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建议的操作条件
符号 | 说明 | 条件 | 最小值 8 | 典型值 | 最大值 8 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
VCC | 核心电压电源 | –E1V, –I1V, –E2V, –I2V, –E3V, –I3V 9 | (Typical) – 30 mV | 0.8 – 0.94 | (Typical) + 30 mV | V |
–E2L, –I2L, –E3X, –I3X | 0.82 | 0.85 | 0.88 | V | ||
VCCP | 外设电路和收发器架构接口电源 | –E1V, –I1V, –E2V, –I2V, –E3V, –I3V 9 | (Typical) – 30 mV | 0.8 – 0.94 | (Typical) + 30 mV | V |
–E2L, –I2L, –E3X, –I3X | 0.82 | 0.85 | 0.88 | V | ||
VCCIO_SDM | 配置管脚电源 | 1.8 V | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V |
VCCPLLDIG_SDM | Secure Device Manager (SDM)模块PLL数字电源 | — | 0.87 | 0.9 | 0.93 | V |
VCCPLL_SDM | SDM模块PLL模拟电源 | — | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V |
VCCFUSEWR_SDM | 保险丝模块写电源 | — | 2.35 | 2.4 | 2.45 | V |
VCCADC | ADC电压传感器电源 | — | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V |
VCCERAM | 嵌入式存储器和数字收发器电源 | 0.9 V | 0.87 | 0.9 | 0.93 | V |
VCCBAT 10 | 电池后备电源 (设计安全易失性密钥寄存器) | — | 1.2 | — | 1.8 | V |
VCCPT | 可编程调节器和I/O预驱动器的电源 | 1.8 V | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V |
VCCIO | LVDS I/O的I/O缓冲器电源 | 1.8 V | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V |
1.5 V | 1.425 | 1.5 | 1.575 | V | ||
1.35 V | 1.283 | 1.35 | 1.45 | V | ||
1.25 V | 1.19 | 1.25 | 1.31 | V | ||
1.2 V | 1.14 | 1.2 | 1.26 | V | ||
VCCIO3V | 3 V I/O的I/O缓冲器电源 | 3.0 V | 2.85 | 3 | 3.15 | V |
2.5 V | 2.375 | 2.5 | 2.625 | V | ||
1.8 V | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V | ||
1.5 V | 1.425 | 1.5 | 1.575 | V | ||
1.2 V | 1.14 | 1.2 | 1.26 | V | ||
VCCIO_UIB | 内核与嵌入式HBM2存储器之间的通用接口总线的电源 | 1.2 V | 1.17 | 1.2 | 1.23 | V |
VCCM_WORD | 嵌入式HBM2存储器的电源 | — | 2.4 | 2.5 | 2.6 | V |
VCCA_PLL | PLL模拟电压稳压器电源 | — | 1.71 | 1.8 | 1.89 | V |
VI 11 12 | DC输入电压 | 3 V I/O | –0.3 | — | VCCIO + 0.65 | V |
LVDS I/O | –0.3 | — | VCCIO + 0.3 | V | ||
VO | 输出电压 | — | 0 | — | VCCIO | V |
TJ | Intel® Stratix® 10 MX器件的操作结温 | Extended 13 | 0 | — | 100 14 | °C |
所有其他 Intel® Stratix® 10器件的操作结温 | Extended | 0 | — | 100 | °C | |
Industrial | -20 (–40) 15 | — | 100 | °C | ||
tRAMP 16 17 18 19 | 电源斜坡时间 | Standard POR | 200 μs | — | 100 ms | — |
相关信息
8 此值描述了正常器件操作期间在PCB电源和接地球之间测量的所需电压。电压纹波包括稳压器直流纹波和动态噪声。有关PCB配电网络设计的信息,请参考配电网络(PDN)工具。
9 专用于 Intel® Stratix® 10 SmartVID器件的Power Management Bus (PMBus*)稳压器的使用对于VCC和VCCP强制性的。 PMBus*稳压器和 Intel® Stratix® 10 SmartVID器件是通过PMBus*连接的。
11 LVDS I/O值适用于所有专用的和双功能配置的I/O。
12 该值适用于输入和三态输出配置。管脚电压不应该从外部上拉高于最大值。
13 Intel® Stratix® 10 MX器件通常仅在扩展(Extended)温度范围内提供。如果需要工业(Industrial)温度范围,那么您可以在0°C以下配置 Intel® Stratix® 10 MX器件,但HBM2接口将保持在复位状态,直到TJ达到0°C时才能进行校准。关于 Intel® Stratix® 10 MX 工业(Industrial)温度范围器件的可用性,请与您的Intel销售代表取得联系。
14 所建议的HBM2的最大操作温度为95°C。
15 E-tile支持的操作温度范围从-40°C到100°C。然而,由于在低温启动时的校准程序,E-tile收发器可能在-40°C到-20°C之间出现更高的错误率。因此,符合E-tile协议的收发器链路的建议操作温度范围是-20°C到100°C。此外,为获得最佳结果,应在25°C或更高温度下进行大量调试。
16 这也适用于HPS电源。关于HPS电源,请参考tRAMP规范,当HPS_PORSEL = 0时标准POR,参考tRAMP规范,当HPS_PORSEL = 1时的fast POR。
17 tRAMP是每个单独电源的斜坡时间,不是所有的组合电源的斜坡时间。
18 为支持AS快速模式, Intel® Stratix® 10器件的所有电源都必须在10 ms内完全斜升(fully ramped-up)至建议的操作条件。
19 为支持AS正常模式, Intel® Stratix® 10器件的VCCIO_SDM必须 在10 ms内完全斜升(fully ramped-up)至建议的操作条件。