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Desktop Board Intel® D915GAG
Memoria del sistema

Características de la memoria del sistema
Las placas tiene cuatro zócalos DIMM y es compatible con las características siguientes de la memoria:

  • revestidos de 2,6 V (únicamente) con el oro Contactos DIMMs DDR SDRAM
  • Sin buffer, DIMMs de una cara o dos caras, con la restricción siguiente: no se admiten los DIMMs de dos caras con organización x16
  • 4 GB de memoria máxima total de sistema
  • Memoria total del sistema mínima: 128 MB
  • Non-DIMMs ECC
  • Detección de presencia serie
  • DDR de 400 MHz y 333 MHz SDRAM DDR DIMMs
Notas
  • Extraiga la tarjeta de video PCI Express* x16 antes de instalar o actualizar la memoria a fin de evitar la interferencia con el mecanismo de retención de memoria.
  • Para que sea completamente compatible con todas las especificaciones aplicables de la memoria DDR SDRAM, la placa debe tener módulos DIMM que sean compatibles con la Detección de presencia serie (SPD) estructura de datos. Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un desempeño óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el BIOS intenta configurar correctamente las opciones de memoria, pero el desempeño y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia designada.

Combinaciones compatibles de frecuencia de bus de sistema y velocidad de memoria

Para utilizar este tipo de DIMM: La frecuencia del bus del sistema del procesador debe ser:
DDR400 800 MHz
DDR333 (Nota) 800 o 533 MHz
Nota Cuando se utiliza un procesador con frecuencia de bus de sistema de 800 MHz, la memoria DDR 333 se sincroniza a 320 MHz. Esto minimiza las latencias de sistema para optimizar el desempeño del sistema.

Configuraciones de memoria compatibles

DIMM capacidad Configuración Densidad SDRAM Organización SDRAM
, Lado frontal/lado posterior
Número de
Dispositivos SDRAM
128 MB SS 256 Mbit 16 M x 16/vacío 4
256 MB SS 256 Mbit 32 M x 8/vacío 8
256 MB SS 512 Mbit 32 M x 16/vacío 4
512 MB DS 256 Mbit 32 M x 8/32 M x 8 16
512 MB SS 512 Mbit 64 M x 8/vacío 8
512 MB SS 1 Gbit 64 M x 16/vacío 4
1024 MB DS 512 Mbit 64 M x 8/64 M x 8 16
1024 MB SS 1 Gbit 128 M x 8/vacío 8
2048 MB DS 1 Gbit 128 M x 8/128 M x 8 16
Nota En la segunda columna, "DS" significa módulos de memoria de dos caras (dos filas de SDRAM) y "SS" significa módulos de memoria de una cara (una fila de SDRAM).

Memoria probada

Memoria probada de terceros*


Probado en memoria de terceros se efectúan a solicitud de los proveedores de memorias. Memoria se llevan a cabo en una institución de memoria independiente que no forma parte de Intel. Memoria probada por computadora Memory Test Labs (CMTL).

Memoria probada por el proveedor
Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Las memorias mencionadas aquí se llevan ya sea por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Dichos números de pieza podrían no estar disponibles durante el ciclo de vida útil del producto.

La tabla a continuación incluye partes que han aprobado las pruebas efectuadas por el programa de Comprobación automática de Intel la Desktop Board Intel® D915GAG.

Proveedor del módulo
Número de pieza del módulo
Tamaño de módulo
(MB)
Velocidad de módulo
(MHz)
Latencia
CL-tRCD-tRP)
Con ECC o
Sin ECC?
DIMM
Organización
Módulo
Código de fecha
Componente utilizado
Número de pieza del componente
A- DATA*
MDOEL6F3G31Y0D1E0Z
256 MB 400 Instalada con tres o cuatro años -4 No ECC Ssx8 0527 Elpida*
DDR- DD2508ARTA
A-DATA
MDOHY6F3G3X10BZE0Z
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 510A Hynix*
DDR- HY5DU56822DT -D43
Infineon Technologies*
HYS64D128320HU -5-B
1 GB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0445 Infineon Technologies
HYB25D512800BE -5
Infineon Technologies
HYS64D64320HU -5-C
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0436 Infineon Technologies
HYB25D512800CE -5
Infineon Technologies
HYS64D32300HU -5-C
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0432 Infineon Technologies
HYB25D512800CE -5
* Tecnología de Kingston
KVR400X64C3A /1G KVR
1 GB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0518 Infineon
HYB25D512800BE -5
Kingston Technology
KVR400X64C3A /1G KVR
1 GB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 449 Samsung*
K4H510838B - TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A /512
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0518 Micron*
MT46V64M8 -5B
Kingston Technology
KVR400X64C3A /512
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0000 Samsung
K4H560838F - TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A /256
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0000 Promociones*
V58C2256804SCT5B
Micron*
MT16VDDT12864AY -40DB3
1024 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0528 Micron
MT46V64M8P
Micron
MT16VDDF6464AY -40BG1 de VDDF
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0540 Micron
MT46V32M8BG
Micron
MT8VDDT6464AG -40BD1
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0534 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG -40BG6
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0536 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AY -40BG6
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0534 Micron
MT46V32M8P
Micron
MT16VDDT6464AG -40BG4
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0508 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG -40BG5
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0535 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG -40DB3
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0523 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AY -40DB3
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0534 Micron
MT46V64M8P
Micron
MT8VDDT3264AG -40BG6
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0536 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG -40BG5
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0533 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDF3264AY -40BG1
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0540 Micron
MT46V32M8BG
Samsung*
M368L2923DUN -CCC
1 GB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0540 Samsung
K4H510838D - UCCC
Samsung
M368L2923CUN -CCC
1 GB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0509 Samsung
K4H510838C - UCCC
Samsung
M368L6523DUD -CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0549 Samsung
K4H510838D - UCCC
Samsung
M368L6423ETN -CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0509 Samsung
K4H560838E - TCCC
Samsung
M368L6423FTN -CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC Dsx8 0506 Samsung
K4H560838F - TCCC
Samsung
M368L6523CUS -CCC
512 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0503 Samsung
K4H510838C - UCCC
Samsung
M368L3223FTN -CCC
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0506 Samsung
K4H560838F - TCCC
Samsung
M368L3324CUS -CCC
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx16 0506 Samsung
K4H511638C - UCCC
Samsung
M368L3223ETN -CCC
256 MB 400 3-3-3 No ECC Ssx8 0506 Samsung
K4H560838E - TCCC
Infineon Technologies
HYS64D128320HU -6-B
1 GB 333 2.5 -3-3 No ECC Dsx8 0434 Infineon Technologies
HYB25D512800BE -6
Infineon Technologies
HYS64D64320HU -6-C
512 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Dsx8 0436 Infineon Technologies
HYB25D512800CE -6
Infineon Technologies
HYS64D32300HU -6-C
256 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Ssx8 0436 Infineon Technologies
HYB25D512800CE -6
Micron
D1 de ingresos MT16VDDT12864AG VDDT
1024 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Dsx8 0537 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG ingresos D3
512 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Ssx8 0513 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG ingresos D2
512 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Ssx8 0505 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG ingresos D1 de MT
512 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Ssx8 0450 Micron
MT46V64M8TG
Micron
G4 de ingresos MT16VDDT6464AG VDDT
512 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Dsx8 0408 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG -33G4
256 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Ssx8 0540 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG ingresos G4
256 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Ssx8 0450 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG ingresos G6
256 MB 333 2.5 -3-3 No ECC Ssx8 0513 Micron
MT46V32M8TG
Samsung
M368L5623MTN -CB3
2 GB 333 2.5 -3-3 No ECC Dsx8 0508 Samsung
K4H1G0838M - TCB3

Esto se aplica a:

Desktop Board Intel® D915GAG

 

ID de solución: CS CS-027104
Última modificación: 07 de febrero de 2012
Fecha de creación: 14 de junio de 2007
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