Cartes mères
Carte mère Intel® D915PDT pour PC de bureau
Mémoire système

Fonctionnalités de la mémoire système
La carte propose deux barrettes DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 2,5 Modules V (uniq.) DIMM SDRAM DDR avec contacts plaqués or
  • Modules de mémoire DIMM sans tampon, recto ou recto verso avec la restriction suivante : les barrettes DIMM empilables avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
  • 2 Go de mémoire système totale maximale
  • Mémoire minimum : 128 Mo
  • Modules de mémoire DIMM non-ECC
  • Détection de la présence de série
  • Mémoire DDR 400 MHz et modules DIMM de mémoire SDRAM DDR 333 MHz

Remarque :
Pour être entièrement compatibles avec toutes les spécifications de mémoire DDR SDRAM, la carte doit être équipée de barrettes DIMM qui prennent en charge la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer correctement les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si mémoire non SPD est installé, le BIOS va tenter de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais la fiabilité et les performances peuvent être affectés ou les barrettes peuvent ne fonctionner sous la fréquence déterminée.


Fréquence de bus système et combinaisons de vitesse de mémoire prises en charge

Pour utiliser ce type de modules DIMM... Fréquence de bus système du processeur doit être...
MÉMOIRE DDR 400 800 MHz
Mémoire DDR 333 (Remarque) 533 ou 800 MHz
Remarque :
Lorsque vous utilisez un processeur de fréquence de bus système à 800 MHz, mémoire DDR 333 est pointé à l'arrivée à 320 MHz. Cela minimise les latences pour optimiser le débit du système.

Configurations des DIMM gérées

Capacité des DIMM Configuration de Densité SDRAM Mémoire SDRAM organisation côté/arrière-frontal Nombre de modules SDRAM
128 MO SS 256 Mbits 16 Mo x 16/vide 4
256 MO SS 256 Mbits 32 M x 8/vide 8
256 MO SS 512 Mbits 32 Mo x 16/vide 4
512 MO DS 256 Mbits 32 M x 8/32 M x 8 16
512 MO SS 512 Mbits 64 M x 8/vide 8
512 MO SS 1 GB 64 Mo x 16/vide 4
1 024 MO SS 1 GB 128 M x 8/vide 8
Remarque :
Dans la deuxième colonne, « DS » fait référence à des modules de mémoire recto-verso (contenant deux lignes de SDRAM) et « SS » fait référence aux modules de mémoire simple face (contenant une seule ligne de SDRAM).

Mémoire testée

Fournisseur mémoire testée par son
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test commun à utiliser comme contrôle de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertorié ici a été testées par le fabricant ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros de référence ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais menés à l'aide du programme d'auto-test d'Intel pour Carte mère Intel® D915PDT pour PC de bureau .

Module fournisseur
Numéro de référence de module
Taille du module
(MO)
Vitesse de module
(MHz)
Temps de latence
CL-tRCD-tRP
ECC ou
Non-ECC ?
DIMM
Organisation
Module
Code de date
Composant utilisé
Numéro de pièce de comp
Crucial *
CT16HTF6464AG53EB2
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0405 Micron *
MT47H32M8FP-37E
Essentiel
CT8HTF3264AG53EB3
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0405 Micron
MT47H32M8FP-37E
Essentiel
CT4HTF1664AG53EB1
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0416 Micron
MT47H16M16FG-37E
Hynix *
HYMP512U648-C4
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0424 Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP564U648-C4
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0424 Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP264U648-C4
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0423 Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP232U648-C4
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0418 Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP532U646-C4
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0426 Hynix
HY5PS121621F-C4
Hynix
HYMP216U646-C4
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0413 Hynix
HY5PS561621F-C4
Technologies Infineon *
HYS64T128020HU-3.7-A
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0434 Technologies Infineon
HYB18T512800AF-3.7
Technologies Infineon
HYS64T64000HU-3.7-A
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0446 Technologies Infineon
HYB18T512800AF-3.7
Technologies Infineon
HYS64T32001HU-3.7-A
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0436 Technologies Infineon
HYB18T256800AF-3.7
Technologies Infineon
HYS64T32000HU-3.7-A
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0436 Technologies Infineon
HYB18T512160AF-3.7
Kingston Technology *
KVR533D2N4/512
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0000 Elpida *
E5108AB-5C-E
Micron
MT16HTF12864AY-53ED4
1 024 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0611 Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT18HTF12872AY-53EB1
1 024 MO 533 4-4-4 ECC DSx8 0511 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF12864AY-53EB1
1 024 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0511 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT8VDDT6464AY-53ED7
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0612 Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT16HTF6464AG-53EB2
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0405 Micron
MT47H32M8FP-37E
Micron
MT16HTF6464AY-53EB2
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0506 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY-53EB3
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0504 Micron
MT47H64M8CB-37E
Micron
MT8HTF6464AY-53EB8
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0519 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT4HTF3264AY-53ED3
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0605 Micron
MT47H32M16BN
Micron
MT4HTF3264AY-53EB1
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0524 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY-53EB2
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0527 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AY-53EB5
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0524 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF3264AG-53EB3
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0405 Micron
MT47H32M8FP-37E
Micron
MT8HTF3264AY-53EB3
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0422 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG-53EB1
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0416 Micron
MT47H16M16FG-37E
Micron
MT4HTF1664AY-53EB1
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0434 Micron
MT47H16M16BG
Samsung *
M378T2953BG0-CD5
1 024 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0414 Samsung
K4T51083QB-GCD5
Super Talent Electronics *
T533UB1GB
1 024 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0515 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Samsung
M378T6553BG0-CD5
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0412 Samsung
K4T51083QB-GCD5
Super Talent Electronics
T533UA512B
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0514 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Essentiel
CT16HTF6464AG40EB2
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0402 Micron
MT47H32M8FP-5E
Essentiel
CT8HTF3264AG40EB3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0352 Micron
MT47H32M8FP-5E
Essentiel
CT4HTF1664AG40EB1
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0352 Micron
MT47H16M16FG-5E
Hynix
HYMP264U648-E3
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP232U648-E3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP216U646-E3
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0418 Hynix
HY5PS561621F-E3
Technologies Infineon
HYS64T128020HU-5-A
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0437 Technologies Infineon
HYB18T512800AF-5
Technologies Infineon
HYS64T64000HU-5-A
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0436 Technologies Infineon
HYB18T512800AF-5
Technologies Infineon
HYS64T32001HU-5-A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0438 Technologies Infineon
HYB18T256800AF-5
Technologies Infineon
HYS64T32000HU-5-A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0434 Technologies Infineon
HYB18T512160AF-5
Micron
MT16HTF12864AY-40EB1
1 024 MO 400 4-4-4 Non-ECC DSx8 0504 Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF6464AY-40EB8
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0523 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF6464AG-40EB2
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0402 Micron
MT47H32M8FP-5E
Micron
MT16HTF6464AY-40EB2
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0507 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY-40EB3
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0504 Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF6464AY-40EB9
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0507 Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF3264AY-40EB3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0528 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF3264AY-40EB2
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0523 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY-40EB1
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0521 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AG-40EB3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0352 Micron
MT47H32M8FP-5E
Micron
MT8HTF3264AY-40EB5
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0524 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG-40EB1
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0352 Micron
MT47H16M16FG-5E
Micron
MT4HTF1664AY-40EB1
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0434 Micron
MT47H16M16BG
Samsung
CCC-M368L2923DUN
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0540 Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
CCC-M368L6523DUD
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0549 Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
CCC-M378T6453FG0
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0414 Samsung
K4T56083QF-GCCC
Samsung
CCC-M378T3253FG0
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0414 Samsung
GCC-K4T56083QF
Super Talent Electronics
T400UB1GA
1 024 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0512 INFINEON
HYB18T512800AF5
Super Talent Electronics
T400UA512A
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0514 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UA256A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0448 Samsung
K4T56083QF-GCCC
Micron
MT8VDDT6464AG - 335D 1
512 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC SSx8 0450 Micron
MT46V64M8TG-5E

Les informations contenues sur cette page s'applique également aux Intel® Desktop Board D915GRF, sauf indication contraire.

Mise à jour : Décembre 4, 2006

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D915PDT pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-026984
Dernière modification : 30-Jul-2010
Date de création : 12-Jun-2007
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