理特性来识别CRAM比特中的SEU是否是一个使用过的或未使用的比特。
故障注入(Fault injection) 您可以使用故障注入特性通过改变CRAM状态来触发一个错误来验证对SEU事件的系统响应。
分级标示(Hierarchical tagging) 敏感度处理和故障注入特性的一个补充性能,用于报告SEU和限制对设计逻辑具体部分的注入。
三模冗余(Triple Modular Redundancy (TMR)) 您可以在诸如状态机的关键逻辑上实现TMR技术。