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Mise à jour : 30 novembre 2006
Fonctionnalités de mémoire système La Commission a quatre connecteurs DIMM et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :
- 1,8 V et 1,9 V DDR2 SDRAM DIMM
- DIMM sans tampon, recto ou recto-verso avec la restriction suivante : DIMM recto-verso avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
- 8 Go de mémoire système totale maximum
- Mémoire système totale minimum : 128 MB
- DIMM ECC et non - ECC DIMM
- Détection de la présence de série
- DDR2 667 et 533 MHz SDRAM DIMM
Note Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications applicables de mémoire DDR SDRAM, le Conseil devrait être rempli avec DIMM supportant la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et du programme du chipset pour configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales avec précision. Si la mémoire non-SPD est installé, le BIOS tente de configurer correctement les paramètres de la mémoire, mais performances et fiabilité peuvent être touchés ou la DIMM peut ne pas fonctionner sous la fréquence déterminée.
Configurations prises en charge des modules DIMM Le tableau suivant répertorie les configurations prises en charge de la DIMM.
| Capacité DIMM |
Configuration (Note 1) |
SDRAM densité |
SDRAM organisation Front-et Back-côté |
Nombre de dispositifs de mémoire SDRAM (Note 2) | | 128 MO |
SS |
256 Mbit |
16 M x 16 ou vides |
4 [5] | | 256 MO |
SS |
256 Mbit |
32 M x 8 ou vides |
8 [9] | | 256 MO |
SS |
512 Mbit |
32 M x 16 ou vides |
4 [5] | | 512 MO |
DS |
256 Mbit |
32 X 8/32 mètres x 8 |
16 [18] | | 512 MO |
SS |
512 Mbit |
64 M x 8 ou vides |
8 [9] | | 512 MO |
SS |
1 Gbit |
64 M x 16 ou vides |
4 [5] | | 1024 MO |
DS |
512 Mbit |
64 M x 8/64 M x 8 |
16 [18] | | 1024 MO |
SS |
1 Gbit |
M 128 x 8 ou vides |
8 [9] | | 2048 MO |
DS |
1 Gbit |
128 X 8/128 mètres x 8 |
16 [18] |
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Notes :
- Dans la deuxième colonne, « DS » fait référence à des modules de mémoire à double face (contenant deux rangées de SDRAM) et « SS » se réfère à des modules de mémoire recto (contenant une ligne de SDRAM).
- Dans la cinquième colonne, le nombre entre parenthèses indique le nombre de dispositifs de mémoire SDRAM sur un DIMM ECC.
Mémoire testée
Vendeur auto tests mémoire Intel fournit des vendeurs de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test de mémoire commun à utiliser comme une extraction de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertoriée ici était que soit mis à l'essai par le vendeur de mémoire ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros ne soient pas facilement accessibles tout au long du cycle de vie du produit.
Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé les tests effectués à l'aide du programme de Self Test d'Intel pour Carte mère Intel® D955XCS pour PC de bureau .
Module fournisseur Module Numéro |
Taille du module (MB) |
Module vitesse (MHz) |
Temps de latence CL-tRCD-tRP |
ECC ou Non-ECC ? |
DIMM Organisation |
Module Code de date |
Composant utilisé Numéro de pièce COMP | Micron MT16HTF12864AY-667B3 |
1024 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
DSx8 |
0528 |
Micron MT47H64M8CB | Micron MT16HTF12864AY-667 D 4 |
1024 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
DSx8 |
0602 |
Micron MT47H64M8B6 | Micron MT16HTF6464AY-667B4 |
512 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
DSx8 |
0515 |
Micron MT47H32M8BP | Micron MT8HTF6464AY-667B3 |
512 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx8 |
0527 |
Micron MT47H64M8CB | Micron MT8HTF6464AY-667B8 |
512 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx8 |
0529 |
Micron MT47H64M8CB | Micron MT8HTF6464AY-667B3 |
512 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx8 |
0542 |
Micron MT47H64M8CB | Micron MT8HTF6464AY-667 D 7 |
512 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx8 |
0601 |
Micron MT47H64M8B6 | Micron MT8HTF3264AY-667B5 |
256 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx8 |
0530 |
Micron MT47H32M8BP | Micron MT4HTF3264AY-667B2 |
256 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx16 |
0527 |
Micron MT47H32M16CC | Micron MT8HTF3264AY-667B6 |
256 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx8 |
0515 |
Micron MT47H32M8PB | Samsung M378T2953CZ3-19 |
1 GO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
DSx8 |
0542 |
Samsung K4T51083QC-ZCE6 | Samsung M378T6553CZ3-19 |
512 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx8 |
0535 |
Samsung K4T51083QC-ZCE6 | Samsung M378T3354CZ3-19 |
256 MO |
667 |
5-5-5 |
Non-ECC |
SSx16 |
0543 |
Samsung K4T51163QC-ZCE6 | Micron MT16HTF12864AY-53ED4 |
1024 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
DSx8 |
0611 |
Micron MT47H64M8B6 | Micron MT16HTF12864AY-53EB1 |
1024 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
DSx8 |
0524 |
Micron MT47H64M8CB | Micron MT8HTF6464AY-53ED7 |
512 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx8 |
0612 |
Micron MT47H64M8B6 | Micron MT8HTF6464AY-53EB3 |
512 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx8 |
0522 |
Micron MT47H64M8CB | Micron MT8HTF6464AY-53EB8 |
512 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx8 |
0519 |
Micron MT47H64M8CB | Micron MT16HTF6464AY-53EB2 |
512 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
DSx8 |
0506 |
Micron MT47H32M8BP | Micron MT4HTF3264AY-53EB2 |
256 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx16 |
0527 |
Micron MT47H32M16CC | Micron MT8HTF3264AY-53EB3 |
256 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx8 |
0535 |
Micron MT47H32M8BP | Micron MT4HTF1664AY-53EB1 |
128 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx16 |
0551 |
Micron MT47H16M16BG | Samsung M378T2953CZ3-CD5 |
1 GO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
DSx8 |
0537 |
Samsung K4T51083QC-ZCD5 | Samsung M378T6553CZ3-CD5 |
512 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx8 |
0541 |
Samsung K4T51083QC-ZCD5 | Samsung M378T3354CZ3-CD5 |
256 MO |
533 |
4-4-4 |
Non-ECC |
SSx16 |
0541 |
Samsung K4T51163QC-ZCD5 |
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Cela s'applique à :
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