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Fonctionnalités de la mémoire système Configurations de mémoire prise en charge Mémoire testée
Fonctionnalités de la mémoire système La carte a quatre connecteurs DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :
- Deux canaux de mémoire indépendants avec prise en charge en mode entrelacé
- Prend en charge 1.2 V – la tension 1,8 de mémoire DIMM V
- Prise en charge des non-ECC, sans tampon, recto verso ou les barrettes DIMM empilables avec x 8 organisation
- 32 Go de mémoire système totale maximale (avec la technologie de mémoire de 4 Go)
- Mémoire minimum: 1 Go à l'aide du module 1 Go x 8
- Serial presence detect
- DDR3 1333 MHz et mémoire de DIMM SDRAM DDR3 1066 MHz
Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR, le Conseil d'administration doit être rempli avec les DIMM que prise en charge de la présence de série détecte la structure de données (SPD). Cela permet au BIOS lire les données SPD et programmer le chipset pour configurer correctement les paramètres de mémoire pour optimiser les performances. Si mémoire non SPD est installé, le BIOS va tenter de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais la fiabilité et les performances peuvent être affectées ou les barrettes DIMM peut ne pas fonctionnent sous la fréquence déterminée.
Le recommandé et le paramètre par défaut pour la tension de mémoire DDR3 est de 1,5 V. Les autres paramètres de tension de mémoire dans le programme d'installation du BIOS sont fournis pour seulement les fins de réglage des performances. Modification de la tension de la mémoire peut (i) réduire la stabilité et la durée de vie utile du système, de la mémoire et du processeur ; (ii) entraîner le processeur et autres composants système sys. (iii) entraîner une réduction des performances du système ; (iv) entraînent la chaleur supplémentaire ou autres ; et l'intégrité des données du système (v) affectent.
Intel n'a pas testé et ne garantit pas le fonctionnement du processeur au-delà de ses spécifications. Pour plus d'informations sur la garantie du processeur, reportez-vous aux Informations de garantie de processeur.
Configurations de mémoire prise en charge
| Capacité DIMM |
Configuration |
Densité SDRAM |
SDRAM organisation côté/Back-frontal |
Nombre de périphériques de mémoire SDRAM | | 512 MO |
Simple-face |
1 GB |
64 M x 16 / vide |
4 | | 1 GO |
Simple-face |
1 GB |
128 M x 8 / vide |
8 | | 1 GO |
Simple-face |
2 Gb |
128 M x 16 / vide |
4 | | 2 GO |
Recto-verso |
1 GB |
128 M x 8 / M 128 x 8 |
16 | | 2 GO |
Simple-face |
2 Gb |
128 M x 16 / vide |
8 | | 4 GO |
Recto-verso |
2 Gb |
256 Mo x 8 / 256 Mo x 8 |
16 | | 8 GO |
Recto-verso |
4 Gb |
512 Mo x 8 / 512 Mo x 8 |
16 |
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Mémoire testée tiers
Ordinateur mémoire Test Labs * (CMTL) teste la mémoire de tiers pour la compatibilité avec les cartes mères Intel comme demandé par les fabricants de mémoire. Consultez le CMTL testé liste mémoire* de la Carte mère Intel® DQ67SW pour PC de bureau .
Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont réussi les essais au cours du développement. Ces numéros de référence n'est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.
| Fabricant de module |
Numéro de référence de module |
Taille du module |
Vitesse des modules |
ECC ou Non ECC |
Fabricant du composant |
Numéro de pièce de composant | | Hynix * |
HMT112U6AFP8C-H9 |
1 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT112U6AFP8C-H9 | | Hynix |
HMT112U6BFR8C-G7 |
1 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT112U6BFR8C-G7 | | Hynix |
HMT125U6BFR8C-H9 |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT125U6BFR8C-H9 | | Hynix |
HMT125U7AFP8C-G7T0 |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT125U6AFP8C-G7T0 | | Hynix |
HMT351U6AFR8C-G7 |
4 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT351U6AFR8C-G7 | | Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 |
4 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 | | Micron * |
MT16JTF25664AY-1G1D1 |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT16JTF25664AY-1G1D1 | | Micron |
MT16JTF25664AZ-1G4F1 |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT16JTF25664AZ-1G4F1 | | Micron |
MT16JTF51264AZ-1G1D1 |
4 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT16JTF51264AZ-1G1D1 | | Micron |
MT16JTF51264AZ-1G4D |
4 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT16JTF51264AZ-1G4D | | Micron |
MT8JTF12864AY-1G1D1 |
1 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT8JTF12864AY-1G1D1 | | Micron |
MT8JTF12864AY-1G4D1 |
1 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT8JTF12864AY-1G4D1 | | Samsung * |
M378B2873DZ1-CF8 |
1 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B2873DZ1-CF8 | | Samsung |
M378B2873EH1-CH9 |
1 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B2873EH1-CH9 | | Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
4 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B5273BH1-CF8 | | Samsung |
M378B5273BH1-CF9 |
4 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B5273BH1-CF9 | | Samsung |
M378B5673DZ1-CF8 |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B5673DZ1-CF8 | | Samsung |
M378B5673DZ1-CH9 |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B5673DZ1-CH9 | | Samsung |
M378B1G73BH0-CH9 |
8 GO |
1600 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
K4B4G08468 |
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Cela s'applique à :
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