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Mise à jour : 18 décembre 2006
Fonctionnalités de mémoire système La Commission a quatre connecteurs DIMM et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :
- 1,8 V (seul) DDR2 SDRAM DIMM avec contacts plaqués or
- DIMM sans tampon, recto ou recto-verso avec la restriction suivante : DIMM recto-verso avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
- 8 Go de mémoire système totale maximum à l'aide de DDR2 667 ou DDR2 533 DIMM ; 4 Go de mémoire système totale maximum à l'aide de la DDR2 800 DIMM.
- Mémoire système totale minimale : 512 MB
- Non-ECC DIMM
- Détection de la présence de série
- Mémoire DDR2 800, DDR2 667 ou DIMM de mémoire SDRAM DDR2 533 MHz
- Mémoire DDR2 800 DIMM avec minutages SPD de seulement 5-5-5 ou 6-6-6 (tCL-tRCD-tRP)
| Note |
Un minimum de 512 Mo de mémoire système est nécessaire pour activer pleinement tant les graphismes à bord et le moteur de gérabilité. |
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| Note |
Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications applicables de mémoire DDR SDRAM, le Conseil devrait être rempli avec DIMM supportant la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et du programme du chipset pour configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales avec précision. Si la mémoire non-SPD est installé, le BIOS tente de configurer correctement les paramètres de la mémoire, mais performances et fiabilité peuvent être touchés ou la DIMM peut ne pas fonctionner sous la fréquence déterminée. |
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Configurations prises en charge des modules DIMM Le tableau suivant répertorie les configurations prises en charge de la DIMM.
| Type de module DIMM |
Technologie SDRAM |
Plus petite utilisable DIMM (1 x 16 recto DIMM) |
Plus utilisable DIMM (1 x 8 recto-verso DIMM) |
Capacité maximale avec quatre identiques x 8 recto-verso DIMMs | | DDR2 533 |
256 Mbit |
128 MO |
512 MO |
2 GO | | DDR2 533 |
512 Mbit |
256 MO |
1 GO |
4 GO | | DDR2 533 |
1 Gbit |
512 MO |
2 GO |
8 GO | | DDR2 667 |
256 Mbit |
128 MO |
512 MO |
2 GO | | DDR2 667 |
512 Mbit |
256 MO |
1 GO |
4 GO | | DDR2 667 |
1 Gbit |
512 MO |
2 GO |
8 GO | | MÉMOIRE DDR2 800 |
256 Mbit |
128 MO |
512 MO |
2 GO | | MÉMOIRE DDR2 800 |
512 Mbit |
256 MO |
1 GO |
4 GO |
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| Note |
Quel que soit le type de module DIMM utilisé, la fréquence de la mémoire sera soit égale ou inférieure à la fréquence de bus système du processeur. Par exemple, si la mémoire DDR2 800 est utilisé avec un processeur de fréquence bus 533 MHz système, la mémoire fonctionnera à 533 MHz. Le tableau ci-dessous répertorie les résultant d'exploitation des fréquences de mémoire basés sur la combinaison de modules DIMM et processeurs. |
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| Type de module DIMM |
Fréquence du bus système processeur |
Fréquence de mémoire qui en résulte | | DDR2 533 |
533 MHz |
533 MHz | | DDR2 533 |
800 MHz |
533 MHz | | DDR2 533 |
1066 MHz |
533 MHz | | DDR2 667 |
533 MHz |
533 MHz | | DDR2 667 |
800 MHz |
667 MHz | | DDR2 667 |
1066 MHz |
667 MHz | | MÉMOIRE DDR2 800 |
533 MHz |
533 MHz | | MÉMOIRE DDR2 800 |
800 MHz |
800 MHz | | MÉMOIRE DDR2 800 |
1066 MHz |
800 MHz |
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Mémoire testée
3e partie testé mémoire* 3e partie testé mémoire survient comme demandé par les vendeurs de mémoire et est testé à une maison indépendante de mémoire qui n'est pas une partie d'Intel - Computer Memory Test Labs (CMTL).
Vendeur auto tests mémoire Intel fournit des vendeurs de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test de mémoire commun à utiliser comme une extraction de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertoriée ici était que soit mis à l'essai par le vendeur de mémoire ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros ne soient pas facilement accessibles tout au long du cycle de vie du produit.
Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé les tests effectués à l'aide du programme de Self Test d'Intel pour Carte mère Intel® DQ965WC pour PC de bureau .
Module fournisseur Module Numéro |
Taille du module (MB) |
Module vitesse (MHz) |
Temps de latence CL-tRCD-tRP |
ECC ou Non-ECC ? |
DIMM Organisation |
Module Code de date |
Composant utilisé Numéro de pièce COMP | Transcend TS128MLQ64V8J |
1024 MO |
800 |
5-5-5 |
Non-ECC |
DSx16 |
0607 |
Hynix HY5PS12821A FP-S5 536 | Infineon HYS64T64000HU-3-B |
512 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx8 |
0605 |
Infineon HYB18T512800BF3S | Infineon HYS64T32000HU-3-B |
256 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx4 |
0604 |
Infineon HYB18T512160BAF-3 | Micron MT16HTF12864AY-667B3 |
1024 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
DSx16 |
0534 |
Micron 5PB32D9DCL | Micron MT4HTF3264AY-667B2 |
256 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx4 |
0586 |
Micron 5RB31D9DCG | Nanya NT512T64U88A1BY-3C |
256 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx4 |
0536 |
Nanya NT5TU32M16AG-3C | Nanya NT256T64UH41FY-3C |
256 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx4 |
0554 |
Nanya NT5TU32M16AG-3C | Transcend TS64MLQ64V8J |
512 MO |
533 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx8 |
0604 |
Hynix HY5PS12821A FP-S5 536 | Apacer DDRII 512 MO UNB PC4300 CL4 |
512 MO |
533 |
5-4-4 |
Non-ECC |
SSx8 |
0511 |
Samsung HYB18T512 800AF37 | Kingston KVR533D2N4/512 |
512 MO |
533 |
5-4-4 |
Non-ECC |
SSx8 |
0437 |
ELPIDA E5108AB-5 C-E | Kingston KVR533D2N4/512 |
512 MO |
533 |
5-4-4 |
Non-ECC |
SSx8 |
0511 |
Micron 51B22D9DCN | Kingston KVR533D2N4K2/512 |
256 MO |
533 |
5-4-4 |
Non-ECC |
SSx4 |
0441 |
Infineon HYB18T512160AF-3,7 | Corsair CM2X512-5400C4 |
512 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
DSx16 |
S/O |
S/O | Corsair CM2X512-5400C4 |
256 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx8 |
S/O |
S/O | Infineon HYS64T32000HU-3,7-A |
256 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx4 |
0428 |
Infineon HYB18T512160AF-3,7 | Micron MT8HTF3264AG-53EB3 |
256 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx4 |
0346 |
Micron 3TB11Z9BQT |
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Cela s'applique à :
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