Cartes mères
Carte mère Intel® D925XECV2 pour PC de bureau
Mémoire système

Fonctionnalités de mémoire système
Les conseils ont quatre connecteurs DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 1,8 V et 1,9 V DDR2 SDRAM DIMM
  • 3-3-3 calendrier de mémoire avec 1,9 V DIMM
  • DIMM sans tampon, recto ou recto-verso avec la restriction suivante : DIMM recto-verso avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
  • Mémoire système totale maximale de 4 Go
  • Mémoire système totale minimum : 128 MB
  • Non-ECC DIMM
  • Détection de la présence de série
  • Mémoire DDR2 533 MHz ou DDR2 400 MHz SDRAM DIMM
Notes
  • Le BIOS va reconnaître 1,9 V DIMM (via la structure de données SPD) et reconfigurer le circuit de régulateur de tension mémoire pour 1,9 V, 3-3-3 opération de synchronisation de mémoire.
  • Supprimer le PCI Express x 16 carte vidéo avant d'installer ou de mise à niveau de mémoire pour éviter toute interférence avec le mécanisme de rétention de mémoire.
  • Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications applicables de mémoire DDR SDRAM, le Conseil devrait être rempli avec DIMM supportant la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et du programme du chipset pour configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales avec précision. Si la mémoire non-SPD est installé, le BIOS tente de configurer correctement les paramètres de la mémoire, mais performances et fiabilité peuvent être touchés ou la DIMM peut ne pas fonctionner sous la fréquence déterminée.

Prise en charge des Configurations de mémoire

Capacité DIMM Configuration SDRAM densité SDRAM organisation Front-et Back-côté Nombre de dispositifs de mémoire SDRAM
128 MO SS 256 Mbit 16 M x 16 ou vides 4
256 MO SS 256 Mbit 32 M x 8 ou vides 8
256 MO SS 512 Mbit 32 M x 16 ou vides 4
512 MO DS 256 Mbit 32 X 8/32 mètres x 8 16
512 MO SS 512 Mbit 64 M x 8 ou vides 8
512 MO SS 1 Gbit 64 M x 16 ou vides 4
1024 MO DS 512 Mbit 64 M x 8/64 M x 8 16
1024 MO SS 1 Gbit M 128 x 8 ou vides 8
2048 MO DS 1 Gbit 128 X 8/128 mètres x 8 16


Note Dans la deuxième colonne, « DS » fait référence à des modules de mémoire à double face (contenant deux rangées de SDRAM) et « SS » se réfère à des modules de mémoire recto (contenant une ligne de SDRAM).


Mémoire testée

3e partie testé mémoire*
3e partie testé mémoire survient comme demandé par les vendeurs de mémoire et est testé à une maison indépendante de mémoire qui n'est pas une partie d'Intel. Mémoire testée par Computer Memory Test Labs (CMTL).

Vendeur auto tests mémoire
Intel fournit des vendeurs de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test de mémoire commun à utiliser comme une extraction de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertoriée ici était que soit mis à l'essai par le vendeur de mémoire ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros ne soient pas facilement accessibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé les tests effectués à l'aide du programme de Self Test d'Intel pourCarte mère Intel® D925XECV2 pour PC de bureau.
Module fournisseur
Module Numéro
Taille du module
(MB)
Module vitesse
(MHz)
Temps de latence
CL-tRCD-tRP
ECC ou
Non-ECC ?
DIMM
Organisation
Module
Code de date
Composant utilisé
Numéro de pièce COMP
APACER *
78.91066.420
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0423OWJ92 Elpida *
EDE5108ABSE-5 C-E
APACER
78.81067.460
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0431 Samsung *
K4T56083QF-GCD5
Hynix *
HYMP512U648-C4
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0424 Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP564U648-C4
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0424 Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP264U648-C4
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0423 Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP532U646-C4
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0426 Hynix
HY5PS121621F-C4
Hynix
HYMP232U648-C4
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0418 Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP216U646-C4
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0413 Hynix
HY5PS561621F-C4
Infineon Technologies *
HYS64T128020HU-3,7-A
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0434 Infineon Technologies
HYB18T512800AF-3,7
Infineon Technologies
HYS64T64000HU-3,7-A
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0446 Infineon Technologies
HYB18T512800AF-3,7
Infineon Technologies
HYS64T32001HU-3,7-A
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0436 Infineon Technologies
HYB18T256800AF-3,7
Infineon Technologies
HYS64T32000HU-3,7-A
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0436 Infineon Technologies
HYB18T512160AF-3,7
Kingston Technology *
KVR533D2N4/1 G
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0000 Infineon
HYB18T512800AC37
Kingston Technology
KVR533D2N4/512
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0000 Elpida
E5108AB-5 C-E
Kingston Technology
KVR533D2N4/256
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0000 Elpida
E5116AB-5 C-E
Pacifique Force Tech Fednav
PF-GEN-52297
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0440 Samsung
K4T56083QF-ZCD5
Super Talent électronique *
T533UB1GB
1024MB 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0515 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T533EB1GB
1024MB 533 4-4-4 ECC DSx8 0512 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T533EA512B
512 MO 533 4-4-4 ECC SSx8 0514 Infineon
HYB18T512 800AF37
Super Talent Electronics
T533EB512B
512 MO 533 4-4-4 ECC DSx8 0450 Samsung
K4T56083QF-GCD5
Super Talent Electronics
T533UA512B
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0514 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Hynix
HYMP264U648-E3
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP264U728-E3
512 MO 400 3-3-3 ECC DSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP232U648-E3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP232U728-E3
256 MO 400 3-3-3 ECC SSx8 0426 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP216U646-E3
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0418 Hynix
HY5PS561621F-E3
Infineon Technologies
HYS64128020HU-5-A
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0437 Infineon Technologies
HYB18T512800AF-5
Infineon Technologies
HYS64T64000HU-5-A
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0436 Infineon Technologies
HYB18T512800AF-5
Infineon Technologies
HYS64T32001HU-5-A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0438 Infineon Technologies
HYB18T256800AF-5
Infineon Technologies
HYS64T32000HU-5-A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0434 Infineon Technologies
HYB18T512160AF-5
Super Talent Electronics
T400EB1GA
1024MB 400 3-3-3 ECC DSx8 0513 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UB1GA
1024MB 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0512 Infineon
HYB18T512800AF5
Super Talent Electronics
T400EB512A
512 MO 400 3-3-3 ECC DSx8 0450 Samsung
K4T56083QF-GCD5
Super Talent Electronics
T400UA512A
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0514 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UA256A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0448 Samsung
K4T56083QF-CCCG

Mise à jour : 19 octobre 2005

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D925XECV2 pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-026979
Date de création : le 12 juin 2007
Dernière modification : le 30 juillet 2010
Retour au début