矽晶科技的創新
Intel 不斷研發新的電晶體設計,旨在為您提供電源使用效率更優異且運算動力更強悍的處理器。
關於矽晶科技
45 奈米 (nm)
我們的最新一代處理器寬度僅有十億分之 45 公尺。即使您將 2000 個這顆處理器的電晶體閘極排列在一起,其總寬度還不到一根頭髮的直徑呢。藉由使用氧化鉿 (Hafnium Oxide) 取代二氧化矽 (Silicon Dioxide - 這從 1960 年代就用到現在),新一代電晶體有效降低了電流的漏電率,因此可以減少熱能並加快切換速度。
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處理器電晶體密度的倍增使效能大幅躍進,還有增加高達 50% 的 L2 快取記憶體容量,以及更優異的電源使用效率。超強、超酷—給您面面俱到的優勢。
Gordon Moore 先生稱之為「40 年來電晶體技術的最大突破」。"
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32 奈米 (nm)
Intel 再次領先創新。Intel 的 32 奈米 (nm) 邏輯製程技術已規劃將於 2009 年開始量產。嶄新的電晶體實在是精緻袖珍到令人讚嘆不已,單單在本行字後面的句點上,就可以容納四百萬顆呢。摩爾定律 (Moore’s Law) 果然又再次將處理器可不斷容納愈來愈多電晶體的這「一點」發揮到淋漓盡致。
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