|
Características de la memoria del sistema La placa tiene dos zócalos DIMM y es compatible con las características siguientes de la memoria:
- Dos canales de memoria independientes con soporte para modo entrelazado
- Es compatible con 1.2 V 1.8 V voltaje del módulo DIMM de memoria
- Compatibilidad con DIMM que no son ECC, sin búfer, de una o dos caras, con organización x8
- Memoria total máxima del sistema 16 GB (con tecnología de memoria de 4 GB)
- Memoria total del sistema mínima: 1 GB usando 1 Gb módulo x8
- Detección de presencia serie
- DIMMs SDRAM de DDR3 1333 MHz y DDR3 1066 MHz
Para que sea completamente compatible con todas las especificaciones de memoria DDR SDRAM aplicable, la placa debe llenarse con módulos DIMM que sean compatibles con la Detección de presencia serie (SPD) estructura de datos. Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un desempeño óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero el desempeño y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia determinada.
1.5 V es el recomendado y configuración predeterminada para3 de voltaje de la memoria DDR. La otra configuración de voltaje de la memoria en el programa de configuración del BIOS se proporcionan sólo para fines de ajuste del rendimiento. La modificación el voltaje de la memoria puede (i) reducir la estabilidad del sistema y la vida útil del sistema, la memoria y del procesador; (ii) hacer que el procesador y otros componentes del sistema fallen; (iii) provocar reducciones en el rendimiento del sistema; (iv) producir calor adicional u otros daños; y (v) afectar la integridad de los datos del sistema.
Intel no ha probado y no garantiza el funcionamiento del procesador más allá del alcance de sus especificaciones. Para obtener información sobre la garantía del procesador, consulte procesador Información de la garantía .
Configuraciones de memoria compatibles
| Capacidad de DIMM |
Configuración |
Densidad de SDRAM |
Organización de SDRAM, lado frontal/lado posterior |
Número de dispositivos SDRAM |
| 1 GB |
De una cara |
1 Gbit |
1 Gb x 8 / vacía |
8 |
| 2 GB |
Dos caras con doble |
1 Gbit |
1 Gb x 8 / 1 GB x 8 |
16 |
| 2 GB |
De una cara |
2 Gbit |
2 Gb x 8 / vacía |
8 |
| 4 GB |
Dos caras con doble |
2 Gbit |
2 Gb x 8 / 2 GB x 8 |
16 | |
Memoria probada Pruebas de memoria de terceros se efectúan a solicitud de los proveedores de memoria y se llevan en una memoria independiente (CMTL * - Computadora Memory Test Labs) que no es una parte de Intel.
La tabla a continuación presenta una lista de las partes que aprobaron TOTALMENTE las pruebas durante el proceso de desarrollo. Es posible que estos números de parte no estén disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.
| Fabricante de módulo |
Número de pieza de módulo |
Tamaño de módulo |
Velocidad de módulo |
Con ECC o sin ECC |
Fabricante de componentes |
Número de pieza del componente |
| Hynix * |
HMT112U6BFR8C-G7 |
1 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT112U6BFR8C-G7 |
| Hynix |
HMT112U6AFP8C-H9 |
1 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT112U6AFP8C-H9 |
| Hynix |
HMT 125 U7AFP8C-G7T0 |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT 125 U6AFP8C-G7T0 |
| Hynix |
HMT 125 U6BFR8C-H9 |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT 125 U6BFR8C-H9 |
| Hynix |
HMT351U6AFR8C-G7 |
4 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT351U6AFR8C-G7 |
| Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 |
4 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 |
| Micron * |
MT8JTF12864AY-1G1D1 |
1 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Micras |
MT8JTF12864AY-1G1D1 |
| Micras |
MT8JTF12864AY-1G4D1 |
1 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Micras |
MT8JTF12864AY-1G4D1 |
| Micras |
MT1625664AY-1G1D1 de JTF |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Micras |
MT1625664AY-1G1D1 de JTF |
| Micras |
MT1625664AZ-1G4F1 de JTF |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Micras |
MT1625664AZ-1G4F1 de JTF |
| Micras |
MT1651264AZ-1G1D1 de JTF |
4 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Micras |
MT1651264AZ-1G1D1 de JTF |
| Micras |
MT16JTF51264AZ-1G4D |
4 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Micras |
MT16JTF51264AZ-1G4D |
| Samsung * |
M378B2873DZ1-CF8 |
1 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Samsung |
M378B2873DZ1-CF8 |
| Samsung |
M378B2873EH1-CH9 |
1 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Samsung |
M378B2873EH1-CH9 |
| Samsung |
M378B5673DZ1-CF8 |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Samsung |
M378B5673DZ1-CF8 |
| Samsung |
M378B5673DZ1-CH9 |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Samsung |
M378B5673DZ1-CH9 |
| Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
4 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
| Samsung |
M378B5273BH1-CF9 |
4 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Samsung |
M378B5273BH1-CF9 | |
Esto se aplica a:
|