Информация на англ. языке
Desktop Boards
Системная плата Intel® D945GSEJT для настольных ПК
системной памяти

системной памяти характеристики
Плата имеет один разъем для модулей памяти DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:

  • Один 240-контактный разъем для модуля SO-DIMM
  • (Только 1,8 В) Дважды модули памяти SO-DIMM типа DDR2 с позолоченными контактами Контакты
  • Максимальный объем системной памяти до 2 ГБ
  • Минимальный общий объем системной памяти: 512 МБ
  • Память без кода коррекции ошибок модулей DIMM
  • Только модули с микросхемой SPD (Serial Presence Detect)
  • DDR2 800, DDR2 667 или DDR2 533 МГц SDRAM SO-DIMM
    • модули DDR2 800 и DDR2 667 работают только с частотой 533 МГц

Чтобы обеспечить полную совместимость со всеми допустимыми модулями памяти DDR SDRAM спецификации, еа системную плату должны устанавливаться модули памяти, поддержка структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем на точное конфигурирование установок памяти для достижения оптимальной производительность. В случае установки модулей памяти без микросхемы SPD BIOS попытается правильно сконфигурировать настройки памяти, но производительность и надежность может повлиять или привести к тому, что модули DIMM не будут функционировать на предписанной частоте.

Вне зависимости от используемого модуля DIMM частота системной памяти равна или меньше процессор частоты системной шины. Например, если использовать модули памяти DDR2 667, память будет работать на частоте 533 МГц.

К началу страницы back to top

Поддерживаемые конфигурации модулей DIMM

Емкость модуля SO-DIMM Конфигурация Плотность SDRAM Организация памяти SDRAM Front-side/Back-side Количество устройств SDRAM
256 МБ SS 256 Мбит 32 МБ x 8/пусто 8
256 МБ SS 512-Mбит 32 M x 16/пусто 4
512 МБ DS 256 Мбит 32 РњР' x8/32 РњР' x 8 16
512 МБ SS 512-Mбит 64 МБ x 8/пусто 8
512 МБ SS 1 Гбит 64 М x 16/пусто 4
1024 МБ DS 512-Mбит 64 М x длинное "слово" кода M x 8 16
1024 МБ SS 1 Гбит 128 МБ x 8/пусто 8
2048 МБ DS 1 Гбит 128 МБ x 8/128 M x 8 16

“DS” означает двусторонние модули памяти (содержащие устройства SDRAM на обеих сторонах), а “SS”-- односторонние модули памяти (содержащие устройства SDRAM на одной стороне).

К началу страницы back to top

Протестированные модули памяти

Протестированные модули памяти сторонних производителей*

Тестирование моделей памяти сторонними производителями осуществляется по заказу поставщиков моделей памяти и проводится в независимой лаборатории, которая не имеет отношения к корпорации Intel-компьютер Memory Test Labs (CMTL).

Тестирование модулей памяти
Корпорация Intel предоставляет производителям устройств памяти стандартный план проверки, который необходимо использовать для тестирования надежности продукции. Представленные в списке устройства памяти были протестированы производителем или корпорацией Intel на основании данного плана тестирования. Номера деталей могут быть недоступными в течение эксплуатационного цикла цикла продукции.

В таблице далее представлены компоненты, прошедшие тестирование на основании программы самотестирования Intel для Системная плата Intel® D945GSEJT для настольных ПК.

Поставщик модуля/Номер детали модуля

Размер модуля

Тактовая частота модуля (МГц)

С кодом коррекции ошибок или без него?

Каньон*hymp112s64cp6

1 ГБ

800

Без кода коррекции ошибок (Non-

Каньон hymp125s64cp8-Y5

2 ГБ

667

Без кода коррекции ошибок (Non-

Micron*mt8htf12864hdy-667e1

1 ГБ

667

Без кода коррекции ошибок (Non-

-микронной производственной технологии mt16htf12864hy-53ED3 1 ГБ 533 Без кода коррекции ошибок (Non-
Nanya*nt512t64uh8b0fn-3C 512 МБ 667 Без кода коррекции ошибок (Non-
Samsung*m470t2953cz3-cd5 1 ГБ 533 Без кода коррекции ошибок (Non-
Samsung m470t2953ez3-ce6 1 ГБ 667 Без кода коррекции ошибок (Non-
SanMax*смд-n1g88hp-8E 1 ГБ 800 Без кода коррекции ошибок (Non-
Unifosa*gu331g0ajepn6e2l4gg 1 ГБ 667 Без кода коррекции ошибок (Non-

Применимо для:
Системная плата Intel® D945GSEJT для настольных ПК

ID решения: CS-030299
Дата создания: 09 марта 2009 г.
Дата последнего изменения: 14 ноября 2011
к началу страницы