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Características de la memoria de sistema
La placa tiene dos zócalos DIMM y es compatible con las funciones siguientes de la memoria:
- DIMM de SDRAM DDR2 de 1,8 V (únicamente) con contactos revestidos de oro
- DIMM sin buffer de una o dos caras con la restricción siguiente: no se admiten los DIMMs de dos caras con organización x16
- 2 GB de memoria total del sistema máxima
- Memoria total del sistema mínima: 128 MB
- DIMM que no son ECC
- Detección de presencia serie
- DIMM SDRAM para DDR2 de 667, DDR2 de 533 o DDR2 de 400 MHz
| Notas |
- Extraiga la tarjeta de video PCI Express x16 antes de instalar o actualizar la memoria a fin de evitar la interferencia con el mecanismo de retención de memoria.
- Independientemente del tipo de DIMM que se utilice, la frecuencia de memoria será ya sea equivalente o menor que la frecuencia del bus de sistema del procesador. Por ejemplo, si se utiliza la memoria DDR2 533 con un procesador de frecuencia de bus de sistema de 800 MHz, la memoria funcionará a 533 MHz.
- Para que sea totalmente compatible con las especificaciones de SDRAM Intel® correspondientes, la placa debe tener DIMM compatibles con la estructura de datos de Detección de presencia serie (SPD). Si los módulos de memoria no admiten SPD, se muestra una notificación en la pantalla durante el encendido. El BIOS intentará configurar el controlador de memoria para la operación normal.
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Configuraciones de DIMM compatibles
La siguiente tabla enumera las configuraciones de DIMM admitidas.
| Capacidad de DIMM |
Configuration (Configuración) |
Densidad de SDRAM |
Organización de SDRAM frontal y posterior |
Número de dispositivos SDRAM |
| 128 MB |
SS |
256 Mbit |
16 M x 16/vacío 4 |
4 |
| 256 MB |
SS |
256 Mbit |
32 M x 8/vacío 8 |
8 |
| 256 MB |
SS |
512 Mbit |
32 M x 16/vacío 4 |
4 |
| 512 MB |
DS |
256 Mbit |
32 M x 8/32 M x 8 16 |
16 |
| 512 MB |
SS |
512 Mbit |
64 M x 8/vacío 8 |
8 |
| 512 MB |
SS |
1 Gbit |
64 M x 16/vacío 4 |
4 |
| 1024 MB |
DS |
512 Mbit |
64 M x 8/64 M x 8 16 |
16 |
| 1024 MB |
SS |
1 Gbit |
128 M x 8/vacío 8 |
8 | |
| Nota |
En la segunda columna, "DS" son las siglas de módulos de memoria de dos caras (dos filas de SDRAM). "SS" son las siglas de módulos de memoria de una cara (una fila de SDRAM). | |
Memoria probada
Memoria probada de terceros*
Las pruebas de memoria de terceros se efectúan a solicitud de los proveedores de memoria y se llevan a cabo en una institución de memoria independiente que no pertenece a Intel: Computer Memory Test Labs (CMTL).
Memoria probada por el proveedor
Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Las memorias mencionadas aquí han sido probadas ya sea por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Es posible que estos números de pieza no estén disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.
La tabla a continuación incluye piezas que han pasado las pruebas efectuadas por el programa de pruebas hechas por el proveedor de Intel para la Desktop Board Intel® D945GCNL.
| Proveedor del módulo o número de pieza del módulo |
Tamaño de módulo |
Velocidad del módulo (MHz)1 |
Latencia (CL-tRCD-tRP) |
¿Con ECC o sin ECC? |
Organización de DIMM |
Código de fecha de módulo |
Componente en uso y número de pieza del componente |
| Corsair* VS256MB667D2 |
256 MB |
667 |
|
No ECC |
|
|
|
| ELPIDA* EBE11UD8AEFA-6E-E |
1 GB |
667 |
5/5/5 |
No ECC |
DSX8 |
514 |
ELPIDA E5108AE-6E-E |
| Hynix* HYMP512U64CP8-Y5-AB |
1 GB |
667 |
5/5/5 |
No ECC |
DSX8 |
649 |
Hynix HY5PS12821CFP-Y5 |
| Hynix HYMP532U64CP6 |
256 MB |
667 |
5/5/5 |
No ECC |
SSX8 |
626 |
Hynix HY5PS121621CFP-Y5 |
| Hynix HYMP564U64BP8-S6 AB |
512 MB |
667 |
|
No ECC |
|
|
|
| Hynix HYMP564U64P8-E3 |
512 MB |
400 |
3/3/3 |
No ECC |
SSX8 |
505 |
Hynix HY5PS12821FP-E3 |
| Infineon* HYS64T32000HU-2.5-B |
256 MB |
800 |
6/6/6 |
No ECC |
|
|
|
| Infineon HYS64T32000HU-3S-B |
256 MB |
667 |
5/5/5 |
No ECC |
SSX16 |
540 |
QIMONDA* HYB18T512160BF-3S |
| Infineon HYS64T3200HU-3.7-A |
256 MB |
533 |
4/4/4 |
No ECC |
SSX16 |
526 |
Infineon HY18T512160AF-3.7 |
| Infineon HYS64T6400HU-2.5B |
512 MB |
800 |
6/6/6 |
No ECC |
SSX8 |
646 |
QIMONDA HYB18T5128008F-25 |
| Kingston* KVR667D2N5 |
256 MB |
667 |
5/5/5 |
No ECC |
|
|
|
| Micron* MT4HTF3264AY-53EB1 |
256 MB |
533 |
4/4/4 |
No ECC |
SSX16 |
524 |
Micron MT47H32M16CC |
| Micron MT4HTF3264AY-800D3 |
256 MB |
800 |
6/6/6 |
No ECC |
SSX16 |
646 |
Micron MT47H32M16BN |
| Micron MT4HTF5264AY-667B2 |
256 MB |
667 |
|
No ECC |
|
|
|
| NANYA* NT1GT64U8HB0BY-25D |
1 GB |
800 |
6/6/6 |
No ECC |
DSX8 |
703 |
NANYA NTSTU66M88E-25D |
| NANYA NT512T64U88B0BY-25D |
512 MB |
800 |
6/6/6 |
No ECC |
SSX8 |
626 |
NANYA NTSTU66M88E-25D |
| Patriot* PSD21G6672 |
1 GB |
667 |
5/5/5 |
No ECC |
DSX8 |
446 |
Micron MT47H64M8BT-3 |
| PSC* AL6E8E63B-8E1K |
512 MB |
800 |
|
No ECC |
|
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|
| RAMAXEL* RML1520HB38D6F-667 |
512 MB |
667 |
|
No ECC |
|
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|
| Samsung* KRM378T2953CZ0-CE6 |
1 GB |
667 |
5/5/5 |
No ECC |
DSX8 |
552 |
Samsung K4T51083QC |
| Samsung M378T6453FGO-CD5 |
512 MB |
533 |
4/4/4 |
No ECC |
DSX8 |
422 |
Samsung K4T56083QF-GC05 |
| Samsung M378T6553CZ3-CF7 |
512 MB |
800 |
6/6/6 |
No ECC |
SSX8 |
641 |
Samsung K4T51083QC-ZCF7 |
| SMART* TB4D2667C58D |
1 GB |
667 |
|
No ECC |
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| Super Talent* T800UB1GC4 |
1 GB |
800 |
|
No ECC |
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| | 1 La memoria de 800 MHz funciona a 667 MHz.Corresponde a: | 
