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Actualización: abril de 2009
Características de la memoria del sistema La placa es compatible con el doble o único las configuraciones de memoria de canal definen a continuación.
- Dos velocidad de datos doble 2 (DDR2) de 240 pines doble módulo de memoria en línea (DIMM) conectores con contactos revestidos de oro
- No ECC, 1.8 V, DDR2 800/667 MHz memoria
- Memoria de detección de presencia serie (SPD) sólo
- Dimms sin memoria intermedia, no registrados una o dos caras DIMM (excepto los DIMMs de dos caras con organización x16)
- Un mínimo de 512 MB de memoria total es necesario
| Notas |
- Para que sea completamente compatible con todas las Intel® especificaciones de memoria SDRAM, la placa debe utilizar DIMMs que son compatibles con la estructura de datos de Detección de presencia serie (SPD). Si los módulos de memoria no admiten SPD, verá una notificación al respecto en la pantalla durante el encendido. El BIOS intentará configurar el controlador de memoria para la operación normal.
- Los recursos del sistema y el hardware (como PCI Express) requieren que memoria física dirección ubicaciones que pueden reducir disponibles memoria de sistema direccionable. Esto podrá traducirse en una disminuci6n de hasta 1 GB o más de memoria direccionable que se está disponible para el sistema operativo y las aplicaciones, en función de la configuración del sistema y el sistema operativo.
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Configuraciones de memoria admitidas
| Tipo de DIMM |
Tecnología SDRAM |
DIMM más pequeño utilizable |
DIMM utilizable más grande |
Capacidad máxima con dos DIMM x8 de dos lados idénticos |
| DDR2 667 |
512 Mbits |
256 MB |
4 GB |
8 GB |
| DDR2 800 |
512 Mbits |
256 MB |
4 GB |
8 GB | |
| Nota |
Para ser completamente compatible con las especificaciones de la memoria DDR SDRAM, la placa debe utilizar DIMMs que son compatibles con la estructura de datos de Detección de presencia serie (SPD). Esto permite que el BIOS lea los datos de SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un desempeño óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero el rendimiento y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia determinada. | |
Memoria probada
Pruebas de memoria de terceros* Pruebas de memoria de terceros se efectúan los proveedores de memoria y se llevan a cabo en una institución de memoria independiente que no forma parte de Intel - computadora Memory Test Labs (CMTL).
Memoria probada por el proveedor Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Memorias mencionadas aquí han sido probadas ya sea por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Es posible que estos números de parte no disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.
La tabla a continuación incluye partes que han aprobado las pruebas efectuadas por el programa de Comprobación automática de Intel para Intel® Desktop Board DG43NB.
| Proveedor del módulo y número de pieza del módulo |
Tamaño del módulo |
Velocidad del módulo (mhz) |
Con o sin ECC? |
Organización de DIMM |
Módulo código de fecha |
Componente en uso y número de pieza del componente |
| Aeneon* AET760UD00-25D |
1 GB |
800 |
No ECC |
DS x 8 |
0749 |
Aeneon AET93R25D |
| Corsair* CM2X1024-6400 g |
1 GB |
800 |
No ECC |
DS x 8 |
07301474-0 |
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| Elixir* M2Y1G64TU8HB4B-3C |
1 GB |
667 |
No ECC |
DS x 8 |
0805.SG |
Elixir N2TU51280BE-3C |
| Elixir M2Y51264TU88A2B-3C |
512 MB |
667 |
No ECC |
SS x 8 |
0707 |
Elixir N2TU51280AE-3C |
| Elixir M2Y51264TU88B4B-25C |
512 MB |
800 |
No ECC |
SS x 8 |
0713 |
Elixir N2TU51280BE-25C |
| Elixir M2Y51264TU88BOB-25C |
512 MB |
800 |
No ECC |
SS x 8 |
0649 |
Elixir N2TU51280BE-25C |
| Elpida* EBE11UD8AEFA-6E-E |
1 GB |
667 |
No ECC |
DS x 8 |
0516 |
Elpida E5108AE-6E-E |
| Infineon* HYS64T32000HU-2.5-B |
256 MB |
800 |
No ECC |
SS x 4 |
0620 |
Infineon HYB181512160BF-2.5 |
| Infineon HYS64T64000HU-3S-A |
512 MB |
667 |
No ECC |
SS x 8 |
|
Infineon HYB181512 800AF3S |
| Kingmax* KLCC28F-A8KB5 |
512 MB |
667 |
No ECC |
SS x 8 |
0631 |
Kingmax KKEA88B4IAUG-29XX |
| Kingmax KLDC28F-A8KB5 |
512 MB |
800 |
No ECC |
SS x 8 |
0714 |
Kingmax KKEA88B4LZUG-25DF |
| Kingston* KVR667D2N5/1G |
1 GB |
667 |
No ECC |
DS x 8 |
BSMH1670776 |
Hynix HY5PS12B21C |
| KINGSTON KVR800D2N5/1G-SP |
1 GB |
800 |
No ECC |
SS x 8 |
BSMH1630668 |
STARRAM 128MX8T2* |
| KINGSTON KVR667D2N5/2G |
2 GB |
667 |
No ECC |
SS x 8 |
BKME1640819 |
Elpida E1108ACBG-6E-E |
| KINGSTON KVR667D2N5/2G |
2 GB |
667 |
No ECC |
DS x 8 |
BSME1620828 |
Elpida E1108ACBG-6E-E |
| Micron* MT16HTF6464AY-667BS |
512 MB |
667 |
No ECC |
DS x 8 |
0523 |
Micras 5KB42D9DPN |
| Micron MT4HTF6464AY-800G1 |
512 MB |
800 |
No ECC |
SS x 16 |
0849 |
Micron MT47H64M16HR-25E es:g |
| Micron MT8HTF12864AY-800G1 |
1 GB |
800 |
No ECC |
SS x 8 |
0840 |
Micron MT47H128M8HQ-25:g |
| Micron MT16HTF25664AY-800G1 |
2 GB |
800 |
No ECC |
DS x 8 |
0847 |
Micron MT47H128M8HQ-25:g |
| Nanya* NT512T64U88A1BY-3C |
512 MB |
667 |
No ECC |
SS x 8 |
0536 |
Nanya NT5TU64M8AE-3C |
| Samsung* M378T2953EZ3 |
1 GB |
800 |
No ECC |
DS x 8 |
0727 |
K4T51083QE |
| Samsung M378T3354CZ3-ce6 |
256 MB |
667 |
No ECC |
SS x 4 |
0522 |
Samsung K41511630C-ZCE6 |
| Samsung M378T5663QZ3-CF7 |
2 GB |
800 |
No ECC |
DS x 8 |
0807 |
K4T1G084QQ | |
Esto se aplica a:
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