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Intel® Desktop Board D915GAV
Memoria del sistema

Características de la memoria del sistema
Las placas tienen cuatro zócalos DIMM y admiten las siguientes características de memoria:

  • DDR SDRAM DIMM 2.6V (solamente) con contactos revestidos de oro
  • DIMM sin buffer de una o dos caras, con la restricción siguiente: no se admiten los DIMMs de dos caras con organización x16.
  • Memoria de sistema total máxima de 4 GB
  • Memoria total del sistema mínima: 128 MB
  • DIMM que no son ECC
  • Detección de presencia serie
  • DIMM SDRAM DDR de 400 MHz y DDR de 333 MHz
Notas
  • Extraiga la tarjeta de video PCI Express* x16 antes de instalar o actualizar la memoria a fin de evitar la interferencia con el mecanismo de retención de memoria.
  • Para que sea totalmente compatible con todas las especificaciones de memoria DDR SDRAM aplicable, la placa debe tener DIMM compatible con la Detección de presencia serie (SPD) estructura de los datos. Esto permite que el BIOS lea los datos de SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria con el fin de obtener un rendimiento óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero el desempeño y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencias.

Combinaciones compatibles de frecuencia de bus de sistema y velocidad de memoria

Para utilizar este tipo de DIMM: La frecuencia del bus de sistema del procesador debe ser:
DDR400 800 MHz
DDR333(Nota) 800 o 533 MHz


Nota Cuando se utiliza un procesador con una frecuencia de bus del sistema de 800 MHz, la memoria DDR 333 se cronometra a 320 MHz. Esto minimiza las latencias del sistema con el fin de optimizar el rendimiento.

Configuraciones de memoria compatibles

Capacidad de DIMM Configuración Densidad de SDRAM Organización de la SDRAM
lado frontal/lado posterior
Número de
Dispositivos de SDRAM
128 MB SS 256 Mbit 16 M x 16/empty 4
256 MB SS 256 Mbit 32 M x 8/vacío 8
256 MB SS 512 Mbits 32 M x 16/empty 4
512 MB DS 256 Mbit 32 M x 8/32 M x 8 16
512 MB SS 512 Mbits 64 M x 8/vacío 8
512 MB SS 1 Gbit 64 M x 16/empty 4
1024 MB DS 512 Mbits 64 M x 8/64 M x 8 16
1024 MB SS 1 Gbit 128 M x 8/vacío 8
2048 MB DS 1 Gbit 128 M x 8/128 M x 8 16


Nota En la segunda columna, "DS" es la sigla de módulos de memoria de dos caras (dos filas de SDRAM) y "SS" es la sigla de módulos de memoria de una cara (una fila de SDRAM).

Memoria probada

terceros memoria probada *
terceros se efectúan a solicitud de los proveedores de memoria y se llevan a cabo en una institución de memoria independiente que no pertenece a Intel. Memoria probada es por computadora laboratorios de prueba de memoria* (CMTL).

Memoria probada por el proveedor
Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Memorias mencionadas aquí se ha probado ya sea por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Dichos números de pieza podrían no estar disponibles durante el ciclo de vida útil del producto.

La tabla a continuación presenta una lista de las partes que han aprobado las pruebas efectuadas por el programa de Comprobación automática de Intel Intel® placa madre D915GAV para PC de escritorio.

Proveedor del módulo
Número de pieza del módulo
Tamaño del módulo
(MB)
Velocidad del módulo
(MHz)
Latencia
(CL-tRCD-tRP)
con ECC o
Sin ECC?
DIMM
Organización
Módulo
Código de fecha
Componente Utilizado
Número de pieza del componente
A-data*
MDOEL6F3G31Y0D1E0Z
256 MB 400 4-3-4 No ECC SSx8 0527 Elpida*
DDR-DD2508ARTA
A-data
MDOHY6F3G3X10BZE0Z
256 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 510A Hynix*
DDR-HY5DU56822DT-d43
Infineon Technologies*
HYS64D128320HU-5-B
1 GB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0445 Infineon Technologies
HYB25D512800BE-5
Infineon Technologies
HYS64D64320HU-5-C
512 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0436 Infineon Technologies
HYB25D512800CE-5
Infineon Technologies
HYS64D32300HU-5-C
256 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0432 Infineon Technologies
HYB25D512800CE-5
Kingston Technology*
KVR400X64C3A/1G
1 GB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0518 Infineon
HYB25D512800BE-5
Kingston Technology
KVR400X64C3A/1G
1 GB 400 3-3-3 No ECC DSx8 449 Samsung*
K4H510838B-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0518 Micron*
MT46V64M8-5B
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0000 Samsung*
K4H560838F-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/256
256 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0000 Promos*
V58C2256804SCT5B
Micron*
MT16VDDT12864AY-40BD3
1024 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0528 Micron
MT46V64M8P
Micron
MT16VDDF6464AY-40BG1
512 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0540 Micron
MT46V32M8BG
Micron
MT8VDDT6464AG-40BD1
512 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0534 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG6
512 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0536 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AY-40BG6
512 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0534 Micron
MT46V32M8P
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG4
512 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0508 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG5
512 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0535 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG-40BD3
512 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0523 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AY-40BD3
512 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0534 Micron
MT46V64M8P
Micron
MT8VDDT3264AG-40BG6
256 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0536 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG-40BG5
256 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0533 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDF3264AY-40BG1
256 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0540 Micron
MT46V32M8BG
Samsung*
M368L2923DUN-CCC
1 GB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0540 Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M368L2923CUN-CCC
1 GB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0509 Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
M368L6523DUD-CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0549 Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
M368L6423ETN-CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0509 Samsung
K4H560838E-TCCC
Samsung
M368L6423FTN-CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC DSx8 0506 Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
M368L6523CUS-CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0503 Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
M368L3223FTN-CCC
256 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0506 Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
M368L3324CUS-CCC
256 MB 400 3-3-3 No ECC SSx16 0506 Samsung
K4H511638C-UCCC
Samsung
M368L3223ETN-CCC
256 MB 400 3-3-3 No ECC SSx8 0506 Samsung
K4H560838E-TCCC
Infineon Technologies
HYS64D128320HU-6-B
1 GB 333 3-2-3 No ECC DSx8 0434 Infineon Technologies
HYB25D512800BE-6
Infineon Technologies
HYS64D64320HU-6-C
512 MB 333 3-2-3 No ECC DSx8 0436 Infineon Technologies
HYB25D512800CE-6
Infineon Technologies
HYS64D32300HU-6-C
256 MB 333 3-2-3 No ECC SSx8 0436 Infineon Technologies
HYB25D512800CE-6
Micron
MT16VDDT12864AG-335D1
1024 MB 333 3-2-3 No ECC DSx8 0537 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG-335D3
512 MB 333 3-2-3 No ECC SSx8 0513 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG-335D2
512 MB 333 3-2-3 No ECC SSx8 0505 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG-335D1
512 MB 333 3-2-3 No ECC SSx8 0450 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG-335G4
512 MB 333 3-2-3 No ECC DSx8 0408 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG-33G4
256 MB 333 3-2-3 No ECC SSx8 0540 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG-335G4
256 MB 333 3-2-3 No ECC SSx8 0450 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG-335G6
256 MB 333 3-2-3 No ECC SSx8 0513 Micron
MT46V32M8TG
Samsung
M368L5623MTN-CB3
2 GB 333 3-2-3 No ECC DSx8 0508 Samsung
K4H1G0838M-TCB3

Esto se aplica a:
Intel® Desktop Board D915GAV

 

ID de solución: CS-027070
Fecha de creación: 13-jun-2007
Última modificación: 07-feb-2012
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