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Intel® 데스크탑 보드 D915GAG
시스템 메모리

시스템 메모리 기능
보드는 DIMM 소켓을 4개 가지며 다음 메모리 기능을 지원합니다.

  • 2.6V(전용) DDR sdram dimms 금도금 컨택츠
  • 무버퍼, 단일 면의 또는 두 번 양면 DIMMs, 다음 제한 사항이 적용됨: 두 번 x16 구성의 양면 DIMMs 지원되지 않습니다
  • 4 GB 최대 총 시스템 메모리
  • 최소 총 시스템 메모리: 128 MB
  • 비 ECC DIMMs
  • 직렬 감지(Serial Presence Detect
  • ) DDR 400 MHz 및 DDR 333 MHz SDRAM DIMMs
참고 사항
  • 메모리를 설치 또는 업그레이드하기 전에 PCI 익스프레스* x16 비디오 카드를 제거하여 메모리 고정 장치에 방해가 되지 않도록 하십시오.
  • 보드 DIMM 지원 DIMMs SDRAM SDRAM 메모리 사양을 모두 SPD(Serial Presence Detect) 데이터 구조를. 이를 통해 BIOS SPD 데이터 최적의 성능을 제공하는 메모리 설정을 정확히 구성하도록 칩셋을 프로그램할 수 있습니다. 경우 비-SPD 메모리를 설치하면, BIOS 메모리 설정을 올바르게 성능 및 안정성 영향을 또는 지정된 주파수 DIMMs 작동하지 않을 수 있습니다.

지원되는 시스템 버스 주파수 및 메모리 속도 조합

이 유형의 DIMM: 사용 프로세서 시스템 버스 주파수 다음과 같아야 합니다.
DDR400 800 MHz
DDR333 (노트) 800 또는 533 MHz
참고 800 MHz 시스템 버스 주파수 프로세서를 사용하면 DDR 333 메모리가 320 MHz에서 클럭됩니다. 이는 시스템 대기 시간을 최소화하여 시스템 처리량을.

지원되는 메모리 구성

DIMM 용량 구성 SDRAM 밀도 SDRAM 조직
프런트 사이드/후면
번호 중
SDRAM 장치 수
128 MB SS 256 Mbit 16 M x 16/비어 있음 4
256 Mb SS 256 Mbit 32 M x 8/비어 있음 8
256 Mb SS 512 Mbit 32 M x 16/비어 있음 4
512 MB DS 256 Mbit 32 M x 8/32 M x 8 16
512 MB SS 512 Mbit 64 M x 8/비어 있음 8
512 MB SS 1 Gbit 64 M x 16/비어 있음 4
1024 MB DS 512 Mbit 64 M x 8/64 M x 8 16
1024 MB SS 1 Gbit 128 M x 8/비어 있음 8
2048 MB DS 1 Gbit 128 M x 8/128 M x 8 16
참고 두 번째 열에서 "DS"는 양면 메모리 모듈(SDRAM 행 2개) 및 "SS"는 단면 메모리 모듈(SDRAM 한 줄).

테스트를 거친 메모리

테스트를 거친 메모리* 타사


테스트를 거친 메모리 타사 메모리는 메모리 공급업체의 요청에 따라. 메모리 Intel® 아닌 독립 메모리 하우스에서 테스트를 수행합니다. Computer Memory Test Labs(CMTL()에서 메모리를 테스트했습니다.

공급업체 자체 테스트를 거친 메모리
이 프로그램에 참여하는 메모리 공급업체에 함께 intel® 메모리 안정성 확인 작업의 기본 도구로 사용할 공통 메모리 테스트 계획을 제공합니다. 여기에 나열된 메모리 메모리 공급업체 또는 이 테스트 계획을 Intel® 의해 실시합니다. 이러한 부품 번호는 제품 수명 사이클 동안 쉽게 사용하지 못할 수도 있습니다.

아래 표에는 있는 Intel® 데스크탑 보드 D915GAG Intel® 자체 테스트 프로그램 사용하여 스트에 합격한 부품 목록이 나와 있습니다.

모듈 공급자
모듈 부품 번호
모듈 크기
(MB)
모듈 속도
(MHz)
대기 시간
CL-tRCD-tRP
ECC 또는
비 ECC?
DIMM
organi-zation
모듈
날짜 코드
사용된 구성 요소
구성 요소 부품 번호
- DATA*
MDOEL6F3G31Y0D1E0Z
256 Mb 400 3-4-4 비-ECC ssx8 0527 Elpida*
DDR-DD2508ARTA
- DATA
MDOHY6F3G3X10BZE0Z
256 Mb 400 3-3-3 비-ECC ssx8 510A Hynix*
DDR - HY5DU56822DT -D43
Infineon Technologies*
HYS64D128320HU -5-b
1 GB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0445 Infineon Technologies
HYB25D512800BE -5
Infineon Technologies
HYS64D64320HU -5-c
512 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0436 Infineon Technologies
HYB25D512800CE -5
Infineon Technologies
HYS64D32300HU -5-c
256 Mb 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0432 Infineon Technologies
HYB25D512800CE -5
Kingston Technology*
KVR400X64C3A/1G
1 GB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0518 Infineon
HYB25D512800BE -5
Kingston Technology
KVR400X64C3A/1G
1 GB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 449 Samsung*
K4H510838B - TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A /512
512 MB 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0518 Micron*
MT46V64M8 -5B
Kingston Technology
KVR400X64C3A /512
512 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0000 삼성
K4H560838F - TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A /256
256 Mb 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0000 ProMOS*
V58C2256804SCT5B
Micron*
MT16VDDT12864AY -40BD3
1024 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0528 Micron
MT46V64M8P
Micron
MT16VDDF6464AY -40BG1
512 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0540 Micron
MT46V32M8BG
Micron
MT8VDDT6464AG -40BD1
512 MB 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0534 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG -40BG6
512 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0536 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AY -40BG6
512 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0534 Micron
MT46V32M8P
Micron
MT16VDDT6464AG -40BG4
512 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0508 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG -40BG5
512 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0535 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG -40BD3
512 MB 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0523 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AY -40BD3
512 MB 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0534 Micron
MT46V64M8P
Micron
MT8VDDT3264AG -40BG6
256 Mb 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0536 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG -40BG5
256 Mb 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0533 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDF3264AY -40BG1
256 Mb 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0540 Micron
MT46V32M8BG
Samsung*
M368L2923DUN -CCC
1 GB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0540 삼성
K4H510838D - UCCC
삼성
M368L2923CUN -CCC
1 GB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0509 삼성
K4H510838C - UCCC
삼성
M368L6523DUD -CCC
512 MB 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0549 삼성
K4H510838D - UCCC
삼성
M368L6423ETN -CCC
512 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0509 삼성
K4H560838E - TCCC
삼성
M368L6423FTN -CCC
512 MB 400 3-3-3 비-ECC dsx8 0506 삼성
K4H560838F - TCCC
삼성
M368L6523CUS -CCC
512 MB 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0503)이 들어 있습니다. 삼성
K4H510838C - UCCC
삼성
M368L3223FTN -CCC
256 Mb 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0506 삼성
K4H560838F - TCCC
삼성
M368L3324CUS -CCC
256 Mb 400 3-3-3 비-ECC ssx16 0506 삼성
K4H511638C - UCCC
삼성
M368L3223ETN -CCC
256 Mb 400 3-3-3 비-ECC ssx8 0506 삼성
K4H560838E - TCCC
Infineon Technologies
HYS64D128320HU -6-b
1 GB 333 2.5 -3-3 비-ECC dsx8 0434 Infineon Technologies
HYB25D512800BE -6
Infineon Technologies
HYS64D64320HU -6-c
512 MB 333 2.5 -3-3 비-ECC dsx8 0436 Infineon Technologies
HYB25D512800CE -6
Infineon Technologies
HYS64D32300HU -6-c
256 Mb 333 2.5 -3-3 비-ECC ssx8 0436 Infineon Technologies
HYB25D512800CE -6
Micron
MT16VDDT12864AG -335D1
1024 MB 333 2.5 -3-3 비-ECC dsx8 0537 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG -335D3
512 MB 333 2.5 -3-3 비-ECC ssx8 0513 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG -335D2
512 MB 333 2.5 -3-3 비-ECC ssx8 0505 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG -335D1
512 MB 333 2.5 -3-3 비-ECC ssx8 0450 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG -335G4
512 MB 333 2.5 -3-3 비-ECC dsx8 0408 Micron
MT46V32M8TG
Micron
미국에 거주하는 고객은 MT8VDDT3264AG G4
256 Mb 333 2.5 -3-3 비-ECC ssx8 0540 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG -335G4
256 Mb 333 2.5 -3-3 비-ECC ssx8 0450 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG -335G6
256 Mb 333 2.5 -3-3 비-ECC ssx8 0513 Micron
MT46V32M8TG
삼성
M368L5623MTN -CB3
2 GB 333 2.5 -3-3 비-ECC dsx8 0508 삼성
K4H1G0838M - TCB3

적용 대상:

Intel® 데스크탑 보드 D915GAG

 

솔루션 ID: CS-027104
최종 수정일: 07-Feb-2012
작성일: 2007년 6월 14일
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