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Contenido:
Características de la memoria del sistema Las configuraciones de memoria compatibles Memoria probada
Características de la memoria del sistema La placa tiene cuatro zócalos DIMM y es compatible con las funciones siguientes de memoria:
- 1,5 V DDR3 DIMM DE SDRAM con contactos dorados revestidos, con la opción de elevar la tensión de mayor rendimiento para soporte DDR3 SDRAM DIMM.
- 1,35 V DIMM DDR3 de bajo voltaje (especificación de JEDEC)
- Dos canales de memoria independientes con soporte para modo entrelazado
- Sin buffer, DIMMs de una cara o dos caras, con la restricción siguiente: no admite de dos caras x16 los módulos DIMM.
- 32 GB de memoria máxima total (con 4 GB de memoria tecnología). mínimo de memoria total del sistema sistema recomendado: 1 GB
- DIMM que no son ECC
- Detección de presencia serie
- DDR3 1600 MHz, DDR3 1333 MHz y 1066 MHz DDR3 DIMM de SDRAM DDR3 de 1600 MHz DIMM. sólo son compatibles con procesador Intel® Core™ tercera generación los procesadores de la familia.
- Perfil de desempeño de versión 1.3 soporte de memoria XMP para velocidades de hasta 1600 MHz
Para total cumplimiento con las especificaciones correspondientes de memoria SDRAM Intel, la placa requiere DIMM compatibles con estructura de datos de detección de presencia serie (SPD). Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un desempeño óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de la memoria. Desempeño y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM no funcionan por debajo de la frecuencia determinada.
Características de la memoria del sistema La placa tiene cuatro zócalos DIMM y es compatible con las funciones siguientes de memoria:
| Capacidad de DIMM |
Configuración |
Densidad de SDRAM |
Organización de SDRAM, lado frontal/lado posterior |
Número de dispositivos SDRAM |
| 1 GB |
De una cara |
1 Gbit |
128 M x 8 / vacía |
8 |
| 1 GB |
De una cara |
2 Gbit |
128 M x 16 / vacía |
4 |
| 2 GB |
Dos caras con doble |
1 Gbit |
128 M x 8 / 128 M x 8 |
16 |
| 2 GB |
De una cara |
2 Gbit |
128 M x 16 / vacía |
8 |
| 4 GB |
Dos caras con doble |
2 Gbit |
256 M x 8 / 256 M x 8 |
16 |
| 4 GB |
De una cara |
4 Gbit |
512 M x 8 / vacía |
8 |
| 8 GB |
Dos caras con doble |
4 Gbit |
512 M x 8 / 512 M x 8 |
16 | |
Memoria probada
* Computadora Memory Test Labs (CMTL) pruebas memoria de terceros para garantizar la compatibilidad con las placas de Intel como solicitadas por los fabricantes de memoria. Consulte la Lista de memorias probadas avanzada CMTL * para esto Intel® Desktop Board.
La tabla a continuación presenta una lista de las partes que aprobaron TOTALMENTE las pruebas durante el proceso de desarrollo. La parte de números de la memoria probada interna de Intel podrían no estar disponibles durante el ciclo de vida útil del producto.
| Fabricante de módulo |
Número de pieza de módulo |
Tamaño de módulo |
Velocidad del módulo (MHz) |
Con ECC o sin ECC |
Fabricante de componentes |
Número de pieza del componente |
| ADATA * |
AX3U1866PB2G8-DP2 |
2 GB |
1866 |
No ECC |
ADATA |
AX3U1866PB2G8-DP2 |
| ATP * |
VQ1333B884 |
2 GB |
1333 |
No ECC |
ATP |
VQ1333B884 |
| Corsair * |
Corsair tecnología móvil Intel Centrino4GX1866 M2A3C9 |
2 GB |
1866 |
No ECC |
Corsair |
Tecnología móvil Intel Centrino4GX3M2A1866 |
| Corsair |
Tecnología móvil Intel Centrino4GX3M2A1600C7ver:2.3 |
2 GB |
1600 |
No ECC |
Corsair |
Tecnología móvil Intel Centrino4GX3M2A1600C7ver:2.3 |
| Corsair |
Tecnología móvil Intel Centrino4GX3M2A1866C9 |
2 GB |
1866 |
No ECC |
Corsair |
Tecnología móvil Intel Centrino4GX3M2A1866C9 |
| Corsair |
Tecnología móvil Intel Centrino4GX3M2B2133C9 |
2 GB |
2133 |
No ECC |
Corsair |
Tecnología móvil Intel Centrino4GX3M2B2133C9 |
| Corsair |
CMGTX8 |
2 GB |
2400 |
No ECC |
Corsair |
CMGTX8 |
| Corsair |
CMZ8GX3M1A1600C11 |
8 GB |
1600 |
No ECC |
Corsair |
CMZ8GX3M1A1600C11 |
| Hynix * |
HMT112U6BFR8C-G7 |
1 GB |
1066 |
No ECC |
Hynix |
HMT112U6BFR8C-G7 |
| Hynix |
HMT 125 U7AFP8C-G7T0 |
2 GB |
1066 |
No ECC |
Hynix |
HMT 125 U6AFP8C-G7T0 |
| Hynix |
HMT351U6AFR8C-G7 |
4 GB |
1066 |
No ECC |
Hynix |
HMT351U6AFR8C-G7 |
| Hynix |
HMT112U6AFP8C-H9 |
1 GB |
1333 |
No ECC |
Hynix |
HMT112U6AFP8C-H9 |
| Hynix |
HMT 125 U6BFR8C-H9 |
2 GB |
1333 |
No ECC |
Hynix |
HMT 125 U6BFR8C-H9 |
| Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 |
4 GB |
1333 |
No ECC |
Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 |
| Kingston * |
KHX2133C9AD3T1K2/4GX |
2 GB |
2133 |
No ECC |
Kingston |
KHX2133C9AD3T1K2/4GX |
| Micron * |
MT8JTF12864AY-1G1D1 |
1 GB |
1066 |
No ECC |
Micron |
MT8JTF12864AY-1G1D1 |
| Micron |
MT1625664AY-1G1D1 de JTF |
2 GB |
1066 |
No ECC |
Micron |
MT1625664AY-1G1D1 de JTF |
| Micron |
MT1651264AZ-1G1D1 de JTF |
4 GB |
1066 |
No ECC |
Micron |
MT1651264AZ-1G1D1 de JTF |
| Micron |
MT8JTF12864AY-1G4D1 |
1 GB |
1333 |
No ECC |
Micron |
MT8JTF12864AY-1G4D1 |
| Micron |
MT1625664AZ-1G4F1 de JTF |
2 GB |
1333 |
No ECC |
Micron |
MT1625664AZ-1G4F1 de JTF |
| Micron |
MT16JTF51264AZ-1G4D |
4 GB |
1333 |
No ECC |
Micron |
MT16JTF51264AZ-1G4D |
| Samsung * |
M378B2873DZ1-CF8 |
1 GB |
1066 |
No ECC |
Samsung |
M378B2873DZ1-CF8 |
| Samsung |
M378B5673DZ1-CF8 |
2 GB |
1066 |
No ECC |
Samsung |
M378B5673DZ1-CF8 |
| Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
4 GB |
1066 |
No ECC |
Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
| Samsung |
M378B2873EH1-CH9 |
1 GB |
1333 |
No ECC |
Samsung |
M378B2873EH1-CH9 |
| Samsung |
M378B5673DZ1-CH9 |
2 GB |
1333 |
No ECC |
Samsung |
M378B5673DZ1-CH9 |
| Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
4 GB |
1333 |
No ECC |
Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
| Samsung |
M378B1G73BH0-CK0 |
8 GB |
1600 |
No ECC |
Samsung |
M378B1G73BH0-CK0 | |
Esto se aplica a:
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