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Fonctionnalités de mémoire système Le Conseil a deux connecteurs DIMM et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :
- 1.8V (seulement) DDR2 SDRAM DIMM avec contacts plaqués or
- DIMM sans tampon, recto ou recto-verso avec la restriction suivante : DIMM recto-verso avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge
- 2 Go de mémoire système totale maximum
- Mémoire système totale minimum : 128 MB
- Non-ECC DIMM
- Détection de la présence de série
- DDR2 667, DDR2 533 ou DDR2 400 MHz SDRAM DIMM
| Notes |
- Supprimer le PCI Express x 16 carte vidéo avant d'installer ou de mise à niveau de mémoire pour éviter toute interférence avec le mécanisme de rétention de mémoire.
- Quel que soit le type de module DIMM utilisé, la fréquence de la mémoire est soit égale ou inférieure à un système de traitement, fréquence de Bus. Par exemple, si la mémoire DDR2 533 est utilisé avec un processeur de fréquence de 800 MHz système Bus, la mémoire fonctionne à 533 MHz.
- Pour être entièrement conforme aux spécifications applicables de Intel® SDRAM, le Conseil devrait avoir des barrettes DIMM soutenant la structure de données de détection de présence série (SPD). Si vos modules de mémoire ne supportent pas le SPD, une notification affiche sur l'écran à la puissance de pied. Le BIOS tente de configurer le contrôleur de mémoire pour un fonctionnement normal.
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Configurations prises en charge des modules DIMM Le tableau suivant répertorie les configurations prises en charge de la DIMM.
| Capacité DIMM |
Configuration |
SDRAM densité |
SDRAM organisation avant/arrière |
Nombre de dispositifs de mémoire SDRAM | | 128 MO |
SS |
256 Mbit |
16 M x 16 ou vides 4 |
4 | | 256 MO |
SS |
256 Mbit |
32 M x 8/vide 8 |
8 | | 256 MO |
SS |
512 Mbit |
32 M x 16 ou vides 4 |
4 | | 512 MO |
DS |
256 Mbit |
32 M x 8/32 M x 16 8 |
16 | | 512 MO |
SS |
512 Mbit |
64 M x 8/vide 8 |
8 | | 512 MO |
SS |
1 Gbit |
64 M x 16 ou vides 4 |
4 | | 1024 MO |
DS |
512 Mbit |
64 M x 8/64 M x 8 16 |
16 | | 1024 MO |
SS |
1 Gbit |
M 128 x 8/vide 8 |
8 |
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| Note |
Dans la deuxième colonne, « DS » signifie pour les modules de mémoire à double face (deux rangées de SDRAM). « SS » signifie pour les modules de mémoire recto (une ligne de SDRAM). |
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Mémoire testée
3e partie testé mémoire* 3e partie testé mémoire survient comme demandé par les vendeurs de mémoire et est testé à une maison indépendante de mémoire qui n'est pas une partie d'Intel - Computer Memory Test Labs (CMTL).
Vendeur auto tests mémoire Intel fournit des vendeurs de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test de mémoire commun à utiliser comme une extraction de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertoriée ici terminée mise à l'essai par le vendeur de mémoire ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.
Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé les tests effectués à l'aide du programme Intel Self Test pour le Carte mère Intel® D945GCNL pour PC de bureau .
| Numéro de pièce pour le fournisseur/Module module |
Taille du module |
Module vitesse (en MHz) 1 |
Latence CL-tRCD-tRP |
ECC ou Non ECC ? |
Organisation de DIMM |
Module Date Code |
Numéro de pièce composant utilisé/Comp | | Corsair * VS256MB667D2 |
256 MO |
667 |
|
Non-ECC |
|
|
| | ELPIDA * EBE11UD8AEFA-6F-E |
1 GO |
667 |
5/5/5 |
Non-ECC |
DSX8 |
514 |
ELPIDA E5108AE-6F-E | | Hynix * HYMP512U64CP8-Y5-AB |
1 GO |
667 |
5/5/5 |
Non-ECC |
DSX8 |
649 |
Hynix HY5PS12821CFP-Y5 | | Hynix HYMP532U64CP6 |
256 MO |
667 |
5/5/5 |
Non-ECC |
SSX8 |
626 |
Hynix HY5PS121621CFP-Y5 | | Hynix HYMP564U64BP8-S6 AB |
512 MO |
667 |
|
Non-ECC |
|
|
| | Hynix HYMP564U64P8-E3 |
512 MO |
400 |
3/3/3 |
Non-ECC |
SSX8 |
505 |
Hynix HY5PS12821FP-E3 | | Infineon * HYS64T32000HU-2,5-B |
256 MO |
800 |
6/6/6 |
Non-ECC |
|
|
| | Infineon HYS64T32000HU-3-B |
256 MO |
667 |
5/5/5 |
Non-ECC |
SSX16 |
540 |
QIMONDA * HYB18T512160BF-3 | | Infineon HYS64T3200HU-3,7-A |
256 MO |
533 |
4/4/4 |
Non-ECC |
SSX16 |
526 |
Infineon HY18T512160AF-3,7 | | Infineon HYS64T6400HU-2.5B |
512 MO |
800 |
6/6/6 |
Non-ECC |
SSX8 |
646 |
QIMONDA HYB18T5128008F-25 | | Kingston * KVR667D2N5 |
256 MO |
667 |
5/5/5 |
Non-ECC |
|
|
| | Micron * MT4HTF3264AY-53EB1 |
256 MO |
533 |
4/4/4 |
Non-ECC |
SSX16 |
524 |
Micron MT47H32M16CC | | Micron MT4HTF3264AY-800 D 3 |
256 MO |
800 |
6/6/6 |
Non-ECC |
SSX16 |
646 |
Micron MT47H32M16BN | | Micron MT4HTF5264AY-667B2 |
256 MO |
667 |
|
Non-ECC |
|
|
| | NT1GT64U8HB0BY-25 D NANYA * |
1 GO |
800 |
6/6/6 |
Non-ECC |
DSX8 |
703 |
NANYA NTSTU66M88E-25 D | | NANYA NT512T64U88B0BY-25 D |
512 MO |
800 |
6/6/6 |
Non-ECC |
SSX8 |
626 |
NANYA NTSTU66M88E-25 D | | Patriote * PSD21G6672 |
1 GO |
667 |
5/5/5 |
Non-ECC |
DSX8 |
446 |
Micron MT47H64M8BT-3 | | CFP * AL6E8E63B-8E1K |
512 MO |
800 |
|
Non-ECC |
|
|
| | RAMAXEL * RML1520HB38D6F-667 |
512 MO |
667 |
|
Non-ECC |
|
|
| | Samsung * KRM378T2953CZ0-19 |
1 GO |
667 |
5/5/5 |
Non-ECC |
DSX8 |
552 |
Samsung K4T51083QC | | Samsung M378T6453FGO-CD5 |
512 MO |
533 |
4/4/4 |
Non-ECC |
DSX8 |
422 |
Samsung K4T56083QF-GC05 | | Samsung M378T6553CZ3-CF7 |
512 MO |
800 |
6/6/6 |
Non-ECC |
SSX8 |
641 |
Samsung K4T51083QC-ZCF7 | | PUCE * TB4D2667C58D |
1 GO |
667 |
|
Non-ECC |
|
|
| | Super Talent * T800UB1GC4 |
1 GO |
800 |
|
Non-ECC |
|
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| 1Mémoire à 800 MHz fonctionne à 667 MHz.
Cela s'applique à :
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