Intel® Arria® 10内核架构和通用I/O手册

ID 683461
日期 5/08/2017
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6.7.1.1.1. 硬核存储控制器功能

表 89.   Arria® 10 硬核存储控制器的功能

功能

说明

存储器件支持

支持下面的存储器件:

  • DDR4 SDRAM
  • DDR3 SDRAM
  • 低功耗的LPDDR3
存储控制器支持
  • 定制控制器支持 — 可编程旁路模式支持旁路硬核存储控制器和使用定制控制器。
  • Ping Pong控制器 — 支持两个硬核存储控制器实例分时同套address/command管脚。
接口协议支持
  • 支持Avalon-MMAvalon-ST接口。
  • PHY接口遵循AFI协议。
速率支持 您可以将控制器配置成运行在1/2速率或1/4速率上。
可编程存储器接口宽度

支持宽度为8至144位,以8位递增。

多个rank支持 支持高达4个rank。
突发适配器 在控制器的本地接口上能够接受255最大突发长度之内的任何大小的突发,并映射这些突发到有效的存储器命令中。
效率优化功能
  • Open-page原则 — 默认情况下,数据流量在每个访问中是关闭页(closed-page)。不过,控制器基于输入的流量,智能地保持打开一行,这提高了控制器的效率,特别是随机传输(random traffic)的效率。
  • 优先购买的bank管脚 — 控制器能够提早发出bank管脚命令,当出现读写操作时,就会打开需要的行。
  • 数据重排序 — 控制器重排序读/写命令。
  • 附加延迟 — 该控制器在ACTIVATE命令后可以发出一个READ/WRITE命令到存储器bank (到tRCD之前),这提高了命令效率。
用户请求优先级 您可以分配命令的优先级。该功能使您能够指定较早发出以减少延迟的优先级更高的命令。
Starvation计数器 确保所有的请求都在预定义超时周期后服务,这确保在重新排序数据的效率时,低优先级访问的数据不会落在后面。
address/command总线的时序

要最大化命令带宽,您可以在一个控制器时序周期内加倍存储器命令的数量。

  • Quasi-1T地址1/2速率address/command总线。
  • Quasi-2T地址1/4速率address/command总线。
Bank交错 能够发出读写命令来'随机'选择地址。必须正确地循环bank地址。
片上匹配 控制器控制存储器中的片上匹配信号。该功能改善了信号的完整性,并简化了电路板设计。
刷新(Refresh)功能
  • 用户可控的刷新时序 — 您可以选择性地控制何时发生刷新,这使您能够预防重要的读写操作在刷新的锁定时间内出现冲突。
  • 每个rank刷新 — 支持对每个单独的rank进行刷新。
  • 控制器控制的刷新。
ECC支持
  • 8位ECC代码;单纠错,双错误检测(SECDED)。
  • 用户ECC支持通过用户ECC位作为数据位的一部分。
功耗节省功能
  • 低功耗模式(断电和自动刷新) — 您可以选择性地要求控制器将存储器放在两个低功耗状态中的其中一个。
  • 自动断电 — 控制器处于空闲状态时,将存储器件设置在断电模式。您可以配置空闲等待时间。
  • 存储器时钟门控(clock gating)
模式寄存器集 访问存储器模式寄存器。
DDR4功能
  • Bank组支持 — 支持bank组之间不同的时序参数。
  • 数据总线CRC — 数据总线编码和解码。
  • Command/Address校验 — 命令和地址总线上的奇偶校验。
  • 警报报告 — 响应错误警报标志。
  • 多用途寄存器访问 — 支持在串行读出模式的多用途寄存器访问。
  • 精细粒度刷新 — 支持1x、2x和4x固定的刷新率。
  • 温度控制刷新 — 根据温度范围调整刷新率。
  • 低功耗自动自刷新 — 运行温度触发自动调整来自刷新率。
  • 最大化功耗节省。
LPDDR3功能
  • 深度断电(Deep power down)模式 — 通过消除存储器阵列的功率以实现最大化功耗节省。当器件进入深度断电模式时,数据将无法保留。
  • 部分阵列自刷新。
  • 每个bank刷新。
ZQ校准命令 支持DDR3或DDR4的长或短ZQ校准命令。