Intel® Arria® 10内核架构和通用I/O手册

ID 683461
日期 5/08/2017
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2.2.3.1. 相同端口Read-During-Write模式

相同端口Read-During-Write模式应用于单端口RAM或者真双端口RAM的同一端口。

表 2.  相同端口Read-During-Write模式下嵌入式存储器模块的输出模式此表列出了选择相同端口 read-during-write模式的嵌入式存储器模块时的可用输出模式。
输出模式 存储器类型 说明
"new data"

(直通)

M20K 新数据出现在同一时钟周期的上升沿,在此时钟周期上写入新数据。
"don't care" M20K, MLAB RAM对read-during-write操作输出"don't care"值。
图 14. 相同端口Read-During-Write: New Data模式此图显示了 “new data”模式下相同端口read- during- write行为的功能波形样本。