Intel® Arria® 10器件数据表

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ID 683771
日期 5/08/2017
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Arria® 10器件数据表
Arria® 10器件数据表 x
电气特性 开关特性 配置规范 I/O时序 可编程的IOE延时 术语 文档修订历史
电气特性 x
操作条件
操作条件 x
绝对最大额定值 所允许的最大过冲和下冲电压 建议的操作条件 DC特征 I/O标准规范
建议的操作条件 x
建议的操作条件 收发器电源操作条件 HPS电源操作条件
DC特征 x
供电电流和功耗 I/O管脚漏电流 总线保持规格 OCT校准精度规格 无校准阻值容差的OCT规范 管脚电容 内部弱上拉和弱上拉电阻
I/O标准规范 x
单端I/O标准规范 单端SSTL、HSTL和HSUL I/O参考电压规范 单端SSTL、HSTL和HSUL I/O标准信号规范 差分SSTL I/O标准规范 差分HSTL和HSUL I/O标准规范 差分I/O标准规范
开关特性 x
收发器性能规范 内核性能规范 外设性能规范 HPS规范
收发器性能规范 x
Arria® 10 GX/SX器件的收发器性能 Arria® 10 GX/SX器件的高速串行收发器光纤接口性能 Arria® 10 GT器件的收发器性能 Arria® 10 GT器件的高速串行收发器光纤接口性能 Arria® 10 GX、SX和GT器件的收发器规格
内核性能规范 x
时钟树规范 PLL规范 DSP模块规范 存储器模块规范 温度传感二极管规范 内部电压传感器规范
PLL规范 x
小数分频PLL规范 I/O PLL规范
温度传感二极管规范 x
内部温度传感二极管规范 外部温度传感二极管规范
外设性能规范 x
高速I/O规范 DPA锁定时间规范 LVDS Soft-CDR/DPA正弦抖动容限规范 硬核存储控制器支持的存储器标准 软核存储控制器支持的存储器标准 HPS硬核存储控制器支持的存储器标准 DLL频率范围规范 DQS逻辑模块规范 存储器输出时钟抖动规范 OCT校准模块规范
HPS规范 x
HPS复位输入要求 HPS时钟性能 HPS PLL规范 Quad SPI闪存时序特征 SPI时序特征 SD/MMC时序特征 USB ULPI时序特征 以太网介质访问控制器（EMAC）时序特征 I2C时序特征 NAND时序特征 走线时序特征 GPIO接口
HPS PLL规范 x
HPS PLL输入要求 HPS PLL性能 HPS PLL输出规范
配置规范 x
POR规范 JTAG配置时序 FPP配置时序 AS配置时序 AS配置方案中的DCLK频率规范 PS配置时序 初始化 配置文件 最短配置时间评估 远程系统更新 用户看门狗内部电路时序规范
FPP配置时序 x
FPP配置的DCLK与DATA[]比率(r) 当DCLK-to-DATA[] = 1时的FPP配置时序 当DCLK-to-DATA[] >1时的FPP配置时序
Arria® 10器件数据表

建议的操作条件

表 3.   Arria® 10器件的建议操作条件此表列出了 Arria® 10器件预期的稳态电压值。电源坡道必须是单调的，不能有平缓处。
符号 说明 条件 最小值 3 典型值 最大值 3 单位
VCC 核心电压电源 标准和低功耗 4 0.87 0.9 0.93 V
0.92 0.95 0.98 V
SmartVID 5 0.82 — 0.93 V
VCCP 外围电路和收发器光纤接口电源 标准和低功耗 4 0.87 0.9 0.93 V
0.92 0.95 0.98 V
SmartVID 5 0.82 — 0.93 V
VCCPGM 配置管脚电源 1.8 V 1.71 1.8 1.89 V
1.5 V 1.425 1.5 1.575 V
1.2 V 1.14 1.2 1.26 V
VCCERAM 嵌入式存储器电源 0.9 V 4 0.87 0.9 0.93 V
0.95 V 4 0.92 0.95 0.98 V
VCCBAT 6 电池后备电源 
（用于设计安全易失性密钥寄存器） — 1.14 — 1.89 V
VCCPT 可编程功耗技术和I/O预驱动器的电源 1.8 V 1.71 1.8 1.89 V
VCCIO I/O缓冲器电源 3.0 V (仅用于3 V I/O) 2.85 3.0 3.15 V
2.5 V (仅用于3 V I/O) 2.375 2.5 2.625 V
1.8 V 1.71 1.8 1.89 V
1.5 V 1.425 1.5 1.575 V
1.35 V 7 1.35 7 V
1.25 V 1.19 1.25 1.31 V
1.2 V 7 1.2 7 V
VCCA_PLL PLL模拟电压调节器电源 — 1.71 1.8 1.89 V
VREFP_ADC 电压传感器的精确电压参考 — 1.2475 1.25 1.2525 V
VI 8 DC输入电压 3 V I/O –0.3 — 3.3 V
LVDS I/O –0.3 — 2.19 V
VO 输出电压 — 0 — VCCIO V
TJ 操作结温 扩展 0 — 100 °C
工业 -40 — 100 °C
tRAMP 9 10 电源斜坡时间 标准POR 200 µs — 100 ms —
快速POR 200 µs — 4 ms —
相关信息
3 此值描述了DC（静态）电源容限的预算，不包括动态容限要求。关于动态容限要求的额外预算，请参考PDN工具。
4 您可以在0.9 V或0.95 V典型值上运行–1和–2速度等级器件。只能在0.9 V典型值上运行–3速度等级器件。此数据表中显示的内核性能适用于0.9 V上的操作。0.95 V上的操作会产生更高的内核性能和更高的功耗。关于不同的典型值，请参考本数据表中的内核性能。关于不同典型值的功耗信息，请参考 Quartus® Prime软件，Power Analyzer报告和Early Power Estimator (EPE)。
5 只有在–2V和–3V速度等级的器件中支持SmartVID。
6 如果不使用 Arria® 10器件中的设计安全特性，那么将VCCBAT连接到一个1.5-V到1.8-V电源。 Arria® 10上电复位(POR)电路监控VCCBAT。如果VCCBAT没有上电，那么 Arria® 10器件不会退出POR。
7 关于最小和最大电压值，请参考I/O标准规范部分。
8 LVDS I/O值应用于所有专用和双功能配置I/O。
9 这也应用于HPS电源。 关于HPS电源，请参考tRAMP规范来了解当HPS_PORSEL = 0时的标准POR，参考tRAMP规范来了解当HPS_PORSEL = 1时的快速POR。
10 tramp是每个单独电源的斜坡时间(ramp time)，而不是所有组合电源的斜坡时间。
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