MAX 10嵌入式存储器用户指南

下载 PDF
ID 683431
日期 11/02/2015
Public
文档目录
文档目录 x
1. MAX® 10嵌入式存储器概述 2. MAX® 10嵌入式存储器体系结构和功能 3. MAX® 10嵌入式存储器设计考量 4. RAM：1-Port IP内核参考 5. RAM: 2-PORT IP内核参考 6. ROM：1-PORT IP内核参考 7. ROM: 2-PORT IP内核参考 8. 移位寄存器（基于RAM）IP内核参考 9. FIFO IP内核参考 10. ALTMEMMULT IP内核参考 11. MAX 10嵌入式存储器用户指南的附加信息
2. MAX® 10嵌入式存储器体系结构和功能 x
2.1. MAX® 10嵌入式存储器一般特性 2.2. MAX® 10嵌入式存储器操作模式 2.3. MAX® 10嵌入式存储器时钟模式 2.4. MAX® 10嵌入式存储器配置
2.1. MAX® 10嵌入式存储器一般特性 x
2.1.1. 控制信号 2.1.2. 奇偶校验位 2.1.3. 读使能 2.1.4. Read-During-Write 2.1.5. 字节使能 2.1.6. Packed模式支持 2.1.7. 地址时钟使能支持 2.1.8. 异步清零
2.1.5. 字节使能 x
2.1.5.1. 字节使能控制 2.1.5.2. 数据字节输出 2.1.5.3. RAM模块操作
2.1.7. 地址时钟使能支持 x
2.1.7.1. 读周期中的地址时钟使能波形 2.1.7.2. 写周期波形中的地址时钟使能
2.1.8. 异步清零 x
2.1.8.1. 复位M9K模块中的寄存器
2.2. MAX® 10嵌入式存储器操作模式 x
2.2.1. 支持的存储器操作模式
2.3. MAX® 10嵌入式存储器时钟模式 x
2.3.1. 时钟模式中的异步清零 2.3.2. 同时的读和写中的输出读数据 2.3.3. 时钟模式的独立时钟使能
2.4. MAX® 10嵌入式存储器配置 x
2.4.1. 端口宽度配置 2.4.2. 双端口模式的存储器配置 2.4.3. 最大模块深度配置
3. MAX® 10嵌入式存储器设计考量 x
3.1. 实现外部冲突解决 3.2. 定制Read-During-Write行为 3.3. 考虑上电状态和存储器初始化 3.4. 控制时钟以降低功耗 3.5. 选择Read-During-Write输出
3.2. 定制Read-During-Write行为 x
3.2.1. 相同端口Read-During-Write模式 3.2.2. 混合端口Read-During-Write模式
3.2.2. 混合端口Read-During-Write模式 x
3.2.2.1. 使用双时钟的混合端口Read-During-Write操作
4. RAM：1-Port IP内核参考 x
4.1. RAM： MAX® 10器件的1-Port IP 内核信号 4.2. MAX 10器件的RAM: 1-Port IP内核参数
5. RAM: 2-PORT IP内核参考 x
5.1. MAX® 10器件的RAM: 2-Port IP内核信号(简单双端口RAM) 5.2. MAX® 10器件的RAM: 2-Port IP内核信号(真双端口RAM) 5.3. MAX® 10器件的RAM: 2-Port IP内核参数
6. ROM：1-PORT IP内核参考 x
6.1. MAX® 10器件的ROM：1-PORT IP内核信号 6.2. MAX® 10器件的ROM：1-PORT IP内核参数
7. ROM: 2-PORT IP内核参考 x
7.1. ROM: MAX® 10器件的2-PORT IP内核信号 7.2. MAX® 10器件的ROM:2-Port IP内核参数
8. 移位寄存器（基于RAM）IP内核参考 x
8.1. MAX® 10器件的移位寄存器(基于RAM)IP内核信号 8.2. MAX® 10器件的移位寄存器(基于RAM) IP内核参数
9. FIFO IP内核参考 x
9.1. MAX® 10器件的FIFO IP内核信号 9.2. MAX® 10器件的FIFO IP内核参数
10. ALTMEMMULT IP内核参考 x
10.1. MAX® 10器件的ALTMEMMULT IP内核信号 10.2. MAX® 10器件的ALTMEMMULT IP内核参数
11. MAX 10嵌入式存储器用户指南的附加信息 x
A.1. MAX 10嵌入式存储器用户指南的文档修订历史
1. MAX® 10嵌入式存储器概述
2. MAX® 10嵌入式存储器体系结构和功能
3. MAX® 10嵌入式存储器设计考量
4. RAM：1-Port IP内核参考
5. RAM: 2-PORT IP内核参考
6. ROM：1-PORT IP内核参考
7. ROM: 2-PORT IP内核参考
8. 移位寄存器（基于RAM）IP内核参考
9. FIFO IP内核参考
10. ALTMEMMULT IP内核参考
11. MAX 10嵌入式存储器用户指南的附加信息

3.2.1. 相同端口Read-During-Write模式

相同端口Read-During-Write模式适用于单端口RAM或者真双端口RAM的同一端口。

表 8.  相同端口Read-During-Write模式下嵌入式存储器模块的输出模式此表列出了选择相同端口 read-during-write模式的嵌入式存储器模块时的可用输出模式。
输出模式 说明
"新数据"

(直通)

 新数据在相同时钟周期的上升沿被写入并使用。

当与byteenable信号一起使用New Data模式时，您能够对RAM的输出进行控制。

当byte enable信号为高电平时，存储器中写入的数据将传递至输出端(直通)。

当byteenable信号为低电平，屏蔽数据不会写入存储器，而存储器中的旧数据会出现在输出端。因此，该输出可以是byteena确定的新和旧数据的组合。
"don't care" RAM输出显示了写操作开始前该地址上的旧数据。
图 8. 相同端口Read-During-Write: New Data模式
图 9. 相同端口Read-During-Write: Old Data模式
二级标题