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Características de la memoria del sistema
Configuraciones de memoria compatibles
Memoria probada
Características de la memoria del sistema
La placa tiene dos 204 pines DDR3 SO-zócalos DIMM y es compatible con las características siguientes de la memoria:
- SDRAM DDR3 SO-DIMM con contactos revestidos de oro
- DIMM sin buffer de una o dos caras
- Memoria de sistema total máxima de 4 GB
- Memoria total del sistema mínima: 256 MB
- DIMM que no son ECC
- Detección de presencia serie
- Memoria DDR3 de 1066 MHz, DDR3 de 1333 MHz, DDR3 de 1600 MHz SO-DIMM (DDR3 de 1333 MHz y memoria DDR3 de 1600 MHz se ejecuta a 1066 MHz)
Debido pasivamente refrigerados por limitaciones térmicas, la memoria del sistema debe tener una temperatura de funcionamiento de 85°C. La placa está diseñada para ser con enfriamiento pasivo en una planta adecuadamente muy buena ventilación chasis. Chasis ventilación ubicaciones recomendada anteriormente la memoria del sistema área para máximo disipación del calor efectividad.
Si está instalando solamente un SO-DIMM, debe ser instalado en la parte inferior zócalo (SO-DIMM 1).
Para que sea completamente compatible con todas las especificaciones de memoria DDR3 SDRAM, la placa debe llenarse con SO-DIMM que sean compatibles con la Detección de presencia serie (SPD) estructura de los datos. Esto permite que el BIOS lea los datos de SPD y programe el chipset para establecer de manera exacta las configuraciones de memoria con el fin de obtener un rendimiento óptimo. Si se instala memoria que no es SPD, el rendimiento y la fiabilidad pueden verse afectados o los SODIMMs podrían funcionar por debajo de la frecuencia determinada.
Configuraciones de memoria compatibles
Sistema configuraciones de memoria están basadas en la disponibilidad y están sujetos a cambio.
| Tarjeta sin procesar versión |
Capacidad SO-DIMM |
Tecnología del dispositivo DRAM |
Organización DRAM |
Cantidad de dispositivos DRAM |
| B |
1 GB |
1 Gb |
128 M x 8 |
8 |
| 2 GB |
2 Gb |
256 M x 8 |
8 |
| F |
2 GB |
1 Gb |
128 M x 8 |
16 |
| 4 GB 1 |
2 Gb |
256 M x 8 |
16 | |
1Compatibilidad con una 4 GB SO-DIMM instala en la ranura 1. Ranura 0 debe dejar en blanco.
Memoria probada Memoria probada de terceros
Computadora laboratorios de prueba de memoria* (CMTL) pruebas memoria terceros para determinar la compatibilidad con placas Intel a solicitud de los fabricantes memoria. Consulte la CMTL lista de memoria probada * para el Intel® Desktop Board D2700DC.
La tabla a continuación presenta una lista de las partes que han aprobado las pruebas durante el proceso de desarrollo. Es posible que estos números de parte no estén disponibles durante el transcurso de la vida útil del producto.
| Fabricante del módulo |
Número de pieza del módulo |
Tamaño del módulo |
Velocidad del módulo |
con ECC o sin ECC |
Fabricante del componente |
Número de pieza componente |
| ELPIDA* |
EBJ21UE8BAU0-AE-E |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
ELPIDA |
EBJ21UE8BAU0-AE-E |
| EBJ21UE8BAU0-DJ-E |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
ELPIDA |
EBJ21UE8BAU0-DJ-E |
| Hynix* |
HMT125S6TFR8C-G7N0 |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT125S6TFR8C-G7N0 |
| HMT125S6BFR8C-H9N0 |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Hynix |
HMT125S6BFR8C-H9N0 |
| Micron* |
MT8JSF12864HZ-1G4F1 |
1 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Micron |
MT8JSF12864HZ-1G4F1 |
| MT16JSF25664HY-1G1D1 |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Micron |
MT16JSF25664HY-1G1D1 |
| MT8J25664HZ-1G4D1 |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Micron |
MT8J25664HZ-1G4D1 |
| Samsung* |
M471B2873FHS-cf8 |
1 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Samsung |
M471B2873FHS-cf8 |
| M471B2873EH1-CH9 |
1 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Samsung |
M471B2873EH1-CH9 |
| M471B5673EH1-cf8 |
2 GB |
1066 MHz |
No ECC |
Samsung |
M471B5673EH1-cf8 |
| M471B5773CHS-CH9 |
2 GB |
1333 MHz |
No ECC |
Samsung |
M471B5773CHS-CH9 | |
Esto se aplica a:
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