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Características de la memoria del sistema
La placa tiene cuatro FB-zócalos DIMM y es compatible con las características siguientes de la memoria:
- 1,5 V con la opción para plantear voltaje para admitir un mayor rendimiento SDRAM DDR2 FBDIMM
- con búfer completo con una o dos caras fbdimms con la restricción siguiente: dos caras con organización x16 fbdimms no son compatibles.
- 16 GB de memoria total del sistema máxima:
- Memoria total del sistema mínima: 512 MB
- Detección de presencia serie
- DIMM SDRAM DDR2 800, DDR2 667 y DDR2 533 MHz
| Nota |
Para que sea completamente compatible con todas las especificaciones de memoria SDRAM Intel®, la placa debe llenarse con FBDIMM que son compatibles con la estructura de datos de Detección de presencia serie (SPD). Si los módulos de memoria no admiten SPD, verá una notificación al respecto en la pantalla durante el encendido. El BIOS intentará configurar en controlador de memoria para el funcionamiento normal. | |
Un DIMM ventilador de enfriamiento se recomienda su uso en Intel® Desktop Board D5400XS. Un DIMM ventilador de enfriamiento no está incluido y se debe adquirir por separado.
Reglas de ocupación memoria:
Consulte la etiqueta de configuración para ver cuál de los DIMM corresponde a rama y los canales que se indican a continuación:
| Zócalo de memoria ubicación |
Asignación |
| Un DIMM |
Memoria bifurcación 0 Channel 0 |
| DIMM B |
Memoria bifurcación 0 canal 1 |
| DIMM C |
Memoria sucursal 1 Channel 0 |
| DIMM D |
Memoria sucursal 1 canal 1 | |
- Reglas de ocupación DIMM se rige por el chipset. El MCH proporciona cuatro canales de memoria DIMM con búfer completo (FBD) en 2 sucursales. Canales de una rama comparten los identificadores de dispositivos y los registros de control.
- Dentro de una sucursal, ambos canales debe tener DIMM idénticos (velocidad, el tamaño, temporizaciones) o sólo el primer canal se visualizará.
- 3 DIMM población no es compatible. Sólo la(s) DIMM en rama 1 se visualizará.
- Usando todos DIMM idénticos se prefiere.
Importantes consideraciones sobre la velocidad de la memoria y del bus de sistema Esta placa admite dos velocidades del bus de sistema y tres velocidades de memoria. Es importante entender que no todas las velocidades de memoria del sistema son compatibles con todas las velocidades del bus de sistema. En la tabla a continuación, se encuentra una lista de las velocidades del bus de sistema disponibles y capacidades de las velocidades de la memoria.
| Velocidad del bus procesador |
Velocidad de la memoria instalada |
Se informa velocidad de memoria |
| 1600 MHz |
800 MHz |
800 MHz |
| 1600 MHz |
667 MHz |
640 MHz |
| 1333 MHz |
800 MHz |
667 MHz |
| 1333 MHz |
667 MHz |
667 MHz |
| 1333 MHz |
533 MHz |
533 MHz | |
Configuraciones DIMM compatibles
| Capacidad de DIMM |
Configuración (Nota 1) |
Densidad de SDRAM |
Organización de la SDRAM lado frontal/lado posterior |
Número de dispositivos SDRAM (Nota 2) |
| 512 MB |
SS |
512 Mbits |
64 M x 8 / vacío |
8 [9] |
| 512 MB |
SS |
1 Gbit |
64 M x 16 / vacío |
4 [5] |
| 1 GB |
DS |
512 Mbits |
64 M x 8 / 64 M x 8 |
16 [18] |
| 1 GB |
SS |
1 Gbit |
128 M x 8 / vacío |
8 [9] |
| 2 GB |
DS |
1 Gbit |
128 M x 8 / 128 M x 8 |
16 [18] |
| 4 GB |
DS |
1 Gbit |
256 M x 4 |
36 [40] |
| 4 GB |
SS |
2 Gbit |
512 M x 4 |
16 [18] | |
| Nota |
- En la segunda columna, "DS" se refiere a módulos de memoria de dos caras (que contienen dos filas de SDRAM)
y "SS" se refiere a módulos de memoria de una cara (que contienen una fila de SDRAM).
- En la quinta columna, el número que aparece entre paréntesis indica el número de dispositivos SDRAM en un DIMM ECC.
| | Memoria probada
Las pruebas de memoria de terceros* Las pruebas de memoria de terceros se efectúan a solicitud de los proveedores de memoria y se llevan a cabo en una institución de memoria independiente que no forma parte de Intel - computadora Memory Test Labs (CMTL).
Memoria probada por el proveedor Intel ofrece a los proveedores de memoria que participan en este programa un plan de prueba de memoria común que pueden utilizar como verificación básica de la estabilidad de la memoria. Las memorias mencionadas aquí han sido probadas ya sea por el proveedor de memoria o por Intel a través de dicho plan de prueba. Es posible que estos números de parte no estén disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.
La tabla a continuación presenta una lista de las partes que han aprobado las pruebas efectuadas por el programa de Comprobación automática de Intel para Desktop Board Intel® D5400XS.
| Proveedor o número de pieza del módulo |
Tamaño del módulo |
Velocidad del módulo |
Con ECC o sin ECC |
Organización de DIMM |
| Hynix* HYMP351F72AMP4N3-Y5 |
4 GB |
667 |
ECC |
(256Mx4) x 36 |
| Hynix HYMP512F72CP8D3-Y5 |
1 GB |
667 |
ECC |
(64Mx8) x 18 |
| Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 |
2 GB |
667 |
ECC |
(128Mx4) x 36 |
| Hynix HYMP525F72CP4N3-Y5 |
2 GB |
667 |
ECC |
(128Mx4) x 36 |
| Hynix HYMP512F72CP8N3-Y5 |
1 GB |
667 |
ECC |
(64Mx8) x 18 |
| Kingston* KHX6400F2LLk2/2G |
2 GB |
800 |
ECC |
(128Mx4) x 36 |
| Micron* MT18HTF12872FDY-667D6E4 |
1 GB |
667 |
ECC |
(64Mx8) x 18 |
| Micron MT18HTF25672FY-667E1E4 |
2 GB |
667 |
ECC |
(256Mx4) x 18 |
| Micron MT36HTF51272FY-667E1D4 |
4 GB |
667 |
ECC |
(256Mx4) x 36 |
| Micron MT36HTF51272FY-667E1N6 |
4 GB |
667 |
ECC |
(256Mx4) x 36 |
| Micron MT9HTF12872FY-667E1D4 |
1 GB |
667 |
ECC |
(128Mx8) x 9 |
| Micron MT9HTF12872FY-667E1N6 |
1 GB |
667 |
ECC |
(128Mx8) x 9 |
| Micron MT9HTF6472FY-667D5E4 |
512 MB |
667 |
ECC |
(64Mx8) x 9 |
| Micron MT9HTF6472FY-667D5D4 |
512 MB |
667 |
ECC |
(64Mx8) x 9 |
| Qimonda* HYS72T64400HFN-3S-B |
512 MB |
667 |
ECC |
(64Mx8) x 9 |
| Samsung* M395T5160CZ4-ce66 |
4 GB |
667 |
ECC |
(256Mx4) x 36 |
| Samsung M395T5750EZ4-ce65 |
2 GB |
667 |
ECC |
(128Mx4) x 36 |
| Samsung M395T5750EZ4-ce66 |
2 GB |
667 |
ECC |
(128Mx4) x 36 |
| Samsung M395T6553EZ4-ce66 |
512 MB |
667 |
ECC |
(64Mx8) x 9 |
| Samsung M395T2953EZ4-ce65 |
1 GB |
667 |
ECC |
(64Mx8) x 18 | |
Esto se aplica a:
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