|
Características de la memoria del sistema
La placa tiene cuatro zócalos DIMM y es compatible con las funciones siguientes de memoria:
- 1.5 V DDR3 DIMM DE SDRAM con contactos dorados revestidos, con la opción de elevar la tensión de mayor rendimiento para soporte DDR3 SDRAM DIMM.
- 1,35 V DIMM DDR3 de bajo voltaje (especificación de JEDEC).
- Dos canales de memoria independientes con soporte para modo entrelazado.
- Sin buffer, DIMMs de una cara o dos caras, con la restricción siguiente: no admite de dos caras x16 los módulos DIMM.
- 32 GB de memoria máxima total de sistema (con 4 GB de memoria tecnología).
- Mínimo 1 GB de memoria total del sistema recomendado.
- DIMM que no son ECC.
- Detección de presencia serie
- DDR3 1600 MHz, DDR3 1333 MHz y 1066 MHz DDR3 DIMM de SDRAM. Los procesadores Intel® Core™ de tercera generación son la única familia de procesador que es compatible con DDR3 1600 MHz DIMM.
- Perfil de desempeño de versión 1.3 soporte de XMP para velocidades de memoria de 1600 MHz o menos.
Para total cumplimiento con las especificaciones correspondientes de memoria SDRAM Intel, la placa requiere DIMM compatibles con la estructura de datos de detección de presencia serie (SPD). Con DIMM que admiten SPD, permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un óptimo desempeño. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero el desempeño y la fiabilidad pueden verse afectados. Además, los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia especificada.
Configuraciones de memoria compatibles
| Capacidad de DIMM |
Configuración |
Densidad de SDRAM |
Organización de SDRAM frontal / lado posterior |
Número de dispositivos SDRAM |
| 1 GB |
De una cara |
1 Gbit |
128 M x 8 / vacía |
8 |
| 2 GB |
Dos caras con doble |
1 Gbit |
128 M x 8 / 128 M x 8 |
16 |
| 2 GB |
De una cara |
2 Gbit |
256 M x 8 / vacía |
8 |
| 4 GB |
Dos caras con doble |
2 Gbit |
256 M x 8 / 256 M x 8 |
16 |
| 4 GB |
De una cara |
4 Gbit |
512 M x 8 / vacía |
8 |
| 8 GB |
Dos caras con doble |
4 Gbit |
512 M x 8 / 512 M x 8 |
16 | |
Memoria probada
La tabla a continuación presenta una lista de las partes que aprobaron TOTALMENTE las pruebas durante el proceso de desarrollo. Es posible que estos números de parte no estén disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.
| Fabricante de módulo |
Número de pieza de módulo |
Tamaño de módulo |
Velocidad del módulo (MHz) |
| ADATA * |
M3OHYMH3J4130G2C5Z |
2 GB |
1333 |
| Elpida * |
EBJ10UE8BDF0 |
1 GB |
1333 |
| EBJ21UE8MODELO BBF0-DJ-F |
2 GB |
1333 |
| EBJ20UF8BDW0-GN-F |
2 GB |
1600 |
| Hynix * |
HMT112U6TGF8C-H9 |
1 GB |
1333 |
| HMT 125 BFR8U6C-G7 |
2 GB |
1066 |
| HMT 125 U6BFR8C-H9 |
2 GB |
1333 |
| Kingston * |
HP497156-C01-ELB |
1 GB |
1333 |
| KHX1866C9D3T1K3/3GX |
1 GB |
1866 |
| KHX1600C9D3 |
2 GB |
1600 |
| KHX2133C9AD3T1K2 |
2 GB |
2133 |
| Micron * |
MT1625664AY-1G4D1 de JTF |
2 GB |
1333 |
| MT161G64AZ-1G6D1 de JTF |
8 GB |
1600 |
| MT161G64HZ-1G6D1 de KTF |
8 GB |
1600 |
| Qimonda * |
IMSH2GU13A1F1C |
2 GB |
1333 |
| Samsung * |
M378B22873DZ1-CH9 |
1 GB |
1333 |
| M378B5673FH0-CH9 |
2 GB |
1333 |
| M378B5673DZ1-CF8 |
2 GB |
1066 |
| M378B5273DH0-CH9 |
4 GB |
1333 | |
Temas relacionados: DDR, DDR3 memoria DDR2 y Modos de memoria de canal único y multi- Resolución sistema Problemas de memoria
Esto se aplica a:
|