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Características de la memoria del sistema La placa tiene ocho zócalos DIMM y es compatible con las características siguientes de la memoria:
- SDRAM DDR3 DIMM (1,35 V la especificación JEDEC)
- Cuatro canales de memoria independientes con soporte para modo entrelazado
- Sin buffer, DIMMs de una cara o dos caras, con la restricción siguiente: no se admiten los DIMMs de dos caras con organización x16.
- 64 GB de memoria máxima total de sistema (con 4 GB de memoria tecnología).
- Memoria total del sistema mínima: 512 MB 1 GB usando módulo x16
- DIMMs ECC y no ECC
- Detección de presencia serie
- DDR3 2400 MHz, 2133 MHz, 1866 MHz, 1600 MHz, 1333 MHz y 1066 MHz DIMM SDRAM
- Perfil de rendimiento soporte de memoria XMP para velocidades superiores 1600 MHz
- Compatibilidad total con overclocking de la memoria
- Ranuras DIMM se numeran de orden de instalación
Para total cumplimiento con todas las especificaciones aplicables de la memoria DDR SDRAM, la placa debe utilizar DIMM que sean compatibles con la estructura de datos de detección de presencia serie (SPD). Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un desempeño óptimo.
1,5 V es la configuración recomendada predeterminada para3 de voltaje de la memoria DDR. La otra configuración de voltaje de la memoria en el programa de configuración del BIOS se proporcionan sólo para fines de ajuste del rendimiento.
La modificación de la memoria voltaje puede:
- Reducir la estabilidad del sistema y la vida útil del sistema, la memoria y el procesador.
- Hacer que el procesador y otros componentes del sistema para fallar.
- Reducciones de causar en cuanto al desempeño del sistema.
- Calor Causa o de otros daños.
- Afectar a la integridad de los datos del sistema.
Intel no ha probado y no ofrece una garantía para el funcionamiento del procesador más allá del alcance de sus especificaciones. Para obtener información sobre la garantía del procesador, consulte el procesador Información de la garantía .
Intel no asume responsabilidad por memoria instalada en la desktop board, si se utilizan con frecuencias de reloj y/o voltajes alterado. Consulte con el fabricante de la memoria para obtener más información y términos de la garantía.
Configuraciones de memoria compatibles
| Capacidad de DIMM |
Configuración |
Densidad de SDRAM |
Organización de SDRAM frontal / lado posterior |
Número de dispositivos SDRAM |
| 512 MB |
De una cara |
1 Gbit |
64 M x16/vacío |
4 |
| 1 GB |
De una cara |
1 Gbit |
128 M x8/vacío |
8 |
| 1 GB |
De una cara |
2 Gbit |
128 M x16/vacío |
4 |
| 2 GB |
Dos caras con doble |
1 Gbit |
128 M x8/128 M x8 |
16 |
| 2 GB |
De una cara |
2 Gbit |
128 M x16/vacío |
8 |
| 4 GB |
Dos caras con doble |
2 Gbit |
256 M x8/256 M x8 |
16 |
| 4 GB |
De una cara |
4 Gbit |
512 M x8/vacío |
8 |
| 8 GB |
Dos caras con doble |
4 Gbit |
512 M x8/512 M x8 |
16 | |
Memoria probada
La tabla a continuación presenta una lista de las partes que aprobaron TOTALMENTE las pruebas durante el proceso de desarrollo. Dichos números de pieza podrían no estar disponibles durante el ciclo de vida útil del producto.
| Proveedor del módulo |
Número de pieza del módulo |
Tamaño de módulo |
Velocidad del módulo (MHz) |
| ADATA * |
AX3U9-2G2G1600GB |
2 GB |
1600 |
| ADATA |
M3OHYMH3J4130G2C5Z |
2 GB |
1333 |
| ADATA |
AX3U1600GB2G9 |
2 GB |
1600 |
| APACER * |
240 P |
1 GB |
1333 |
| Crucial * |
CT1339-161024648un FDD |
8 GB |
1333 |
| Elixir * |
M2P2G64CB8HC9N-DG |
2 GB |
1600 |
| ELPIDA * |
EBJ10UE8MODELO BBF0 |
1 GB |
1066 |
| ELPIDA |
EBJ10UE8BDF0 |
1 GB |
1333 |
| ELPIDA |
EBJ21UE8MODELO BBF0 |
2 GB |
1066 |
| ELPIDA |
EBJ21UE8BDF0-DJ-F |
2 GB |
1333 |
| ELPIDA |
EBJ41UF8MPC0-DJ-F |
4 GB |
1333 |
| Hynix * |
HMT112U6BFR8C-G7 |
1 GB |
1066 |
| Hynix |
HMT112U6TGF8C-H9 |
1 GB |
1333 |
| Hynix |
HMT BFR8C12506-G7 |
2 GB |
1066 |
| Hynix |
HMT 125 U6AFP8C-H9N0 |
2 GB |
1333 |
| Hynix |
HMT 125 BFR8U6C-G7 |
2 GB |
1066 |
| Hynix |
HMT 125 U6BFR8C-H9 |
2 GB |
1333 |
| Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 |
4 GB |
1333 |
| Hynix |
HMT351U6BFR8C-PB |
4 GB |
1600 |
| Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 |
4 GB |
1333 |
| KINGSTON * |
KHX1866C9D3T1K3 |
1 GB |
1866 |
| KINGSTON |
KHX1866C9D3T1K3/3GX |
1 GB |
1866 |
| KINGSTON |
KHX1600C9D3 |
2 GB |
1600 |
| KINGSTON |
KHX2133C9AD3T1K2 |
2 GB |
2133 |
| KINGSTON |
KHX2133C9AD3T1K2 |
2 GB |
2133 |
| KINGSTON |
HP497158-D ,88-ELCG |
4 GB |
1333 |
| Micron * |
8JF12864AZ-1G4F de MT |
1 GB |
1333 |
| Micron |
MT8JTF12864AY |
1 GB |
1066 |
| Micron |
MT8JTF12864AZ-1G4F1 |
1 GB |
1333 |
| Micron |
MT1625664AY-1G1D1 de JTF |
2 GB |
1066 |
| Micron |
MT1625664AZ-1G1F1 de JTF |
2 GB |
1333 |
| Micron |
MT1625664AY-1G1D1 de JTF |
2 GB |
1066 |
| Micron |
MT1625664AZ-1G4F1 de JF |
2 GB |
1333 |
| Micron |
MT1651264AZ-1G6M1 de JTF |
4 GB |
1600 |
| Micron |
16JTF1G64AZ-1G4D1AA de MT |
8 GB |
1333 |
| Micron |
MT161G64AZ-1G4D1 de JTF |
8 GB |
1333 |
| Nanya * |
NT4GC64B8HB0NF-CG |
4 GB |
1333 |
| QIMONDA * |
IMSH1GU13A1F1C |
1 GB |
1066 |
| QIMONDA |
QIM-IMSH2GU13A1F1C-13G |
2 GB |
1333 |
| QIMONDA |
IMSH51U03A1F1C |
512 MB |
1066 |
| SAMSUNG * |
M378B2873EH1 |
1 GB |
1066 |
| SAMSUNG |
M378B22873DZ1-CH9 |
1 GB |
1333 |
| SAMSUNG |
M5673DZ378B1 |
2 GB |
1066 |
| SAMSUNG |
M378B5673FH0-CH9 |
2 GB |
1333 |
| SAMSUNG |
M378B5673FH0-CH9 |
2 GB |
1333 |
| SAMSUNG |
M378B5273DH0-CH9 |
4 GB |
1333 |
| SAMSUNG |
M378B2873EH1-CF8 |
1 GB |
1066 |
| SAMSUNG |
M5673DZ378B1 |
2 GB |
1066 |
| SAMSUNG |
M378B1G73BH0-CK0 |
8 GB |
1333 | |
Temas relacionados: DDR, DDR3 memoria DDR2 y Single, dual, triple, quad, flex y modos de memoria Resolución sistema Problemas de memoria
Esto se aplica a:
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