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Desktop Board Intel® D915PCY
Memoria del sistema

Características de la memoria del sistema
La placa tiene cuatro zócalos DIMM y es compatible con las características siguientes de la memoria:

  • 1.8 V (solamente) DDR2 DIMMs SDRAM con Contactos revestidos de oro.
  • Sin buffer, DIMMs de una cara o dos caras con la restricción siguiente: no se admiten los DIMMs de dos caras con organización x16.
  • 4 GB de memoria máxima total de sistema.
  • Memoria total del sistema mínima: 128 MB.
  • Que no es ECC DIMMs.
  • Detección de presencia serie.
  • DDR2 533 MHz o 400 MHz SDRAM DDR2 DIMMs.
Notas
  • Extraiga la tarjeta de video PCI Express x16 antes de instalar o actualizar la memoria a fin de evitar la interferencia con el mecanismo de retención de memoria.
  • Para que sea completamente compatible con todas las especificaciones aplicables de la memoria DDR SDRAM, la placa debe llenarse con módulos DIMM que sean compatibles con la Detección de presencia serie (SPD) estructura de datos. Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un desempeño óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero el desempeño y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia determinada.

Admite configuraciones de DIMM

DIMM capacidad Configuración Densidad SDRAM Organización SDRAM, lado frontal/lado posterior Número de dispositivos SDRAM
128 MB SS 256 Mbit 16 M x 16/vacío 4
256 MB SS 256 Mbit 32 M x 8/vacío 8
256 MB SS 512 Mbit 32 M x 16/vacío 4
512 MB DS 256 Mbit 32 M x 8/32 M x 8 16
512 MB SS 512 Mbit 64 M x 8/vacío 8
512 MB SS 1 Gbit 64 M x 16/vacío 4
1024 MB DS 512 Mbit 64 M x 8/64 M x 8 16
1024 MB SS 1 Gbit 128 M x 8/vacío 8
2048 MB DS 1 Gbit 128 M x 8/128 M x 8 16


Nota En la segunda columna, "DS" se refiere a módulos de memoria de dos caras (que contienen dos filas de DDR SDRAM) y "SS" se refiere a módulos de memoria de una cara (que contienen una fila de DDR SDRAM).

Memoria probada

Las pruebas de memoria de terceros*
Las pruebas de memoria de terceros se efectúa a solicitud de los proveedores de memoria y se llevan a cabo en una institución de memoria independiente que no pertenece a Intel.
Memoria probada por computadora Memory Test Labs (CMTL).

Pruebas de memoria automática de proveedor
Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Las memorias mencionadas aquí han sido probadas ya sea por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Es posible que estos números de parte no estén disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.

La tabla a continuación incluye partes que han aprobado las pruebas efectuadas por el programa de Comprobación automática de Intel para la Desktop Board Intel® D915PCY.

Proveedor del módulo
Número de pieza del módulo
Tamaño de módulo
(MB)
Velocidad de módulo
(MHz)
Latencia
CL-tRCD-tRP)
Con ECC o
Sin ECC?
DIMM
Organización
Módulo
Código de fecha
Componente utilizado
Número de pieza del componente
Crucial*
CT16HTF6464AG53EB2
512 MB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0405 Micron*
MT47H32M8FP -37E
Crucial
CT8HTF3264AG53EB3
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0405 Micron
MT47H32M8FP -37E
Crucial
CT4HTF1664AG53EB1
128 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx16 0416 Micron
MT47H16M16FG -37E
Hynix*
HYMP512U648 -C4
1 GB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0424 Hynix
HY5PS12821F -C4
Hynix
HYMP564U648 -C4
512 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0424 Hynix
HY5PS12821F -C4
Hynix
HYMP264U648 -C4
512 MB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0423 Hynix
HY5PS56821F -C4
Hynix
HYMP232U648 -C4
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0418 Hynix
HY5PS56821F -C4
Hynix
HYMP532U646 -C4
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx16 0426 Hynix
HY5PS121621F -C4
Hynix
HYMP216U646 -C4
128 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx16 0413 Hynix
HY5PS561621F -C4
Infineon Technologies*
HYS64T128020HU 3.7 -A
1 GB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0434 Infineon Technologies
HYB18T512800AF -3,7
Infineon Technologies
HYS64T64000HU 3.7 -A
512 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0446 Infineon Technologies
HYB18T512800AF -3,7
Infineon Technologies
HYS64T32001HU 3.7 -A
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0436 Infineon Technologies
HYB18T256800AF -3,7
Infineon Technologies
HYS64T32000HU 3.7 -A
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx16 0436 Infineon Technologies
HYB18T512160AF -3,7
* Tecnología de Kingston
KVR533D2N4 /512
512 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0000 Elpida*
E5108AB -5C-E
Micron*
MT16HTF12864AY -53ED4 de HTF
1024 MB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0611 Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT18HTF12872AY -53EB1
1024 MB 533 4-4-4 ECC Dsx8 0511 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF12864AY -53EB1 de HTF
1024 MB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0511 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT8VDDT6464AY -53ED7
512 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0612 Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT16HTF6464AG -53EB2
512 MB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0405 Micron
MT47H32M8FP -37E
Micron
MT16HTF6464AY -53EB2
512 MB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0506 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY -53EB3
512 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0504 Micron
MT47H64M8CB -37E
Micron
MT8HTF6464AY -53EB8
512 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0519 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT4HTF3264AY -53ED3
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx16 0605 Micron
MT47H32M16BN
Micron
MT4HTF3264AY -53EB1
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx16 0524 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY -53EB2
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx16 0527 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AY -53EB5
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0524 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF3264AG -53EB3
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0405 Micron
MT47H32M8FP -37E
Micron
MT8HTF3264AY -53EB3
256 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0422 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG -53EB1
128 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx16 0416 Micron
MT47H16M16FG -37E
Micron
MT4HTF1664AY -53EB1
128 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx16 0434 Micron
MT47H16M16BG
Samsung*
M378T2953BG0 -CD5
1024 MB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0414 Samsung
K4T51083QB - GCD5
Samsung
M378T6553BG0 -CD5
512 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0412 Samsung
K4T51083QB - GCD5
Crucial
CT16HTF6464AG40EB2
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0402 Micron
MT47H32M8FP -5E
Crucial
CT8HTF3264AG40EB3
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0352 Micron
MT47H32M8FP -5E
Crucial
CT4HTF1664AG40EB1
128 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx16 0352 Micron
MT47H16M16FG -5E
Hynix
HYMP264U648 -E3
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0421 Hynix
HY5PS56821F -E3
Hynix
HYMP232U648 -E3
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0421 Hynix
HY5PS56821F -E3
Hynix
HYMP216U646 -E3
128 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx16 0418 Hynix
HY5PS561621F -E3
Infineon Technologies
HYS64T128020HU -5-A
1 GB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0437 Infineon Technologies
HYB18T512800AF -5
Infineon Technologies
HYS64T64000HU -5-A
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0436 Infineon Technologies
HYB18T512800AF -5
Infineon Technologies
HYS64T32001HU -5-A
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0438 Infineon Technologies
HYB18T256800AF -5
Infineon Technologies
HYS64T32000HU -5-A
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx16 0434 Infineon Technologies
HYB18T512160AF -5
Micron
MT16HTF12864AY -40EB1 de HTF
1024 MB 400 4-4-4 No ECC Dsx8 0504 Micron
MT47H64M8CB -5E
Micron
MT8HTF6464AY -40EB8
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0523 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF6464AG -40EB2
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0402 Micron
MT47H32M8FP -5E
Micron
MT16HTF6464AY -40EB2
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0507 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY -40EB3
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0504 Micron
MT47H64M8CB -5E
Micron
MT8HTF6464AY -40EB9
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0507 Micron
MT47H64M8CB -5E
Micron
MT8HTF3264AY -40EB3
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0528 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF3264AY -40EB2
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx16 0523 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY -40EB1
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx16 0521 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AG -40EB3
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0352 Micron
MT47H32M8FP -5E
Micron
MT8HTF3264AY -40EB5
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0524 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG -40EB1
128 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx16 0352 Micron
MT47H16M16FG -5E
Micron
MT4HTF1664AY -40EB1
128 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx16 0434 Micron
MT47H16M16BG
Samsung
M368L2923DUN -CCC
1 GB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0540 Samsung
K4H510838D - UCCC
Samsung
M368L6523DUD -CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0549 Samsung
K4H510838D - UCCC
Samsung
M378T6453FG0 -CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0414 Samsung
K4T56083QF - GCCC
Samsung
M378T3253FG0 -CCC
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0414 Samsung
K4T56083QF -GCC
Super talento Electronics*
T533UB1GB
1024 MB 533 4-4-4 No ECC Dsx8 0515 Samsung
K4T51083QB - ZCD5
Super talento Electronics
T400UB1GA
1024 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0512 INFINEON
HYB18T512800AF5 de HYB
Super talento Electronics
T533UA512B
512 MB 533 4-4-4 No ECC Ssx8 0514 Samsung
K4T51083QB - ZCD5
Super talento Electronics
T400UA512A
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0514 Samsung
K4T51083QB - ZCD5
Super talento Electronics
T400UA256A
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0448 Samsung
K4T56083QF - GCCC
Micron
MT8VDDT6464AG ingresos D1 de MT
512 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Ssx8 0450 Micron
MT46V64M8TG -5E

Actualizado: 30 noviembre, 2006

Esto se aplica a:

Desktop Board Intel® D915PCY

 

ID de solución: CS CS-027024
Última modificación: 10 de octubre de 2014
Fecha de creación: 13 de junio de 2007
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