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Contenido:
Características de la memoria del sistema
Las configuraciones de memoria compatibles
Memoria probada
Características de la memoria del sistema
La placa tiene dos 204 pines DDR3 SO-DIMM sockets y es compatible con las características siguientes de la memoria:
- SDRAM DDR3 SO-DIMM con contactos revestidos de oro
- Sin buffer, DIMMs de una cara o dos caras
- 4 GB de memoria máxima total de sistema
- Memoria total del sistema mínima: 256 MB
- DIMM que no son ECC
- Detección de presencia serie
- DDR3 1066 MHz, DDR3 1333 MHz, DDR3 1600 MHz SO-DIMMs (DDR3 1333 MHz y memoria de 1600 MHz DDR3 se ejecuta a 1066 MHz)
Debido a las limitaciones térmicas pasivamente-enfriado, la memoria del sistema debe tener una clasificación de temperatura de funcionamiento de 85 °C. La placa está diseñada para ser refrigerado pasivamente en un chasis correctamente una ventilaci n apropiada. Ubicaciones de la ventilación del chasis se recomiendan por encima de la área de la memoria del sistema para la eficacia máxima disipación de calor.
Si sólo está instalando un SO-DIMM, debe estar instalado en el zócalo inferior (SO-DIMM 1).
Para que sea completamente compatible con todas las especificaciones de memoria DDR3 SDRAM aplicable, la placa debe llenarse con SO-DIMM que sean compatibles con la Detección de presencia serie (SPD) estructura de datos. Esto permite que el BIOS lea los datos SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria para obtener un desempeño óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el desempeño y la fiabilidad pueden verse afectados o los DIMM podrían funcionar por debajo de la frecuencia determinada.
Las configuraciones de memoria compatibles
Las configuraciones de la memoria del sistema se basan en la disponibilidad y están sujetos a cambio.
| Versión de tarjeta sin procesar |
SO-DIMM capacidad |
Dispositivo de Tecnología DRAM |
DRAM Organización |
Cantidad de dispositivos DRAM |
| B |
1 GB |
1 Gb |
128 M x 8 |
8 |
| 2 GB |
2 Gb |
256 M x 8 |
8 |
| F |
2 GB |
1 Gb |
128 M x 8 |
16 |
| 4 GB 1 |
2 Gb |
256 M x 8 |
16 | |
1La asistencia para un 4 GB SO-DIMM instalado en la ranura 1. Ranura 0 debe estar vacíos.
Memoria probada
Memoria probada por de terceros
* Computadora Memory Test Labs (CMTL) pruebas memoria de terceros para garantizar la compatibilidad con las placas de Intel como solicitadas por los fabricantes de memoria. Consulte la lista de memorias probadas CMTL * para la Desktop Board Intel® D2700MUD.
La tabla a continuación presenta una lista de las partes que aprobaron TOTALMENTE las pruebas durante el proceso de desarrollo. Es posible que estos números de parte no estén disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.
| Fabricante de módulo |
Número de pieza de módulo |
Tamaño de módulo |
Velocidad de módulo |
Con ECC o sin ECC |
Fabricante de componentes |
Número de pieza del componente |
| ELPIDA * |
EBJ21UE8BAU0-AE-E |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
ELPIDA |
EBJ21UE8BAU0-AE-E |
| EBJ21UE8BAU0-DJ-E |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
ELPIDA |
EBJ21UE8BAU0-DJ-E |
| Hynix * |
HMT 125 TGF8S6C-G7N0 |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT 125 TGF8S6C-G7N0 |
| HMT 125 BFR8C-S6H9N0 |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT 125 BFR8C-S6H9N0 |
| Micron * |
MT8JSF12864HZ-1G4F1 |
1 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Micras |
MT8JSF12864HZ-1G4F1 |
| MT1625664HY-1G1D1 de JSF |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Micras |
MT1625664HY-1G1D1 de JSF |
| MT8J25664HZ-1G4D1 |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Micras |
MT8J25664HZ-1G4D1 |
| Samsung * |
M471B2873FHS-CF8 |
1 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Samsung |
M471B2873FHS-CF8 |
| M471B2873EH1-CH9 |
1 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Samsung |
M471B2873EH1-CH9 |
| M471B5673EH1-CF8 |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Samsung |
M471B5673EH1-CF8 |
| M471B5773CHS-CH9 |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Samsung |
M471B5773CHS-CH9 | |
Esto se aplica a:
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