Cartes mères
Carte mère Intel® D925XEBC2 pour PC de bureau
Mémoire système

Fonctionnalités de la mémoire système
Les cartes ont quatre connecteurs DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 1.8 V et 1.9 – V DDR2 SDRAM DIMM
  • 3-3-3 minutage de mémoire avec des DIMM V 1.9
  • Modules de mémoire DIMM sans tampon, recto ou recto verso avec la restriction suivante : les barrettes DIMM empilables avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
  • 4 Go de mémoire système totale maximale
  • Mémoire minimum : 128 Mo
  • Modules de mémoire DIMM non-ECC
  • Détection de la présence de série
  • Mémoire DDR2 533 MHz ou DDR2 400 MHz SDRAM DIMM
Notes
  • Le BIOS reconnaît 1,9 V barrettes DIMM (par l'intermédiaire de la structure de données SPD) et reconfigurer le circuit de REGULATION de tension de mémoire pour 1,9 V, 3-3-3 opération d'horloge mémoire.
  • Supprimer le PCI Express x 16 carte graphique avant l'installation ou la mise à niveau de mémoire pour éviter les interférences avec le système de fixation.
  • Pour être entièrement compatibles avec toutes les spécifications de mémoire DDR SDRAM, la carte doit être équipée de barrettes DIMM qui prennent en charge la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer correctement les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si mémoire non SPD est installé, le BIOS va tenter de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais la fiabilité et les performances peuvent être affectés ou les barrettes peuvent ne fonctionner sous la fréquence déterminée.


Configurations de mémoire prises en charge

Capacité des DIMM Configuration de Densité SDRAM Mémoire SDRAM organisation côté/arrière-frontal Nombre de modules SDRAM
128 MO SS 256 Mbits 16 Mo x 16/vide 4
256 MO SS 256 Mbits 32 M x 8/vide 8
256 MO SS 512 Mbits 32 Mo x 16/vide 4
512 MO DS 256 Mbits 32 M x 8/32 M x 8 16
512 MO SS 512 Mbits 64 M x 8/vide 8
512 MO SS 1 GB 64 Mo x 16/vide 4
1 024 MO DS 512 Mbits 64 M x 8/64 M x 8 16
1 024 MO SS 1 GB 128 M x 8/vide 8
2 048 MO DS 1 GB 128 M x 8/128 M x 8 16


Remarque Dans la deuxième colonne, « DS » fait référence à des modules de mémoire recto-verso (contenant deux lignes de SDRAM) et « SS » fait référence aux modules de mémoire simple face (contenant une seule ligne de SDRAM).


Mémoire testée

tierce partie testé mémoire*
3ème partie testé mémoire se produit comme demandé par les fournisseurs de mémoire et est testée en une maison de mémoire indépendants qui ne fait pas partie d'Intel. Mémoire testée par ordinateur mémoire Test Labs (CMTL).

Fournisseur mémoire testée par son
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test commun à utiliser comme contrôle de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertorié ici a été testées par le fabricant ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros de référence ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais menés à l'aide du programme d'auto-test d'Intel pourCarte mère Intel® D925XEBC2 pour PC de bureau.
Module fournisseur
Numéro de référence de module
Taille du module
(MO)
Vitesse de module
(MHz)
Temps de latence
CL-tRCD-tRP
ECC ou
Non-ECC ?
DIMM
Employés-a
Module
Code de date
Composant utilisé
Numéro de pièce de comp
APACER *
78.91066.420
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0423OWJ92 Elpida *
EDE5108ABSE-5C-E
APACER
78.81067.460
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0431 Samsung *
K4T56083QF-GCD5
Hynix *
HYMP512U648-C4
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0424 Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP564U648-C4
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0424 Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP264U648-C4
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0423 Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP532U646-C4
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0426 Hynix
HY5PS121621F-C4
Hynix
HYMP232U648-C4
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0418 Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP216U646-C4
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0413 Hynix
HY5PS561621F-C4
Technologies Infineon *
HYS64T128020HU-3.7-A
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0434 Technologies Infineon
HYB18T512800AF-3.7
Technologies Infineon
HYS64T64000HU-3.7-A
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0446 Technologies Infineon
HYB18T512800AF-3.7
Technologies Infineon
HYS64T32001HU-3.7-A
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0436 Technologies Infineon
HYB18T256800AF-3.7
Technologies Infineon
HYS64T32000HU-3.7-A
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0436 Technologies Infineon
HYB18T512160AF-3.7
Kingston Technology *
KVR533D2N4 / 1G
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0000 Infineon
HYB18T512800
AC37
Kingston Technology
KVR533D2N4/512
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0000 Elpida
E5108AB-5C-E
Kingston Technology
KVR533D2N4/256
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0000 Elpida
E5116AB-5C-E
Ltd.* de sa Force Pacifique
PF-GEN-52297
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0440 Samsung
K4T56083QF-ZCD5
Super Talent Electronics *
T533UB1GB
1 024 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0515 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T533EB1GB
1 024 MO 533 4-4-4 ECC DSx8 0512 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T533EA512B
512 MO 533 4-4-4 ECC SSx8 0514 Infineon
HYB18T512 800AF37
Super Talent Electronics
T533EB512B
512 MO 533 4-4-4 ECC DSx8 0450 Samsung
K4T56083QF-GCD5
Super Talent Electronics
T533UA512B
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0514 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Hynix
HYMP264U648-E3
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP264U728-E3
512 MO 400 3-3-3 ECC DSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP232U648-E3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP232U728-E3
256 MO 400 3-3-3 ECC SSx8 0426 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP216U646-E3
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0418 Hynix
HY5PS561621F-E3
Technologies Infineon
HYS64128020HU-5-A
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0437 Technologies Infineon
HYB18T512800AF-5
Technologies Infineon
HYS64T64000HU-5-A
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0436 Technologies Infineon
HYB18T512800AF-5
Technologies Infineon
HYS64T32001HU-5-A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0438 Technologies Infineon
HYB18T256800AF-5
Technologies Infineon
HYS64T32000HU-5-A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0434 Technologies Infineon
HYB18T512160AF-5
Super Talent Electronics
T400EB1GA
1 024 MO 400 3-3-3 ECC DSx8 0513 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UB1GA
1 024 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0512 Infineon
HYB18T512800AF5
Super Talent Electronics
T400EB512A
512 MO 400 3-3-3 ECC DSx8 0450 Samsung
K4T56083QF-GCD5
Super Talent Electronics
T400UA512A
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0514 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UA256A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0448 Samsung
K4T56083QF-GCCC

Mise à jour : 19 décembre 2006

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D925XEBC2 pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-026980
Dernière modification : 30-Jul-2010
Date de création : 12-Jun-2007
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