Cartes mères
Carte mère Intel® DG965OT pour PC de bureau
Mémoire système

Mise à jour : Mai 2008

Fonctionnalités de la mémoire système
La carte propose quatre connecteurs DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 1,8 V (uniq.) DDR2 mémoire DIMM SDRAM avec contacts plaqués or.
  • Modules de mémoire DIMM sans tampon, recto ou recto verso avec la restriction suivante : les barrettes DIMM empilables avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
  • 8 Go de mémoire système totale maximale à l'aide de DDR2 667 ou DDR2 533 DIMM.
  • 4 Go de mémoire système totale maximale à l'aide de modules de mémoire DIMM DDR2 800.
  • Mémoire minimum : 512 Mo.
  • Modules de mémoire DIMM non-ECC.
  • Détection de la présence de série.
  • Mémoire DDR2 800, DDR2 667 ou barrettes DIMM de mémoire SDRAM DDR2 à 533 MHz.
  • Barrettes DIMM DDR2 de 800 avec minutage SPD de seulement 5-5-5 ou 6-6-6 (tCL-tRCD-tRP)
Remarque Un minimum de 512 Mo de mémoire système est nécessaire pour activer intégralement les graphiques intégrés et le moteur de la facilité de gestion.

Remarque Pour être entièrement compatibles avec toutes les spécifications de mémoire DDR SDRAM, la carte doit être équipée de barrettes DIMM qui prennent en charge la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer correctement les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si mémoire non SPD est installé, le BIOS va tenter de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais la fiabilité et les performances peuvent être affectés ou les barrettes peuvent ne fonctionner sous la fréquence déterminée.

Configurations DIMM prises en charge
Le tableau suivant répertorie les configurations DIMM prises en charge.

Type de DIMM Technologie SDRAM Plus petit utilisable DIMM (un x 16 DIMM simple face) DIMM utilisable plus grand (un x 8 DIMM Double face) Capacité maximale avec quatre identiques x 8 DIMMs recto-verso
MÉMOIRE DDR2 533 256 Mbits 128 MO 512 MO 2 GO
MÉMOIRE DDR2 533 512 Mbits 256 MO 1 GO 4 GO
MÉMOIRE DDR2 533 1 GB 512 MO 2 GO 8 GO
DDR2 667 256 Mbits 128 MO 512 MO 2 GO
DDR2 667 512 Mbits 256 MO 1 GO 4 GO
DDR2 667 1 GB 512 MO 2 GO 8 GO
MÉMOIRE DDR2 800 256 Mbits 128 MO 512 MO 2 GO
MÉMOIRE DDR2 800 512 Mbits 256 MO 1 GO 4 GO

Remarque Quel que soit le type de module DIMM utilisé, la fréquence de mémoire sera égale ou inférieure à la fréquence de bus du processeur système. Par exemple, si la mémoire DDR2 800 est utilisée avec un processeur de fréquence de bus système 533 MHz, la mémoire fonctionne à 533 MHz. Le tableau ci-dessous répertorie les fréquences de mémoire basé sur la combinaison de modules de mémoire DIMM et processeurs résultant.


Type de DIMM Fréquence de bus système de processeur Fréquence de mémoire résultants
MÉMOIRE DDR2 533 533 MHz 533 MHz
MÉMOIRE DDR2 533 800 MHz 533 MHz
MÉMOIRE DDR2 533 1066 MHz 533 MHz
DDR2 667 533 MHz 533 MHz
DDR2 667 800 MHz À 667 MHz
DDR2 667 1066 MHz À 667 MHz
MÉMOIRE DDR2 800 533 MHz 533 MHz
MÉMOIRE DDR2 800 800 MHz 800 MHz
MÉMOIRE DDR2 800 1066 MHz 800 MHz

Mémoire testée

tierce partie testé mémoire*
3ème partie testé mémoire se produit comme demandé par les fournisseurs de mémoire et est testée en une maison de mémoire indépendants qui ne fait pas partie de Intel - laboratoires de Test mémoire ordinateur (CMTL).

Fournisseur mémoire testée par son
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test commun à utiliser comme contrôle de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertorié ici a été testées par le fabricant ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros de référence ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais menés à l'aide du programme d'auto-test d'Intel pour Carte mère Intel® DG965OT pour PC de bureau .

Module fournisseur / Module partie numéro Taille du module Vitesse du module (MHz) Latence CL-tRCD-tRP ECC ou Non-ECC ? Organisation de DIMM Code de Date de module Composant utilisé / Comp numéro de pièce
Crucial * CT12864AA53E.8FE 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0648 Micron * MT47H128M8HQ
CT12864AA667.16FB essentielles 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0602 Micron MT47H64M8CB-3:B
CT12864AA667.16FD essentielles 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0650 Micron MT47H64M8B6
CT12864AA80E.16FD essentielles 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0645 Micron MT47H64M8B6
CT12864AA80E.16FD essentielles 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E:D
CT25664AA667.16FE essentielles 2 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0652 Micron MT47H128M8HQ
CT3264AA667.4FB essentielles 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0527 Micron MT47H32M16CC-3:B
CT12864AA667.8FE essentielles 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0651 Micron MT47H128M8HQ
CT25664AA53E.16FE essentielles 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0651 Micron MT47H128M8HQ
CT6464AA53E.4FE essentielles 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0648 Micron MT47H64M16HR
CT6464AA667.4FE essentielles 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
CT6464AA667.4FE essentielles 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
CT6464AA667.4FE essentielles 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
CT6464AA667.8FB essentielles 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0543 Micron MT47H64M8CB-3:B
CT6464AA80E.8FD essentielles 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E:D
CT6464AA80E.8FD essentielles 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6
Hynix * HYMP512U64AP8-S5 AB 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0549 Hynix HY5PS12821A FP-5 s 529A
Hynix HYMP564U64AP8-S5 AA 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0535 Hynix HY5PS12821A FP-5 s 529A
Kingston * KVR800D2N5 / 1G 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0125 Elpida * E5108AHSE-8E-E
Kingston KVR800D2N5 / 1G 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 N/A Micron MT47H64M8B6-25E:d
Kingston KVR800D2N5/512 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 N/A Micron MT47H64M8B6-25E:d
Micron MT16HTF25664AY-80EE1 2 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0718 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT16HTF12864AY-53ED4 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0621 Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF12864AY-53ED4 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0620 Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF12864AY-667A3 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0508 Micron MT47H64M8BT-3:A
Micron MT16HTF12864AY-667B3 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0602 Micron MT47H64M8CB-3:B
Micron MT16HTF12864AY-80ED4 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E:D
Micron MT16HTF12864AY-80ED4 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0645 Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF25664AY-53EE1 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0651 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT8HTF12864AY-53EE1 1 GO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0648 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT8HTF12864AY 667D 1 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0651 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT8HTF12864AY667D4 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0650 Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF25664AY-667E1 2 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0652 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT16HTF25664AY-800E1 2 GO 800 6-6-6 Non-ECC DSx8 0716 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT16HTF25664AY-800EE1 2 GO 800 6-6-6 Non-ECC DSx8 0716 Micron MT47H128M8HQ
Micron MT4HTF3264AY-53ED3 256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0612 Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-53ED3 256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0605 Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-667B1 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0527 Micron MT47H32M16CC-3:B
Micron MT4HTF3264AY - 667D 3 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0604 Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY - 800D 3 256 MO 800 6-6-6 Non-ECC SSx16 0646 Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-80ED3 256 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx16 0611 Micron MT47H32M16BN-25E:D
Micron MT4HTF6464AY-53EE1 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0648 Micron MT47H64M16HR
Micron MT4HTF6464AY-667E1 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
Micron MT4HTF6464AY-667E1 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
Micron MT4HTF6464AY-667E1 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0708 Micron MT47H64M16HR
Micron MT8HTF6464AY-53ED7 512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6
Micron MT8HTF6464AY-667B3 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0542 Micron MT47H64M8CB-3:B
7 micron MT8HTF6464AY - 667D 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0646 Micron MT47H64M8B6
7 micron MT8HTF6464AY - 667D 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0604 Micron MT47H64M8B6
Micron MT8HTF6464AY-80ED4 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6-25E:D
Micron MT8HTF6464AY-80ED4 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0610 Micron MT47H64M8B6
Samsung * M378T2953CZ3-CE6 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0518 Samsung K4T51083QC-ZCE6
Samsung M378T2953CZ3-CE7 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0548 Samsung K4T51083QC-ZCE7
Samsung M378T2953EZ3-CE6 1 GO 667 5-5-5 Non-ECC DSx8 0702 Samsung K4T51083QE-ZCE6
Samsung M378T2953EZ3-CE7 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0705 Samsung K4T51083QE-ZCE7
Samsung M378T2953EZ3-CF7 1 GO 800 6-6-6 Non-ECC DSx8 0704 Samsung K4T51083QE-ZCF7
Samsung M378T3354CZ3-CE6 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0522 Samsung K4T51163QC-ZCE6
Samsung M378T3354EZ3-CE6 256 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx16 0704 Samsung K4T51163QE-ZCE6
Samsung M378T3354EZ3-CE7 256 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx16 0704 Samsung K4T51163QE-ZCE7
Samsung M378T3354EZ3-CF7 256 MO 800 6-6-6 Non-ECC SSx16 0705 Samsung K4T51163QE-ZCF7
Samsung M378T6553CZ3-CE6 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0525 Samsung K4T51083QC-ZCE6
Samsung M378T6553CZ3-CE7 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0548 Samsung K4T51083QC-ZCE7
Samsung M378T6553EZ3-CE6 512 MO 667 5-5-5 Non-ECC SSx8 0705 Samsung K4T51083QE-ZCE6
Samsung M378T6553EZ3-CE7 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0705 Samsung K4T51083QE-ZCE7
Samsung M378T6553EZ3-CF7 512 MO 800 6-6-6 Non-ECC SSx16 0705 Samsung K4T51083QE-ZCF7
WINTAC * 39138284C ;W31008 1 GO 800 5-5-5 Non-ECC DSx8 0631 Matrice de C vert Samsung K4T51083QC-ZCE7
WINTAC 39128284C ;W31007 512 MO 800 5-5-5 Non-ECC SSx8 0631 Matrice de C vert Samsung K4T51083QC-ZCE7

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® DG965OT pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-026604
Dernière modification : 09-Oct-2014
Date de création : 23-May-2007
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