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Características de la memoria del sistema Las placas tienen cuatro zócalos DIMM y es compatible con las características siguientes de la memoria:
- DIMM de SDRAM DDR de 2.5 V (únicamente) con contactos revestidos de oro
- DIMM sin memoria intermedia de una o dos caras con la restricción siguiente: no se admiten los DIMMs de dos caras con organización x16.
- Memoria de sistema total máxima de 4 GB
- Memoria total del sistema mínima: 128 MB
- Que no son ECC DIMM
- Detección de presencia serie
- DIMM SDRAM DDR de 400 MHz y DDR de 333 MHz
Nota: Para ser completamente compatible con las especificaciones de la memoria DDR SDRAM, la placa debe utilizar DIMMs que son compatibles con la estructura de datos de Detección de presencia serie (SPD). Esto permite que el BIOS lea los datos de SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un desempeño óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero el rendimiento y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia determinada.
Nota para los integradores Es posible instalar cuatro módulos 2048 MB (2 GB) para un total de 8 GB de memoria de sistema. No obstante, solamente están disponibles 4 GB de espacio de dirección.
Combinaciones compatibles de frecuencia de bus de sistema y velocidad de memoria
| Para utilizar este tipo de DIMM... |
La frecuencia del bus de sistema del procesador debe ser... |
| DDR 400 |
800 MHz |
| DDR 333 (nota) |
800 ó 533 MHz | | Nota: Cuando se utiliza un procesador de frecuencia de bus de sistema de 800 MHz, memoria DDR 333 se sincroniza a 320 MHz. Esto minimiza las latencias de sistema para optimizar el desempeño del sistema.
Configuraciones DIMM compatibles
| Capacidad de DIMM |
Configuración |
Densidad de SDRAM |
Organización de la SDRAM lado frontal/lado posterior |
Cantidad de dispositivos de SDRAM |
| 128 MB |
SS |
256 Mbit |
16 M x 16/empty |
4 |
| 256 MB |
SS |
256 Mbit |
32 M x 8/vacío |
8 |
| 256 MB |
SS |
512 Mbits |
32 M x 16/empty |
4 |
| 512 MB |
DS |
256 Mbit |
32 M x 8/32 M x 8 |
16 |
| 512 MB |
SS |
512 Mbits |
64 M x 8/empty |
8 |
| 512 MB |
SS |
1 Gbit |
64 M x 16/empty |
4 |
| 1024 MB |
DS |
512 Mbits |
64 M x 8/64 M x 8 |
16 |
| 1024 MB |
SS |
1 Gbit |
128 M x 8/vacío |
8 |
| 2048 MB |
DS |
1 Gbit |
128 M x 8/128 M x 8 |
16 | | Nota: En la segunda columna, "DS" se refiere a módulos de memoria de dos caras (que contienen dos filas de SDRAM) y "SS" se refiere a módulos de memoria de una sola cara (que contienen una fila de SDRAM).
Memoria probada
Memoria probada por el proveedor Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Memorias mencionadas aquí han sido probadas ya sea por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Es posible que estos números de parte no disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.
La tabla a continuación incluye partes que han aprobado las pruebas efectuadas por el programa de Comprobación automática de Intel para Intel® Desktop Board D915GLVG.
Proveedor del módulo Módulo número de pieza |
Tamaño del módulo (MB) |
Velocidad del módulo (MHz) |
Latencia Cl-trcd-trp |
O ECC No ECC? |
DIMM Organización |
Módulo Código de fecha |
Componente utilizado Número de pieza componente |
Infineon Technologies* HYS64D128320HU-5-B |
1GB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
DSx8 |
0445 |
Infineon technologies HYB25D512800BE-5 |
Infineon technologies HYS64D64320HU-5-c |
512MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
DSx8 |
0436 |
Infineon technologies HYB25D512800CE-5 |
Infineon technologies HYS64D32300HU-5-c |
256MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
SSx8 |
0432 |
Infineon technologies HYB25D512800CE-5 |
KINGSTON tecnología* KVR400X64C3A/1G |
1 GB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
DSx8 |
0518 |
Infineon HYB25D512800BE-5 |
KINGSTON Technology KVR400X64C3A/1G |
1 GB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
DSx8 |
449 |
Samsung* K4H510838B-TCCC |
KINGSTON Technology KVR400X64C3A/512 |
512 MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
SSx8 |
0518 |
Micron* MT46V64M8-5B |
KINGSTON Technology KVR400X64C3A/512 |
512MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
DSx8 |
0000 |
SAMSUNG K4H560838F-TCCC |
KINGSTON Technology KVR400X64C3A/256 |
256MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
SSx8 |
0000 |
Promos* V58C2256804SCT5B |
SAMSUNG M368L2923CUN-ccc |
1 GB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
DSx8 |
0509 |
SAMSUNG K4H510838C-UCCC |
SAMSUNG M368L6423ETN-ccc |
512 MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
DSx8 |
0509 |
SAMSUNG K4H560838E-TCCC |
SAMSUNG M368L6423FTN-ccc |
512 MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
DSx8 |
0506 |
SAMSUNG K4H560838F-TCCC |
SAMSUNG M368L6523CUS-ccc |
512 MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
SSx8 |
0503 |
SAMSUNG K4H510838C-UCCC |
SAMSUNG M368L3223FTN-ccc |
256 MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
SSx8 |
0506 |
SAMSUNG K4H560838F-TCCC |
SAMSUNG M368L3324CUS-ccc |
256 MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
SSx16 |
0506 |
SAMSUNG K4H511638C-UCCC |
SAMSUNG M368L3223ETN-ccc |
256 MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
SSx8 |
0506 |
SAMSUNG K4H560838E-TCCC |
Infineon technologies HYS64D128320HU-6-B |
1GB |
333 |
3-2-3 |
No ECC |
DSx8 |
0434 |
Infineon technologies HYB25D512800BE-6 |
Infineon technologies HYS64D64320HU-6-c |
512MB |
333 |
3-2-3 |
No ECC |
DSx8 |
0436 |
Infineon technologies HYB25D512800CE-6 |
Infineon technologies HYS64D32300HU-6-c |
256MB |
333 |
3-2-3 |
No ECC |
SSx8 |
0436 |
Infineon technologies HYB25D512800CE-6 |
Micras MT16VDDT6464AG-40BGB |
512MB |
400 |
3-3-3 |
No ECC |
DBx16 |
0511 |
Micras MT46V32M8TG |
Micras MT16VDDT12864AG-335DB |
1024MB |
333 |
3-2-3 |
No ECC |
DBx8 |
0519 |
Micras MT46V64M8TG |
Micras MT16VDDT12864AY-335DB |
1024MB |
333 |
3-2-3 |
No ECC |
DBx8 |
0438 |
Micras MT46V64M8P |
SAMSUNG M368L5623MTN-CB3 |
2 GB |
333 |
3-2-3 |
No ECC |
DSx8 |
0508 |
SAMSUNG K4H1G0838M-TCB3 | | Actualizado: 2 noviembre de 2005
Esto se aplica a:
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