Cartes mères
Carte mère Intel® DH61ZE pour PC de bureau
Mémoire système


Fonctionnalités de la mémoire système
La carte propose deux barrettes DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • Deux canaux de mémoire indépendants avec prise en charge en mode entrelacé
  • Prend en charge 1.2 V – 1,8 la tension de mémoire DIMM V
  • Prise en charge des non-ECC, sans tampon, recto, ou les barrettes DIMM empilables avec x 8 organisation
  • 16 Go de mémoire système totale maximale (grâce à la technologie de mémoire de 4 Go)
  • Mémoire minimum: 1 Go à l'aide du module 1 Go x 8
  • Détection de la présence de série
  • DDR3 1333 MHz et mémoire de DIMM SDRAM DDR3 1066 MHz

Plein respect de toutes les spécifications de mémoire DDR SDRAM, la carte doit utiliser des barrettes DIMM qui prennent en charge la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer correctement les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si mémoire non SPD est installé, le BIOS va tenter de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais la fiabilité et les performances peuvent être affectées ou les barrettes DIMM ne fonctionnent pas sous la fréquence déterminée.

1,5 V est la manière recommandée et le paramètre par défaut pour la tension de mémoire DDR3. Les autres paramètres de tension de mémoire dans le programme de configuration du BIOS sont fournis pour seulement les fins de réglage des performances. Modification de la tension de mémoire peut (i) réduire la stabilité du système et la vie utile du système, de la mémoire et du processeur ; (ii) entraîner le processeur et autres composants système sys. (iii) entraîner une réduction des performances du système ; (iv) entraînent la chaleur supplémentaire ou autres ; et l'intégrité des données du système (v) affecter.

Intel n'a pas testé et ne garantit pas le fonctionnement du processeur au-delà de ses spécifications. Pour plus d'informations sur la garantie du processeur, reportez-vous aux Informations de garantie de processeur.

Configurations de mémoire prises en charge

Capacité des DIMM Configuration de Densité SDRAM Mémoire SDRAM organisation côté/arrière-frontal Nombre de modules SDRAM
512 MO Simple-face 1 GB 64 Mo x 16 / vide 4
1 GO Simple-face 1 GB 128 M x 8 / vide 8
1 GO Simple-face 2 Gb 128 M x 16 / vide 4
2 GO Recto-verso 1 GB 128 M x 8 / 128 M x 8 16
2 GO Simple-face 2 Gb 128 M x 16 / vide 8
4 GO Recto-verso 2 Gb M x 8 256 / 256 M x 8 16
4 GO Simple-face 4 Gb 512 Mo x 8 / vide 8
8 GO Recto-verso 4 Gb M 512 x 8 / M 512 x 8 16

Mémoire testée

Mémoire testée tiers
Le tableau ci-dessous répertorie les composants qui ont réussi le test pendant le développement. Ces numéros de référence ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Fabricant de module Numéro de référence de module Taille du module Vitesse de module ECC ou Non-ECC
ADATA * M3OHYMH3J4130G2C5Z 2 GO 1333 MHz Non-ECC
APACER * 240P 1 GO 1333 MHz Non-ECC
ELPIDA * EBJ10UE8BBF0 1 GO 1066 MHz Non-ECC
ELPIDA EBJ10UE8BDF0 1 GO 1333 MHz Non-ECC
ELPIDA EBJ21UE8BBF0 2 GO 1066 MHz Non-ECC
ELPIDA EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2 GO 1333 MHz Non-ECC
Hynix * HMT112U6BFR8C-G7 1 GO 1066 MHz Non-ECC
Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1 GO 1333 MHz Non-ECC
Hynix HMT125U6BFR8C-G7 2 GO 1066 MHz Non-ECC
Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2 GO 1333 MHz Non-ECC
Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4 GO 1333 MHz Non-ECC
Micron * MT8JTF12864AY 1 GO 1066MHz Non-ECC
Micron MT8JTF12864AZ-1G4F1 1 GO 1333 MHz Non-ECC
Micron MT16JTF25664AY-1G1D1 2 GO 1066 MHz Non-ECC
Micron MT16JF25664AZ-1G4F1 2 GO 1333 MHz Non-ECC
QIMONDA * IMSH51U03A1F1C 512 MO 1066 MHz Non-ECC
QIMONDA IMSH1GU13A1F1C 1 GO 1066 MHz Non-ECC
SAMSUNG * M378B2873EH1-CF8 1 GO 1066 MHz Non-ECC
SAMSUNG M378B22873DZ1-CH9 1 GO 1333 MHz Non-ECC
SAMSUNG M378B5673DZ1 2 GO 1066 Mhz Non-ECC
SAMSUNG M378B5673FH0-CH9 2 GO 1333 MHz Non-ECC
SAMSUNG M378B5273DH0-CH9 4 GO 1333 Mhz Non-ECC

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® DH61ZE pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-032794
Dernière modification : 20-Apr-2012
Date de création : 21-Sep-2011