| 技术 |
55 nm TSMC Embedded Flash (EmbFlash)工艺技术 |
| 封装 |
- 低成本，小封装尺寸
- 多器件密度，具有可兼容的封装足印，用于不同器件密度之间的无缝移植，
- RoHS6兼容
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| 核心体系结构 |
- 4输入查找表（LUT）和单一寄存器逻辑单元（LE）
- 逻辑阵列模块（LAB）中排列的LE
- 嵌入式RAM和用户闪存
- 时钟和PLL
- 嵌入式乘法器模块
- 通用I/O
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| 内部储存器模块 |
- M9K—9千比特(Kb)存储器模块
- 用于创建RAM，双端口和FIFO功能的可级联的模块
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| 用户闪存 |
- 用户可访问的非易失性存储
- 高速操作频率
- 高存储器容量
- 高数据保存能力
- 多种接口选项
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| 嵌入式硬核IP |
嵌入式存储器模块 |
- 支持一个18 x 18或两个9 x 9乘法器模式
- 可级联的模块，实现过滤器，运算功能，以及图像处理流水线的创建
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| ADC |
- 12比特逐次逼近寄存器（SAR）类型
- 高达17个模拟输入
- 累积速度高达每秒1百万次采样（MSPS）
- 集成的温度感应功能
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| 闪存IP |
支持双启动自配置技术 |
| 时钟网络 |
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| 内部振荡器 |
内置的内部环形振荡器 |
| PLL |
- 基于模拟
- 低抖动
- 高精度时钟合成
- 时钟延迟补偿
- 零延迟缓存
- 多输出抽头
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| 通用I/O（GPIO） |
- 支持多种I/O标准
- 片上匹配(OCT)
- 高达每秒830兆比特 (Mbps)的 LVDS接收器， 800 Mbps的LVDS发送器
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| 外部存储器接口 |
支持高达600 Mbps的外部存储器接口：
- DDR3，DDR3L，DDR2，LPDDR2（仅适用于10M16，10M25，10M40和 10M50）。
- SRAM（仅硬件支持。使用您自己设计与SRAM器件连接。）
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| 配置 |
- 内部配置
- JTAG
- 高级加密标准（AES）128位加密和压缩选项
- 闪存中的数据可以保存10年
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| 灵活的电源方案 |
- 单电源和双电源器件选项
- 动态控制的输入缓存断电
- 睡眠模式下降低动态功耗
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