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Desktop Board Intel® DH61ZE
Memoria del sistema


Características de la memoria del sistema
La placa tiene dos zócalos DIMM y es compatible con las características siguientes de la memoria:

  • Dos canales de memoria independientes con soporte para modo entrelazado
  • Es compatible con 1.2 V – voltaje 1.8 V DIMM de memoria
  • Unbuffered, sin búfer, de una cara, o DIMMs de dos caras con organización x8
  • Memoria total máxima del sistema 16 GB (con tecnología de memoria de 4 GB)
  • Memoria total del sistema mínima: 1 GB usando 1 Gb módulo x8
  • Detección de presencia serie
  • DDR3 1333 MHz y 1066 MHz DIMM SDRAM DDR33

Para total cumplimiento con todas las especificaciones aplicables de la memoria DDR SDRAM, la placa debe utilizar DIMM que sean compatibles con la Detección de presencia serie (SPD) estructura de datos. Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un desempeño óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero el desempeño y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia determinada.

1.5 V es el recomendado y configuración de DDR3 de voltaje de la memoria DDR. La otra configuración de voltaje de la memoria en el programa de configuración BIOS se proporcionan sólo para fines de ajuste del rendimiento. La modificación el voltaje de la memoria puede (i) reducir la estabilidad del sistema y la vida útil del sistema, la memoria y del procesador; (ii) hacer que el procesador y otros componentes del sistema fallen; (iii) provocar reducciones en el rendimiento del sistema; (iv) producir calor adicional u otros daños; y (v) afectar la integridad de los datos del sistema.

Intel no ha probado y no garantiza el funcionamiento del procesador más allá del alcance de sus especificaciones. Para obtener más información sobre la garantía del procesador, consulte procesador Información de la garantía.

Configuraciones de memoria compatibles

DIMM capacidad Configuración Densidad SDRAM Organización SDRAM, lado frontal/lado posterior Número de dispositivos SDRAM
512 MB De una cara 1 Gbit 64 M x 16 /vacía 4
1 GB De una cara 1 Gbit 128 M x 8 /vacía 8
1 GB De una cara 2 Gbit 128 M x 16/vacía 4
2 GB Dos caras con doble 1 Gbit 128 M x 8 /128 M x 8 16
2 GB De una cara 2 Gbit 128 M x 16 /vacía 8
4 GB Dos caras con doble 2 Gbit 256 M x 8 /256 M x 8 16
4 GB De una cara 4 Gbit 512 M x 8 /vacía 8
8 GB Dos caras con doble 4 Gbit 512 M x 8 /512 M x 8 16

Memoria probada

Memoria probada por de terceros
La tabla a continuación presenta una lista de las partes que aprobaron TOTALMENTE las pruebas durante el proceso de desarrollo. Dichos números de pieza podrían no estar disponibles durante el ciclo de vida útil del producto.

Fabricante de módulo Número de pieza de módulo Tamaño de módulo Velocidad de módulo Con ECC o sin ECC
ADATA* M3OHYMH3J4130G2C5Z 2 GB 1333 MHz No ECC
APACER* 240 P 1 GB 1333 MHz No ECC
ELPIDA* EBJ10UE8BBF0 1 GB 1066 MHz No ECC
ELPIDA EBJ10UE8BDF0 1 GB 1333 MHz No ECC
ELPIDA EBJ21UE8BBF0 2 GB 1066 MHz No ECC
ELPIDA EBJ21UE8BDF0 -DJ-F 2 GB 1333 MHz No ECC
Hynix* HMT112U6BFR8C -G7 1 GB 1066 MHz No ECC
Hynix HMT112U6TFR8C -H9 1 GB 1333 MHz No ECC
Hynix HMT125U6BFR8C -G7 2 GB 1066 MHz No ECC
Hynix HMT125U6BFR8C -H9 2 GB 1333 MHz No ECC
Hynix HMT351U6AFR8C -H9 4 GB 1333 MHz No ECC
Micron* MT8JTF12864AY 1 GB 1066 MHz No ECC
Micron MT8JTF12864AZ -1 G4F1 1 GB 1333 MHz No ECC
Micron MT16JTF25664AY -1 G G1D1 de JTF 2 GB 1066 MHz No ECC
Micron MT16JF25664AZ -1 G G4F1 de JF 2 GB 1333 MHz No ECC
QIMONDA* IMSH51U03A1F1C 512 MB 1066 MHz No ECC
QIMONDA IMSH1GU13A1F1C 1 GB 1066 MHz No ECC
SAMSUNG* M378B2873EH1 -CF8 1 GB 1066 MHz No ECC
SAMSUNG M378B22873DZ1 -CH9 1 GB 1333 MHz No ECC
SAMSUNG M378B5673DZ1 2 GB 1066 Mhz No ECC
SAMSUNG M378B5673FH0 -CH9 2 GB 1333 MHz No ECC
SAMSUNG M378B5273DH0 -CH9 4 GB 1333 Mhz No ECC

Esto se aplica a:

Desktop Board Intel® DH61ZE

 

ID de solución: CS CS-032794
Última modificación: 20 de abril de 2012
Fecha de creación: 21 de septiembre de 2011