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Fonctionnalités de mémoire système La Commission a quatre connecteurs DIMM et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :
- 1,35 V DDR3 SDRAM DIMM (nouvelle spécification de JEDEC)
- 1,5 V DDR3 SDRAM DIMM
- Deux canaux de mémoire indépendante avec l'aide du mode entrelacé
- DIMM sans tampon, recto ou recto-verso avec la restriction suivante : DIMM recto-verso avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
- 32 Go de mémoire système totale maximale (en utilisant la technologie de mémoire de 4 GB).
- Mémoire système totale minimum: 1 Go à l'aide du module de 512 MB x 16
- Non-ECC DIMM
- Détection de la présence de série
- DDR3 + 1600 MHz et 1333 MHz DDR3 1066 MHz SDRAM DIMM
- Profil XMP version 1.2 performance support pour mémoire des vitesses supérieures à 1600 MHz
À l'aide d'un module DIMM avec une tension de cote supérieur à 1,65 v peut endommager le processeur.
systèmes d'exploitation 32 bits sont limités à un maximum de 4 Go de mémoire. Ces systèmes d'exploitation fera rapport à moins de 4 Go en raison de la mémoire utilisée par le complément de graphiques, cartes et autres ressources système.
Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications de mémoire Intel® SDRAM applicables, la Commission devrait soit remplie avec DIMM supportant la structure de données de détection de présence série (SPD). Si vos modules de mémoire ne supportent pas le SPD, vous verrez une notification à cet effet sur l'écran à la puissance de pied. Le BIOS tente de configurer le contrôleur de mémoire pour un fonctionnement normal.
1,5 V est le recommandé et le paramètre par défaut de tension de mémoire DDR3. Les autres paramètres tension de mémoire dans le programme de configuration du BIOS sont fournis pour des fins de réglage des performances. Modifier la tension de la mémoire puis (i) réduire stabilité du système et la durée de vie utile du système, la mémoire et du processeur ; (ii) causer le processeur et les autres composants du système à l'échec ; (iii) cause des réductions de rendement du système ; (iv) causent la chaleur supplémentaire ou autres dommages ; et l'intégrité des données (v) affecte système.
Intel n'a pas testé et ne pas garantie le fonctionnement du processeur au-delà de ses spécifications. Pour plus d'informations sur la garantie de processeur, désigner Processeur de garantie.
Configurations de mémoire pris en charge
| Capacité DIMM |
Configuration |
SDRAM densité |
Organisation de la mémoire SDRAM Front side / côté arrière |
Nombre de dispositifs de mémoire SDRAM | | 512 MO |
Recto |
1 Gbit |
64 X M 16 / vide |
4 | | 1 GO |
Recto |
1 Gbit |
128 X M 8 / vide |
8 | | 1 GO |
Recto |
2 Gbit |
128 X M 16 / vide |
4 | | 2 GO |
Recto-verso |
1 Gbit |
M 128 x 8 / 128 M x 8 |
16 | | 2 GO |
Recto |
2 Gbit |
128 X M 16 / vide |
8 | | 4 GO |
Recto-verso |
2 Gbit |
M x 8 256 / 256 M x 8 |
16 | | 4 GO |
Recto |
4 Gbit |
512 X M 8 / vide |
8 | | 8 GO |
Recto-verso |
4 Gbit |
M x 8 512 / 512 M x 8 |
16 |
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Mémoire testée
Mémoire ordinateur Test Labs * (CMTL) tests de mémoire tiers pour assurer la compatibilité avec les cartes Intel comme demandé par les fabricants de mémoire. Voir le CMTL testées liste de mémoire pour les Intel® Desktop Board DH67bg.
Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé les tests au cours du développement. Ces numéros ne soient pas facilement accessibles tout au long du cycle de vie du produit.
| Module fournisseur |
Module Numéro |
Taille du module |
Module vitesse [Mhz] |
Latence CL-tRCD-tRP |
Organisation de DIMM |
Module Date Code |
Composant le numéro | | ADATA * |
AX3U1600PB2G8-2 P |
2 GO |
1600 |
08/08/2008 |
x 16 |
S/O |
AX3U1600PB2G8-2 P | | ADATA |
AX3U1866PB2G8-DP2 |
2 GO |
1866 |
08/08/2008 |
x 16 |
S/O |
AX3U1866PB2G8-DP2 | | ATP * |
VQ1333B884 |
2 GO |
1333 |
09/09/2009 |
2Rx8 |
S/O |
VQ1333B884 | | Corsair * |
CMT4GX3M2A1600C7ver:2.3 |
2 GO |
1600 |
07/07/2007 |
S/O |
S/O |
CMT4GX3M2A1600C7ver:2.3 | | Corsair |
CMT4GX3M2A1866C9 ver:7.1 |
2 GO |
1866 |
09/09/2009 |
S/O |
S/O |
CMT4GX3M2A1866C9 ver:7.1 | | Hynix * |
HMT112U6BFR8C-G7 |
1 GO |
1066 |
07/07/2007 |
x 8 |
820 |
HMT112U6BFR8C-G7 | | Hynix |
HMT112U6AFP8C-H9 |
1 GO |
1333 |
09/09/2009 |
x 8 |
824 |
HMT112U6AFP8C-H9 | | Hynix |
HMT125U7AFP8C-G7T0 |
2 GO |
1066 |
07/07/2007 |
2Rx8 |
819 |
HMT125U6AFP8C-G7T0 | | Hynix |
HMT125U6BFR8C-H9 |
2 GO |
1333 |
09/09/2009 |
2Rx8 |
921 |
HMT125U6BFR8C-H9 | | Hynix |
HMT351U6AFR8C-G7 |
4 GO |
1066 |
07/07/2007 |
2Rx8 |
931 |
HMT351U6AFR8C-G7 | | Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 |
4 GO |
1333 |
09/09/2009 |
2Rx8 |
848 |
HMT351U6AFR8C-H9 | | Kingston * |
KHX2133C9AD3T1K2/4GX |
2 GO |
2133 |
11/09/2009 |
S/O |
S/O |
KHX2133C9AD3T1K2/4GX | | Kingston |
KHX250C9D3T1F3/6GX |
2 GO |
2250 |
11/09/2009 |
S/O |
S/O |
KHX250C9D3T1F3/6GX | | Micron * |
MT8JTF12864AY-1G1D1 |
1 GO |
1066 |
07/07/2007 |
x 8 |
S/O |
MT8JTF12864AY-1G1D1 | | Micron |
MT8JTF12864AY-1G4D1 |
1 GO |
1333 |
09/09/2009 |
x 8 |
S/O |
MT8JTF12864AY-1G4D1 | | Micron |
MT16JTF25664AY-1G1D1 |
2 GO |
1066 |
07/07/2007 |
2Rx8 |
S/O |
MT16JTF25664AY-1G1D1 | | Micron |
MT16JTF25664AZ-1G4F1 |
2 GO |
1333 |
09/09/2009 |
2Rx8 |
S/O |
MT16JTF25664AZ-1G4F1 | | Micron |
MT16JTF51264AZ-1G1D1 |
4 GO |
1066 |
07/07/2007 |
2Rx8 |
S/O |
MT16JTF51264AZ-1G1D1 | | Micron |
MT16JTF51264AZ-1G4D |
4 GO |
1333 |
09/09/2009 |
2Rx8 |
S/O |
MT16JTF51264AZ-1G4D | | Micron |
MT16JTF1G64AZ-1G4D1 |
8 GO |
1333 |
09/09/2009 |
2Rx8 |
913 |
MT41J512M8RA-15E:D | | Samsung * |
M378B2873DZ1-CF8 |
1 GO |
1066 |
07/07/2007 |
x 8 |
816 |
M378B2873DZ1-CF8 | | Samsung |
M378B2873EH1-C9 |
1 GO |
1333 |
09/09/2009 |
x 8 |
932 |
M378B2873EH1-C9 | | Samsung |
M378B5673DZ1-CF8 |
2 GO |
1066 |
07/07/2007 |
2Rx8 |
810 |
M378B5673DZ1-CF8 | | Samsung |
M378B5673DZ1-C9 |
2 GO |
1333 |
09/09/2009 |
2Rx8 |
930 |
M378B5673DZ1-C9 | | Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
4 GO |
1066 |
07/07/2007 |
2Rx8 |
853 |
M378B5273BH1-CF8 | | Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
4 GO |
1333 |
09/09/2009 |
2Rx8 |
853 |
M378B5273BH1-CF8 |
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Cela s'applique à :
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