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Características de la memoria
La Desktop Board es compatible con la memoria siguiente:
- Cuatro 240 pines 3 velocidad de transmisión de datos doble (DDR3) módulo de memoria en línea dual (DIMM) SDRAM conectores con contactos revestidos de oro organizados en dos canales
- 1333/1066 MHz DDR3 SDRAM interfaz
- Compatibilidad con el intercalado único y doble canal de memoria
- No ECC DDR3 memoria
- Únicamente memoria de Detección de presencia serie (SPD)
- Hasta 16 GB de memoria máxima total de sistema
- DIMM de una o dos caras, no registrados, y sin memoria intermedia con una clasificación de voltaje de 1,65 V o menos.
| Nota |
El uso de un DIMM con una clasificación de voltaje superior a 1,65 V puede causar daños en el procesador. | |
3 1600 o superior compatibilidad con la memoria DDR en esta motherboard requiere memoria habilitada ajuste XMP compatible o conocimientos avanzados de BIOS y memoria manual. Los resultados individuales pueden variar.
Sistemas operativos de 32 bits están limitados a un máximo de 4 GB de memoria. Informe estos sistemas operativos menos de 4 GB debido a la memoria utilizada por las tarjetas de gráficos y otros recursos del sistema.
Para que sea completamente compatible con las especificaciones de memoria Intel® SDRAM aplicable, la placa debe tener módulos DIMM que sean compatibles con la estructura de datos de Detección de presencia serie (SPD). Si los módulos de memoria no admiten SPD, recibirá una notificación al respecto en la pantalla durante el encendido. El BIOS intenta configurar el controlador de memoria para la operación normal.
Configuraciones DIMM compatibles
| Capacidad de DIMM |
Configuración |
Densidad de SDRAM |
Organización de SDRAM, lado frontal/lado posterior |
Número de dispositivos SDRAM |
| 512 MB |
SS 1 |
1 Gbit |
64 M x 16/vacío |
4 |
| 1024 MB |
SS 1 |
1 Gbit |
128 M x 8/vacío |
8 |
| 2048 MB |
SS 1 |
2 Gbit |
256 M x 8/vacío |
8 |
| 4096 MB |
DS 2 |
2 Gbit |
256 M x 8/256 M x 8 |
16 | |
1La “SS” son las siglas de módulos de memoria de una cara (una fila de SDRAM).
2"DS” son las siglas de módulos de memoria de dos caras (dos filas de SDRAM).
Memoria probada
* Computadora Memory Test Labs (CMTL) pruebas de terceros para garantizar la compatibilidad con memoria boards Intel como memoria solicitada por los fabricantes. Consulte las CMTL lista de memorias probadas para la Desktop Board Intel® DP55WB.
La tabla a continuación presenta una lista de las partes que aprobaron TOTALMENTE las pruebas durante el proceso de desarrollo. Es posible que estos números de parte no estén disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.
| Proveedor del módulo o número de pieza del módulo |
Tamaño de módulo |
Velocidad del módulo (MHz) |
Latencia (CL-tRCD-tRP) |
Con ECC o sin ECC? |
Organización de DIMM |
Código de fecha de módulo |
Componente en uso y número de pieza del componente |
| Hynix HMT * de 125 U6AFP8C-H9 NO-AA |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
0918 |
Hynix H5TQ1G83AFP-H9C-914A |
| * Kingston KVR1333D3N9/1G; 9905402-015-A00LF |
1 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
1R x 8 |
0823 |
Elpida * J1108BASE-DJ-E |
| Kingston KVR1333D3N9/2G; 9905403-011.A00LF |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
0823 |
Elpida J1108BASE-DJ-E |
| Kingston KVR1333D3N9/4G; 9905403-011.A02LF |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
0914 |
Elpida J1108BABG-DJ-E |
| Kingston KVR1333D3N de K92/2G; 9905402-015-A02LF |
1 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
1R x 8 |
0913 |
Elpida J1108BABG-DJ-E |
| Micron * CT12864BA1339.8FF |
1 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
1R x 8 |
0912 |
Micron MT41J128M8JP-15E:F |
| Micron8JTF12864AZ-1G1F1 de MT |
1 GB |
1066 |
7-7-7 |
No ECC |
1R x 8 |
0909 |
Micron MT41J128M8JP hallazgos E:F |
| Micron8JTF12864AZ-1G4F1 de MT |
1 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
1R x 8 |
914 |
Micron MT41J128M8JP-15E:F |
| Micron8JTF12864AZ-1G4F1 de MT |
1 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
1R x 8 |
0912 |
Micron MT41J128M8JP-15E:F |
| Micron CT25664BA1067.16FF |
2 GB |
1066 |
7-7-7 |
No ECC |
2R x 8 |
0913 |
Micron MT41J128M8JP hallazgos E:F |
| Micron CT25664BA1339.16FF |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
0914 |
Micron MT41J128M8JP-15E:F |
| Micron16JTF25664AY-1G4D1 de MT |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
850 |
Micron MT41J128M8HX-15E:D |
| Micron16JTF25664AY-1G4F1 de MT |
2 GB |
1066 |
7-7-7 |
No ECC |
2R x 8 |
850 |
Micron MT41J128M8HX hallazgos E:D |
| Micron16JTF25664AY-1G4F1 de MT |
2 GB |
1066 |
7-7-7 |
No ECC |
2R x 8 |
911 |
Micron MT41J128M8JP hallazgos E:F |
| Micron16JTF25664AZ-1G1F1 de MT |
2 GB |
1066 |
7-7-7 |
No ECC |
2R x 8 |
0913 |
Micron MT41J128M8JP hallazgos E:F |
| Micron16JTF25664AZ-1G4F1 de MT |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
914 |
Micron MT41J128M8JP-15E:F |
| Micron16JTF25664AZ-1G4F1 de MT |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
0919 |
Micron MT41J128M8JP-15E:F |
| Micron16JTF25664AZ-1G4F1 de MT |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
0914 |
Micron MT41J128M8JP-15E:F |
| Samsung * M378B2873DZ1-CH8 |
1 GB |
1066 |
7-7-7 |
No ECC |
1R x 8 |
0825 |
Samsung K4B1G0846D |
| Samsung M378B2873DZ1-CH8 |
1 GB |
1066 |
7-7-7 |
No ECC |
1R x 8 |
0831 |
Samsung K4B1G0846D |
| Samsung M378B2873DZ1-CH8 |
2 GB |
1066 |
8-8-8 |
No ECC |
2R x 8 |
0825 |
Samsung K4B1G0846D |
| M378B2873DZ1-CH9 de Samsung |
1 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
1R x 8 |
0830 |
Samsung K4B1G0846D |
| M378B5673DZ1-CH9 de Samsung |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
0838 |
Samsung K4B1G0846D |
| M378B5673DZ1-CH9 de Samsung |
2 GB |
1333 |
9-9-9 |
No ECC |
2R x 8 |
0828 |
Samsung K4B1G0846D | |
Esto se aplica a:
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