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Recursos de memória de sistema A placa tem dois soquetes DIMM e suporta os seguintes recursos de memória:
- DIMMs SDRAM DDR2 de 1,8 V (apenas) com contatos folheados a ouro
- DIMMs sem buffer, de face única ou de dupla face com a seguinte restrição: Os DIMMs de lado duplo com organização de x16 não são suportados
- Memória total máxima do sistema 2 GB
- Mínimo de memória de sistema: 128 MB
- DIMM não ECC
- Detecção de presença serial
- DIMMs SDRAM DDR2 667, DDR2 533 ou DDR2 400 MHz
| Notas |
- Remova a placa de vídeo PCI Express x16 antes da instalação ou do upgrade da memória para evitar a interferência com o mecanismo de retenção da memória.
- Independentemente do tipo de DIMM usado, a frequência da memória será igual ou menor que a frequência de barramento de sistema do processador. Por exemplo, se for usada uma memória DDR2 533 com um processador de frequência de barramento de 800 MHz, a memória funcionará a 533 MHz.
- Para ser completamente compatível com as especificações Intel® SDRAM aplicáveis, a placa deve ter DIMMs que suportam a estrutura de dados SPD (Serial Presence Detect). Se os seus módulos de memória não suportarem SPD, será mostrada uma notificação na tela durante o processo de ativação do computador. O BIOS tentará configurar a controladora de memória para a operação normal.
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Configurações de DIMM suportadas A tabela a seguir mostra as configurações suportadas de DIMM:
| Capacidade de DIMM |
Configuration (Configuração) |
Densidade da SDRAM |
Organização frontal/traseira da SDRAM |
Número de dispositivos SDRAM |
| 128 MB |
SS |
256 Mbits |
16 M x 16/vazio 4 |
4 |
| 256 MB |
SS |
256 Mbits |
32 M x 8/vazio 8 |
8 |
| 256 MB |
SS |
512 Mbits |
32 M x 16/vazio 4 |
4 |
| 512 MB |
DS |
256 Mbits |
32 M x 8/32 M x 8 16 |
16 |
| 512 MB |
SS |
512 Mbits |
64 M x 8/vazio 8 |
8 |
| 512 MB |
SS |
1 Gbit |
64 M x 16/vazio 4 |
4 |
| 1024 MB |
DS |
512 Mbits |
64 M x 8/64 M x 16 |
16 |
| 1024 MB |
SS |
1 Gbit |
128 M x 8/vazio 8 |
8 | |
| Nota |
Na segunda coluna, "DS" indica módulos de memória de dupla face (duas fileiras de SDRAM). "SS" indica módulos de memória de face única (uma única fileira de SDRAM). | |
Memórias testadas
Memória testada de terceiros* As memórias fornecidas por terceiros são testadas por solicitação dos fornecedores de memória e os testes são realizados em estabelecimento de teste de memória independente da Intel - CMTL (Laboratórios de teste de memória de computador).
Memória testada pelo fornecedor A Intel fornece um plano de teste de memória comum aos fornecedores que participam deste programa para uso como uma verificação básica da estabilidade da memória. As memórias mostradas aqui foram testadas pelo fornecedor ou pela Intel com o uso deste plano. Estes part numbers podem não estar prontamente disponíveis durante o ciclo de vida do produto.
A tabela abaixo mostra a lista de peças que passaram no teste executado usando o programa Self Test da Intel para a Intel Desktop Board D945GCNL.
| Fornecedor do módulo/Part number do módulo |
Tamanho do módulo |
Velocidade do módulo (MHz)1 |
Latência (CL-tRCD-tRP) |
ECC ou não-ECC |
DIMM Empresa |
Módulo Código de data |
Componente usado/Número de peça do componente |
| Corsair* VS256MB667D2 |
256 MB |
667 |
|
Não-ECC |
|
|
|
| ELPIDA* EBE11UD8AEFA-6E-E |
1 GB |
667 |
5/5/5 |
Não-ECC |
DSX8 |
514 |
ELPIDA E5108AE-6E-E |
| Hynix* HYMP512U64CP8-Y5-AB |
1 GB |
667 |
5/5/5 |
Não-ECC |
DSX8 |
649 |
Hynix HY5PS12821CFP-Y5 |
| Hynix HYMP532U64CP6 |
256 MB |
667 |
5/5/5 |
Não-ECC |
SSX8 |
626 |
Hynix HY5PS121621CFP-Y5 |
| Hynix HYMP564U64BP8-S6 AB |
512 MB |
667 |
|
Não-ECC |
|
|
|
| Hynix HYMP564U64P8-E3 |
512 MB |
400 |
3/3/3 |
Não-ECC |
SSX8 |
505 |
Hynix HY5PS12821FP-E3 |
| Infineon* HYS64T32000HU-2.5-B |
256 MB |
800 |
6/6/6 |
Não-ECC |
|
|
|
| Infineon HYS64T32000HU-3S-B |
256 MB |
667 |
5/5/5 |
Não-ECC |
SSX16 |
540 |
QIMONDA* HYB18T512160BF-3S |
| Infineon HYS64T3200HU-3.7-A |
256 MB |
533 |
4/4/4 |
Não-ECC |
SSX16 |
526 |
Infineon HY18T512160AF-3.7 |
| Infineon HYS64T6400HU-2.5B |
512 MB |
800 |
6/6/6 |
Não-ECC |
SSX8 |
646 |
QIMONDA HYB18T5128008F-25 |
| Kingston* KVR667D2N5 |
256 MB |
667 |
5/5/5 |
Não-ECC |
|
|
|
| Micron* MT4HTF3264AY-53EB1 |
256 MB |
533 |
4/4/4 |
Não-ECC |
SSX16 |
524 |
Micron MT47H32M16CC |
| Micron MT4HTF3264AY-800D3 |
256 MB |
800 |
6/6/6 |
Não-ECC |
SSX16 |
646 |
Micron MT47H32M16BN |
| Micron MT4HTF5264AY-667B2 |
256 MB |
667 |
|
Não-ECC |
|
|
|
| NANYA* NT1GT64U8HB0BY-25D |
1 GB |
800 |
6/6/6 |
Não-ECC |
DSX8 |
703 |
NANYA NTSTU66M88E-25D |
| NANYA NT512T64U88B0BY-25D |
512 MB |
800 |
6/6/6 |
Não-ECC |
SSX8 |
626 |
NANYA NTSTU66M88E-25D |
| Patriot* PSD21G6672 |
1 GB |
667 |
5/5/5 |
Não-ECC |
DSX8 |
446 |
Micron MT47H64M8BT-3 |
| PSC* AL6E8E63B-8E1K |
512 MB |
800 |
|
Não-ECC |
|
|
|
| RAMAXEL* RML1520HB38D6F-667 |
512 MB |
667 |
|
Não-ECC |
|
|
|
| Samsung* KRM378T2953CZ0-CE6 |
1 GB |
667 |
5/5/5 |
Não-ECC |
DSX8 |
552 |
Samsung K4T51083QC |
| Samsung M378T6453FGO-CD5 |
512 MB |
533 |
4/4/4 |
Não-ECC |
DSX8 |
422 |
Samsung K4T56083QF-GC05 |
| Samsung M378T6553CZ3-CF7 |
512 MB |
800 |
6/6/6 |
Não-ECC |
SSX8 |
641 |
Samsung K4T51083QC-ZCF7 |
| SMART* TB4D2667C58D |
1 GB |
667 |
|
Não-ECC |
|
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|
| Super Talent* T800UB1GC4 |
1 GB |
800 |
|
Não-ECC |
|
|
| | 1 A memória de 800 MHz funcionará a 667 MHz.Isto se aplica a: |