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Atualizado em: 26.06.07
Recursos de memória de sistema A placa tem dois soquetes DIMM e suporta os seguintes recursos de memória:
- DIMMs SDRAM DDR2 de 1,8 V (apenas) com contatos folheados a ouro
- Sem buffer, DIMMs de face única ou de dupla face com a seguinte restrição: Os DIMMs de lado duplo com organização de x16 não são suportados
- Memória total máxima do sistema 2 GB
- Mínimo de memória de sistema: 128 MB
- DIMM não ECC
- Detecção de presença serial
- DIMMs SDRAM DDR2 667, DDR2 533 ou DDR2 400 MHz
| Notas |
- Remova a placa de vídeo PCI Express x16 antes da instalação ou do upgrade da memória para evitar a interferência com o mecanismo de retenção da memória.
- Independente do tipo de DIMM usado, a freqüência da memória será igual ou menor que a freqüência de barramento de sistema do processador. Por exemplo, se for usada a memória DDR2 533 com o processador de freqüência de barramento de 800 MHz, a memória operará a 533 MHz.
- Para ser completamente compatível com todas as especificações aplicáveis de memória SDRAM Intel®, a placa deve receber DIMMs que suportam a estrutura de dados SPD (Serial Presence Detect). Se os seus módulos de memória não suportarem SPD, aparecerá uma notificação na tela quando o sistema for ligado. O BIOS tentará configurar a controladora de memória para a operação normal.
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Configurações de DIMM suportadas A tabela a seguir mostra as configurações suportadas de DIMM.
| Capacidade de DIMM |
Configuração |
Densidade da SDRAM |
Organização frontal/traseira da SDRAM |
Número de dispositivos SDRAM |
| 128 MB |
SS |
256 Mbits |
16 M x 16/vazio 4 |
4 |
| 256 MB |
SS |
256 Mbits |
32 M x 8/vazio 8 |
8 |
| 256 MB |
SS |
512 Mbits |
32 M x 16/vazio 4 |
4 |
| SDRAM de 512 MB |
DS |
256 Mbits |
32 M x 8/32 M x 8 16 |
16 |
| SDRAM de 512 MB |
SS |
512 Mbits |
64 M x 8/vazio 8 |
8 |
| SDRAM de 512 MB |
SS |
1 Gbit |
64 M x 16/vazio 4 |
4 |
| 1024 MB |
DS |
512 Mbits |
64 M x 8/64 M x 16 |
16 |
| 1024 MB |
SS |
1 Gbit |
128 M x 8/vazio 8 |
8 | |
| Observação |
Na segunda coluna, "DS" refere-se aos módulos de memória de dupla face (contendo duas fileiras de SDRAM) e "SS" refere-se a módulos de memória de face única (contendo uma única fileira de SDRAM). | |
Memórias testadas
Memória testada pelo fornecedor A Intel fornece um plano de teste de memória comum aos fornecedores que participam deste programa para uso como uma verificação básica da estabilidade da memória. A memória aqui mostrada foi testada pelo fornecedor da mesma ou pela Intel com uso deste plano. Estes números de peças podem não estar prontamente disponíveis durante o ciclo de vida do produto.
A tabela abaixo mostra a lista de peças que passaram no teste executado usando o programa Self Test da Intel para a Desktop Board Intel D945GCNL.
| Fornecedor do módulo/Part number do módulo |
Tamanho do módulo |
Velocidade do módulo (MHz) |
Latência (CL-tRCD-tRP) |
ECC ou não-ECC |
DIMM Empresa |
Módulo Código de data |
Componente usado/Número de peça do componente |
| Corsair* VS256MB667D2 |
256 MB |
667 |
|
Não-ECC |
|
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| ELPIDA* EBE11UD8AEFA-6E-E |
1 GB |
667 |
5-5-5 |
Não-ECC |
DSX8 |
514 |
ELPIDA E5108AE-6E-E |
| Hynix* HYMP532U64CP6 |
256 MB |
667 |
5-5-5 |
Não-ECC |
SSX8 |
626 |
Hynix HY5PS121621CFP-Y5 |
| Hynix HYMP512U64CP8-Y5-AB |
1 GB |
667 |
5-5-5 |
Não-ECC |
DSX8 |
649 |
Hynix HY5PS12821CFP-Y5 |
| Hynix HYMP564U64BP8-S6 AB |
SDRAM de 512 MB |
667 |
|
Não-ECC |
|
|
|
| Hynix HYMP564U64P8-E3 |
SDRAM de 512 MB |
400 |
3-3-3 |
Não-ECC |
SSX8 |
505 |
Hynix HY5PS12821FP-E3 |
| Infineon* HYS64T32000HU-2.5-B |
256 MB |
800 |
6-6-6 |
Não-ECC |
|
|
|
| Infineon HYS64T32000HU-3S-B |
256 MB |
667 |
5-5-5 |
Não-ECC |
SSX16 |
540 |
QIMONDA* HYB18T512160BF-3S |
| Infineon HYS64T3200HU-3.7-A |
256 MB |
533 |
4-4-4 |
Não-ECC |
SSX16 |
526 |
Infineon HY18T512160AF-3.7 |
| Infineon HYS64T6400HU-2.5B |
SDRAM de 512 MB |
800 |
6-6-6 |
Não-ECC |
SSX8 |
646 |
QIMONDA HYB18T5128008F-25 |
| Kingston* KVR667D2N5 |
256 MB |
667 |
5-5-5 |
Não-ECC |
|
|
|
| Micron* MT4HTF3264AY-53EB1 |
256 MB |
533 |
4-4-4 |
Não-ECC |
SSX16 |
524 |
Micron MT47H32M16CC |
| Micron MT4HTF3264AY-800D3 |
256 MB |
800 |
6-6-6 |
Não-ECC |
SSX16 |
646 |
Micron MT47H32M16BN |
| Micron MT4HTF5264AY-667B2 |
256 MB |
667 |
|
Não-ECC |
|
|
|
| Micron MT16HTF12864AY-800D4 |
1 GB |
800 |
6-6-6 |
Não-ECC |
DSX16 |
651 |
Micron 6ND22 D9HCD |
| NANYA* NT1GT64U8HB0BY-25D |
1 GB |
800 |
6-6-6 |
Não-ECC |
DSX8 |
703 |
NANYA NTSTU66M88E-25D |
| NANYA NT512T64U88B0BY-25D |
SDRAM de 512 MB |
800 |
6-6-6 |
Não-ECC |
SSX8 |
626 |
NANYA NTSTU66M88E-25D |
| Patriot* PSD21G6672 |
1 GB |
667 |
5-5-5 |
Não-ECC |
DSX8 |
446 |
Micron MT47H64M8BT-3 |
| PSC* AL6E8E63B-8E1K |
SDRAM de 512 MB |
800 |
|
Não-ECC |
|
|
|
| RAMAXEL* RML1520HB38D6F-667 |
SDRAM de 512 MB |
667 |
|
Não-ECC |
|
|
|
| Samsung* KRM378T2953CZ0-CE6 |
1 GB |
667 |
5-5-5 |
Não-ECC |
DSX8 |
552 |
Samsung K4T51083QC |
| Samsung M378T6453FGO-CD5 |
SDRAM de 512 MB |
533 |
4-4-4 |
Não-ECC |
DSX8 |
422 |
Samsung K4T56083QF-GC05 |
| Samsung M378T6553CZ3-CF7 |
SDRAM de 512 MB |
800 |
6-6-6 |
Não-ECC |
SSX8 |
641 |
Samsung K4T51083QC-ZCF7 |
| SMART* TB4D2667C58D |
1 GB |
667 |
|
Não-ECC |
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|
| Super Talent* T800UB1GC4 |
1 GB |
800 |
|
Não-ECC |
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| | Isto se aplica a: |