仅对英特尔可见 — GUID： jba1434040198849
Ixiasoft
1.6.1. 初始叠层输入
1.6.2. 使用正确数目的电源/接地过孔对
1.6.3. 使用正确数目的电源/接地过孔对及分层数
1.6.4. 正确的电源/接地过孔对数目和分层数目
1.6.5. 移动电源到最佳层
1.6.6. 将电源平面和地平面叠层尽可能靠近
1.6.7. 将去耦电容器移动到PCB顶层表面
1.6.8. 使用X2Y去耦电容器
1.6.9. 使用超低ESR大容量电容器
1.6.10. 交换在9层的VCC与在4层的VCC，VCCT_GXB，和VCCR_GXB
1.6.11. 评估可能需要的总电容量
1.6.12. 使用内核时钟频率及电流上升周期参数
1.6.13. 综述设计研究中电容器的节省
1.6.14. 综述摘要
1.6.15. 参考文献
仅对英特尔可见 — GUID： jba1434040198849
Ixiasoft
1.4. 计算Ztarget
PDN应该具有足够低的目标阻抗（Ztarget）以满足电压纹波要求数低于最多动态电流要求。
图 2. Ztarget公式
此公式表示为：
- Ztarget随着电压轨的减小而减小
- Ztarget随着允许的电压纹波减小而减小
- Ztarget随着动态电流的增大而减小
需要付出非常大的努力去充分设计PDN才可实现极低的目标阻抗。
为FPGA内核(VCC)，收发器VCCR_GX，VCCT_GXB电源进行PCB去耦是具有挑战性的。低电压，高电流，VCC电源会导致低目标阻抗。收发器VCCR_GXB和VCCT_GXB电源的电流低于VCC电源，但VCC电源具有低纹波需求所以其目标表阻抗低。
假设要求如下，可针对下列VCC, VCCR_GXB, and VCCT_GXB情况计算Ztarget。在PDN工具的介绍选项卡中找到建议的电流瞬变百分比（current transient %），和允许的纹波百分比（ripple %）。
| 电源名称 |
标称电压（Nominal Voltage） (V) |
可允许的纹波（%） |
Imax（A） |
电流瞬变（%） |
目标阻抗（mR） |
|---|---|---|---|---|---|
| VCC |
0.9 |
5 |
30 |
50 |
3 |
| VCCR_GXB |
1.0 |
3 |
6 |
30 |
16.67 |
| VCCT_GXB |
1.0 |
2 |
2 |
50 |
20 |
当共享电源轨具有不同电流要求（例如VCCR_GXB和VCCT_GXB）时，可能出现更多挑战。VCCR_GXB电源的较高 IMax，低纹波，和VCCT_GXB电源高电流瞬变的最坏情况组合能创造非常低的目标阻抗。使用PDN工具中的x or x/related选项，通过估算同步与非同步电流切换，来帮助减少去耦负担。
本应用笔记中，认为VCCR_GXB和VCCT_GXB电源各自独立，因为这样会导致去耦方案中仅使用少量PCB去耦电容器。
本应用笔记着重于具有低目标阻抗，且需要花费较多精力去耦的FPGA VCC，VCCT_GXB，和VCCR_GXB电源。Altera建议您分析所有设计电源的性能。