Cartes mères
Carte mère Intel® DG965RY pour PC de bureau
Mémoire système

Fonctionnalités de mémoire système
La Commission a quatre connecteurs DIMM et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 1.8V (seulement) DDR2 SDRAM DIMM avec contacts plaqués or
  • DIMM sans tampon, recto ou recto-verso avec la restriction suivante : DIMM recto-verso avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
  • 8 Go de mémoire système totale maximum à l'aide de DDR2 667 ou DDR2 533 DIMM
  • Mémoire de système totale maximale de 4 Go à l'aide de DDR2 800 DIMM
  • Mémoire système totale minimale : 512 MB
  • Non-ECC DIMM
  • Détection de la présence de série
  • Mémoire DDR2 800, DDR2 667 ou DIMM de mémoire SDRAM DDR2 533 MHz
  • Mémoire DDR2 800 DIMM avec minutages SPD de seulement 5-5-5 ou 6-6-6 (tCL-tRCD-tRP)
Note Un minimum de 512 Mo de mémoire système est nécessaire pour activer pleinement tant les graphismes à bord et le moteur de gérabilité.
Note Pour être entièrement conforme aux spécifications applicables de mémoire DDR SDRAM, le Conseil devrait avoir des barrettes DIMM soutenant la structure de données de détection de présence série (SPD). Cette structure permet au BIOS de lire les données SPD et du programme du chipset pour configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales avec précision. Si la mémoire non-SPD est installé, le BIOS tente de configurer correctement les paramètres de mémoire. Performance et fiabilité peuvent être touchés ou les barrettes DIMM pourrait ne pas fonctionner sous la fréquence désignée.

Configurations prises en charge des modules DIMM
Le tableau suivant répertorie les configurations prises en charge de la DIMM.

Type de module DIMM Technologie SDRAM Plus petite utilisable DIMM (1 x 16 recto DIMM) Plus utilisable DIMM (1 x 8 recto-verso DIMM) Capacité maximale avec quatre identiques x 8 recto-verso DIMMs
DDR2 533 256 Mbit 128 MO 512 MO 2 GO
DDR2 533 512 Mbit 256 MO 1 GO 4 GO
DDR2 533 1 Gbit 512 MO 2 GO 8 GO
DDR2 667 256 Mbit 128 MO 512 MO 2 GO
DDR2 667 512 Mbit 256 MO 1 GO 4 GO
DDR2 667 1 Gbit 512 MO 2 GO 8 GO
MÉMOIRE DDR2 800 256 Mbit 128 MO 512 MO 2 GO
MÉMOIRE DDR2 800 512 Mbit 256 MO 1 GO 4 GO
Note Quel que soit le type de module DIMM utilisé, la fréquence de la mémoire est soit égale ou inférieure à un système de traitement, fréquence de Bus. Par exemple, si la mémoire DDR2 667 est utilisé avec un processeur de fréquence Bus 533 MHz système, la mémoire fonctionne à 533 MHz. Le tableau ci-dessous répertorie les fréquences mémoire qui en résulte, basés sur la combinaison de modules DIMM et processeurs.
Type de module DIMM Fréquence de Bus système Fréquence de mémoire qui en résulte
DDR2 533 533 MHz 533 MHz
DDR2 533 800 MHz 533 MHz
DDR2 533 1066 MHz 533 MHz
DDR2 667 533 MHz 533 MHz
DDR2 667 800 MHz 667 MHz
DDR2 667 1066 MHz 667 MHz
MÉMOIRE DDR2 800 533 MHz 533 MHz
MÉMOIRE DDR2 800 800 MHz 800 MHz
MÉMOIRE DDR2 800 1066 MHz 800 MHz

Mémoire testée

Tiers testé mémoire*
Mémoire testée-tiers se produit comme demandé par les vendeurs de mémoire. Mémoire est testé à une maison indépendante de mémoire qui n'est pas une partie d'Intel - Computer Memory Test Labs (CMTL).

Vendeur auto tests mémoire
Intel fournit des vendeurs de mémoire avec un plan de test de mémoire commun à utiliser pour les essais de stabilité de mémoire. Mémoire répertoriée ici terminée mise à l'essai par le vendeur de mémoire ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé le test en utilisant le programme Intel® Self Test pour Carte mère Intel® DG965RY pour PC de bureau .

Fournisseur de module / Module partie nombre Taille du module Module vitesse (MHz) Latence CL-tRCD-tRP ECC ou Non ECC ? Organisation de DIMM Module Date Code Composant utilisé / Comp partie nombre
Crucial * CT12864AA53E.16FB 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0644 Micron * MT47H64M8B6
Crucial CT12864AA53E.8FE 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0648 Micron MT47H128M8HQ
Crucial CT12864AA667.16FB 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0602 Micron MT47H64M8CB-3:B
Crucial CT12864AA667.16FD 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0650 Micron MT47H64M8B6
Crucial CT12864AA80E.16FD 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0645 Micron MT47H64M8B6
Crucial CT12864AA80E.16FD 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E:D
Crucial CT25664AA667.16FE 2 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0652 Micron MT47H128M8HQ
Crucial CT3264AA667.4FB 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0527 Micron MT47H32M16CC-3:B
Crucial CT3264AA80E.4FD 256 MO 800 6-6-6 Non-ECC SSx16 0646 Micron MT47H32M16BN
Crucial CT12864AA667.8FE 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0651 Micron MT47H128M8HQ
Crucial CT25664AA53E.16FE 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0651 Micron MT47H128M8HQ
Crucial CT6464AA53E.4FE 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0648 Micron MT47H64M16HR
Crucial CT6464AA53E.8FD 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0645 Micron MT47H64M8B6
Crucial CT6464AA667.4FE 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
Crucial CT6464AA667.4FE 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
Crucial CT6464AA667.4FE 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
Crucial CT6464AA667.8FB 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0543 Micron MT47H64M8CB-3:B
Crucial CT6464AA80E.8FD 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E:D
Crucial CT6464AA80E.8FD 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6
Crucial CT6464AA80E.8FD 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6
Hynix * AB HYMP512U64AP8-S5 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0549 Hynix HY5PS12821A FP-5 529A
Hynix HYMP564U64AP8-S5 AA 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0535 Hynix HY5PS12821A FP-5 529A
Kingston * KVR533D2N4K2/1 G 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0125 Elpida * E5108AHSE-8F-E
Kingston KVR533D2N4K2/1 G 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 S/O Micron MT47H64M8B6-25E:d
Kingston KVR533D2N4K2/512 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 S/O Micron MT47H64M8B6-25E:d
Micron MT16HTF25664AY-80EE1 2 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0718 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT16HTF12864AY-53ED4 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0621 Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF12864AY-53ED4 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0620 Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF12864AY-53ED4 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0644 Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF12864AY-667A3 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0508 Micron MT47H64M8BT-3:A
Micron MT16HTF12864AY-667B3 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0602 Micron MT47H64M8CB-3:B
Micron MT16HTF12864AY-80ED4 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E:D
Micron MT16HTF12864AY-80ED4 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0645 Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF25664AY-53EE1 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0651 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT8HTF12864AY-53EE1 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0648 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT8HTF12864AY-667 D 1 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0651 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT8HTF12864AY667D4 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0650 Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF25664AY-667E1 2 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0652 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT16HTF25664AY-800E1 2 GO 800 6-6-6 Non-ECC DSx8 0716 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT16HTF25664AY-800EE1 2 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0716 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT4HTF3264AY-53ED3 256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0612 Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-53ED3 256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0605 Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-667B1 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0527 Micron MT47H32M16CC-3:B
Micron MT4HTF3264AY-667 D 3 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0604 Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-800 D 3 256 MO 800 6-6-6 Non-ECC SSx16 0646 Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-800 D 3 256 MO 800 6-6-6 Non-ECC SSx16 0646 Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-80ED3 256 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx16 0611 Micron MT47H32M16BN-25E:D
Micron MT4HTF6464AY-53EE1 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0648 Micron MT47H64M16HR
Micron MT4HTF6464AY-667E1 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
Micron MT4HTF6464AY-667E1 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
Micron MT4HTF6464AY-667E1 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
Micron MT8HTF6464AY-53ED7 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6
Micron MT8HTF6464AY-53ED7 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0645 Micron MT47H64M8B6
Micron MT8HTF6464AY-667B3 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0542 Micron MT47H64M8CB-3:B
Micron MT8HTF6464AY-667 D 7 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0646 Micron MT47H64M8B6
Micron MT8HTF6464AY-667 D 7 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0604 Micron MT47H64M8B6
Micron MT8HTF6464AY-80ED4 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E:D
Micron MT8HTF6464AY-80ED4 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6
Micron MT8HTF6464AY-80ED4 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6
Samsung * M378T2953CZ3-19 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0518 Samsung K4T51083QC-ZCE6
Samsung M378T2953CZ3-CE7 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0548 Samsung K4T51083QC-ZCE7
Samsung M378T2953EZ3-19 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0702 Samsung K4T51083QE-ZCE6
Samsung M378T2953EZ3-CE7 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0705 Samsung K4T51083QE-ZCE7
Samsung M378T2953EZ3-CF7 1 GO 800 6-6-6 Non-ECC DSx8 0704 Samsung K4T51083QE-ZCF7
Samsung M378T3354CZ3-19 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0522 Samsung K4T51163QC-ZCE6
Samsung M378T3354EZ3-19 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0704 Samsung K4T51163QE-ZCE6
Samsung M378T3354EZ3-CE7 256 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx16 0704 Samsung K4T51163QE-ZCE7
Samsung M378T3354EZ3-CF7 256 MO 800 6-6-6 Non-ECC SSx16 0705 Samsung K4T51163QE-ZCF7
Samsung M378T6553CZ3-19 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0525 Samsung K4T51083QC-ZCE6
Samsung M378T6553CZ3-CE7 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0548 Samsung K4T51083QC-ZCE7
Samsung M378T6553EZ3-19 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0705 Samsung K4T51083QE-ZCE6
Samsung M378T6553EZ3-CE7 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0705 Samsung K4T51083QE-ZCE7
Samsung M378T6553EZ3-CF7 512 MO 800 6-6-6 Non-ECC SSx16 0705 Samsung K4T51083QE-ZCF7
WINTAC * 39138284C ; W31008 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0631 Samsung K4T51083QC-ZCE7 Die C vert
WINTAC 39128284C ; W31007 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0631 Samsung K4T51083QC-ZCE7 Die C vert

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® DG965RY pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-026602
Date de création : le 23 mai 2007
Dernière mise à jour : le 7 février 2012
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