Fonctionnalités de la mémoire système Le Conseil a quatre connecteurs DIMM et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivants :
- Deux canaux de mémoire indépendante avec support du mode entrelacé
- Appuient non-ECC, unbuffered, recto ou recto-verso DIMM avec x 8 Organisation
- 32 Go de mémoire système totale maximale (grâce à la technologie de mémoire de 4 Go)
- Mémoire système totale minimum: 1 Go à l'aide du module 1 Go x 8
- Serial presence detect
- DDR3 1333 MHz et mémoire DIMM SDRAM DDR3 1066 MHz
Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications applicables de mémoire DDR SDRAM, le jury doit être renseigné avec DIMM que soutien la présence série détecte de structure de données (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et le chipset correctement configurer les paramètres de mémoire pour une performance optimale du programme. Si la mémoire non-SPD est installée, le BIOS tente de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais performances et la fiabilité pourraient être touchés ou les DIMM peuvent ne pas fonctionner selon la fréquence déterminée.
1,5 V est recommandée et réglage par défaut pour tension de mémoire DDR3. Les autres paramètres de tension de mémoire dans le programme de configuration du BIOS sont fournis pour des fins uniquement le réglage des performances. Modifier la tension de la mémoire peut (i) réduire la stabilité du système et la durée de vie utile de la système, mémoire et processeur ; (ii) causent le processeur et les autres composants du système d'engrenage ; (iii) causent des réductions dans les performances du système ; (iv) provoquer une chaleur supplémentaire ou tout autre dommage ; et l'intégrité des données (v) affecter système.
Intel n'a pas testé et ne garantit pas le fonctionnement du processeur au-delà de ses spécifications. Pour plus d'informations sur la garantie de processeur, se référer aux Informations de garantie processeur.
Configurations de mémoire prises en charge
| Capacité DIMM |
Configuration |
Densité SDRAM |
SDRAM organisation Front-côté/arrière |
Nombre de périphériques de mémoire SDRAM | | 512 MO |
Simple face |
1 Gbit |
64 M x 16 / vide |
4 | | 1 GO |
Simple face |
1 Gbit |
128 M x 8 / vide |
8 | | 1 GO |
Simple face |
2 Gbit |
128 M x 16 / vide |
4 | | 2 GO |
Recto-verso |
1 Gbit |
128 M x 8 / 128 M x 8 |
16 | | 2 GO |
Simple face |
2 Gbit |
128 M x 16 / vide |
8 | | 4 GO |
Recto-verso |
2 Gbit |
M x 8 256 / 256 M x 8 |
16 | | 8 GB |
Recto-verso |
4 Gbit |
512 M x 8 / 512 M x 8 |
16 |
|
Tiers des mémoires testées
Ordinateur mémoire Test Labs * (CEAM) tests de mémoire tiers pour assurer la compatibilité avec les cartes mères Intel tel que demandé par les fabricants de mémoire. Voir la CEAM testés liste de mémoire pour la Carte mère Intel® DB65AL pour PC de bureau .
Le tableau ci-dessous répertorie les composants qui ont réussi le test pendant le développement. Ces numéros ne soient pas disponibles pendant le cycle de vie du produit.
| Fabricant de modules |
Numéro de pièce de module |
Taille du module |
Vitesse de module |
ECC ou Non ECC |
Fabricant de composant |
Numéro de pièce de composant | | Hynix * |
HMT112U6BFR8C-G7 |
1 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT112U6BFR8C-G7 | | Hynix |
HMT112U6AFP8C-H9 |
1 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT112U6AFP8C-H9 | | Hynix |
HMT125U7AFP8C-G7T0 |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT125U6AFP8C-G7T0 | | Hynix |
HMT125U6BFR8C-H9 |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT125U6BFR8C-H9 | | Hynix |
HMT351U6AFR8C-G7 |
4 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT351U6AFR8C-G7 | | Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 |
4 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT351U6AFR8C-H9 | | Micron * |
MT8JTF12864AY-1G1D1 |
1 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT8JTF12864AY-1G1D1 | | Micron |
MT8JTF12864AY-1G4D1 |
1 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT8JTF12864AY-1G4D1 | | Micron |
MT16JTF25664AY-1G1D1 |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT16JTF25664AY-1G1D1 | | Micron |
MT16JTF25664AZ-1G4F1 |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT16JTF25664AZ-1G4F1 | | Micron |
MT16JTF51264AZ-1G1D1 |
4 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT16JTF51264AZ-1G1D1 | | Micron |
MT16JTF51264AZ-1G4D |
4 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT16JTF51264AZ-1G4D | | Samsung * |
M378B2873DZ1-CF8 |
1 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B2873DZ1-CF8 | | Samsung |
M378B2873EH1-CH9 |
1 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B2873EH1-CH9 | | Samsung |
M378B5673DZ1-CF8 |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B5673DZ1-CF8 | | Samsung |
M378B5673DZ1-CH9 |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B5673DZ1-CH9 | | Samsung |
M378B5273BH1-CF8 |
4 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B5273BH1-CF8 | | Samsung |
M378B5273BH1-SILVA |
4 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M378B5273BH1-SILVA |
|
Cela s'applique à :
|