Carte mère Intel® D915PCM pour PC de bureau

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Carte mère Intel® D915PCM pour PC de bureau

Mémoire système

Fonctionnalités de mémoire système
La Commission a quatre connecteurs DIMM et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

1,8 V (seul) DDR2 SDRAM DIMM avec contacts plaqués or
DIMM sans tampon, recto ou recto-verso avec la restriction suivante : DIMM recto-verso avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge
Mémoire système totale maximale de 4 Go
Mémoire système totale minimum : 128 MB
Non-ECC DIMM
Détection de la présence de série
Mémoire DDR2 533 MHz ou DDR2 400 MHz SDRAM DIMM

Notes

Supprimer le PCI Express x 16 carte vidéo avant d'installer ou de mise à niveau de mémoire pour éviter toute interférence avec le mécanisme de rétention de mémoire.
Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications applicables de mémoire DDR SDRAM, le Conseil devrait être rempli avec DIMM supportant la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et du programme du chipset pour configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales avec précision. Si la mémoire non-SPD est installé, le BIOS tente de configurer correctement les paramètres de la mémoire, mais performances et fiabilité peuvent être touchés ou la DIMM peut ne pas fonctionner sous la fréquence déterminée.

Configurations prises en charge des modules DIMM

Capacité DIMM	Configuration	SDRAM densité	SDRAM organisation Front-et Back-côté	Nombre de dispositifs de mémoire SDRAM
128 MO	SS	256 Mbit	16 M x 16 ou vides	4
256 MO	SS	256 Mbit	32 M x 8 ou vides	8
256 MO	SS	512 Mbit	32 M x 16 ou vides	4
512 MO	DS	256 Mbit	32 X 8/32 mètres x 8	16
512 MO	SS	512 Mbit	64 M x 8 ou vides	8
512 MO	SS	1 Gbit	64 M x 16 ou vides	4
1024 MO	DS	512 Mbit	64 M x 8/64 M x 8	16
1024 MO	SS	1 Gbit	M 128 x 8 ou vides	8
2048 MO	DS	1 Gbit	128 X 8/128 mètres x 8	16

Note

Dans la deuxième colonne, « DS » fait référence à des modules de mémoire à double face (contenant deux rangées de DDR SDRAM) et « SS » fait référence à des modules de mémoire recto (contenant une ligne de DDR SDRAM).

Mémoire testée

3e partie de mémoire testée*
3e partie testé mémoire survient comme demandé par les vendeurs de mémoire et est testé à une maison indépendante de mémoire qui n'est pas une partie d'Intel. Mémoire testée par Computer Memory Test Labs (CMTL).

Vendeur auto tests mémoire
Intel fournit des vendeurs de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test de mémoire commun à utiliser comme une extraction de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertoriée ici était que soit mis à l'essai par le vendeur de mémoire ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros ne soient pas facilement accessibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé les tests effectués à l'aide du programme de Self Test d'Intel pourCarte mère Intel® D915PCM pour PC de bureau.

Module fournisseur Module Numéro	Taille du module (MB)	Module vitesse (MHz)	Temps de latence CL-tRCD-tRP	ECC ou Non-ECC ?	DIMM Organi-sement	Module Code de date	Composant utilisé Numéro de pièce COMP
Crucial * CT16HTF6464AG53EB2	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0405	Micron * MT47H32M8FP-37F
Crucial CT8HTF3264AG53EB3	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0405	Micron MT47H32M8FP-37F
Crucial CT4HTF1664AG53EB1	128 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx16	0416	Micron MT47H16M16FG-37F
Hynix * HYMP512U648-C4	1 GO	533	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0424	Hynix HY5PS12821F-C4
Hynix HYMP564U648-C4	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0424	Hynix HY5PS12821F-C4
Hynix HYMP264U648-C4	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0423	Hynix HY5PS56821F-C4
Hynix HYMP232U648-C4	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0418	Hynix HY5PS56821F-C4
Hynix HYMP532U646-C4	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx16	0426	Hynix HY5PS121621F-C4
Hynix HYMP216U646-C4	128 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx16	0413	Hynix HY5PS561621F-C4
Infineon Technologies * HYS64T128020HU-3,7-A	1 GO	533	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0434	Infineon Technologies HYB18T512800AF-3,7
Infineon Technologies HYS64T64000HU-3,7-A	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0446	Infineon Technologies HYB18T512800AF-3,7
Infineon Technologies HYS64T32001HU-3,7-A	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0436	Infineon Technologies HYB18T256800AF-3,7
Infineon Technologies HYS64T32000HU-3,7-A	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx16	0436	Infineon Technologies HYB18T512160AF-3,7
Kingston Technology * KVR533D2N4/512	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0000	Elpida * E5108AB-5 C-E
Micron * MT16HTF12864AY-53ED4	1024MB	533	4-4-4	Non-ECC	DBx8	0611	Micron MT47H64M8B6
Micron MT18HTF12872AY-53EB1	1024MB	533	4-4-4	ECC	DBx8	0511	Micron MT47H64M8CB
Micron MT16HTF12864AY-53EB1	1024MB	533	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0511	Micron MT47H64M8CB
Micron MT8VDDT6464AY-53ED7	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0612	Micron MT47H64M8B6
Micron MT16HTF6464AG-53EB2	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0405	Micron MT47H32M8FP-37F
Micron MT16HTF6464AY-53EB2	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0506	Micron MT47H32M8BP
Micron MT8HTF6464AY-53EB3	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0504	Micron MT47H64M8CB-37F
Micron MT8HTF6464AY-53EB8	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0519	Micron MT47H64M8CB
Micron MT4HTF3264AY-53ED3	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx16	0605	Micron MT47H32M16BN
Micron MT4HTF3264AY-53EB1	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx16	0524	Micron MT47H32M16CC
Micron MT4HTF3264AY-53EB2	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx16	0527	Micron MT47H32M16CC
Micron MT8HTF3264AY-53EB5	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0524	Micron MT47H32M8BP
Micron MT8HTF3264AG-53EB3	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0405	Micron MT47H32M8FP-37F
Micron MT8HTF3264AY-53EB3	256 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0422 Conseillers techniques	Micron MT47H32M8BP
Micron MT4HTF1664AG-53EB1	128 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx16	0416	Micron MT47H16M16FG-37F
Micron MT4HTF1664AY-53EB1	128 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx16	0434	Micron MT47H16M16BG
Samsung * M378T2953BG0-CD5	1024MB	533	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0414	Samsung K4T51083QB-GCD5
Samsung M378T6553BG0-CD5	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0412	Samsung K4T51083QB-GCD5
Crucial CT16HTF6464AG40EB2	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0402	Micron MT47H32M8FP-5E
Crucial CT8HTF3264AG40EB3	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0352	Micron MT47H32M8FP-5E
Crucial CT4HTF1664AG40EB1	128 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx16	0352	Micron MT47H16M16FG-5E
Hynix HYMP264U648-E3	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0421	Hynix HY5PS56821F-E3
Hynix HYMP232U648-E3	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0421	Hynix HY5PS56821F-E3
Hynix HYMP216U646-E3	128 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx16	0418	Hynix HY5PS561621F-E3
Infineon Technologies HYS64T128020HU-5-A	1 GO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0437	Infineon Technologies HYB18T512800AF-5
Infineon Technologies HYS64T64000HU-5-A	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0436	Infineon Technologies HYB18T512800AF-5
Infineon Technologies HYS64T32001HU-5-A	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0438	Infineon Technologies HYB18T256800AF-5
Infineon Technologies HYS64T32000HU-5-A	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx16	0434	Infineon Technologies HYB18T512160AF-5
Micron MT16HTF12864AY-40EB1	1024MB	400	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0504	Micron MT47H64M8CB-5E
Micron MT8HTF6464AY-40EB8	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0523	Micron MT47H64M8CB
Micron MT16HTF6464AG-40EB2	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0402	Micron MT47H32M8FP-5E
Micron MT16HTF6464AY-40EB2	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0507	Micron MT47H32M8BP
Micron MT8HTF6464AY-40EB3	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0504	Micron MT47H64M8CB-5E
Micron MT8HTF6464AY-40EB9	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0507	Micron MT47H64M8CB-5E
Micron MT8HTF3264AY-40EB3	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0528	Micron MT47H32M8BP
Micron MT4HTF3264AY-40EB2	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx16	0523	Micron MT47H32M16CC
Micron MT4HTF3264AY-40EB1	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx16	0521	Micron MT47H32M16CC
Micron MT8HTF3264AG-40EB3	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0352	Micron MT47H32M8FP-5E
Micron MT8HTF3264AY-40EB5	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0524	Micron MT47H32M8BP
Micron MT4HTF1664AG-40EB1	128 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx16	0352	Micron MT47H16M16FG-5E
Micron MT4HTF1664AY-40EB1	128 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx16	0434	Micron MT47H16M16BG
Samsung M368L2923DUN-CCC	1 GO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0540	Samsung K4H510838D-INHABITUELLES
Samsung M368L6523DUD-CCC	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0549	Samsung K4H510838D-INHABITUELLES
Samsung M378T6453FG0-CCC	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0414	Samsung K4T56083QF-CCCG
Samsung M378T3253FG0-CCC	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0414	Samsung K4T56083QF-GCC
Super Talent électronique * T533UB1GB	1024MB	533	4-4-4	Non-ECC	DSx8	0515	Samsung K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics T400UB1GA	1024MB	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0512	INFINEON HYB18T512800AF5
Super Talent Electronics T533UA512B	512 MO	533	4-4-4	Non-ECC	SSx8	0514	Samsung K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics T400UA512A	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0514	Samsung K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics T400UA256A	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0448	Samsung K4T56083QF-CCCG
Micron MT8VDDT6464AG-335 D 1	512 MO	333	2.5-3-3	Non-ECC	SSx8	0450	Micron MT46V64M8TG-5E

Mise à jour : 30 novembre 2006

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D915PCM pour PC de bureau

Déni de responsabilité concernant la fin du support interactif
Intel ne fournit plus de support par téléphone, courrier électronique ou chat pour ces produits arrêtés. Les informations support fournies sur le site Web d'Intel ne le sont qu'à titre de référence et sujettes aux "Conditions d'utilisation".

Intel ne proposera plus de mises à jour des pilotes pour les nouveaux systèmes d’exploitation ou pour la compatibilité avec des systèmes et logiciels tiers.

ID de solution :CS-027028
Date de création : le 13 juin 2007
Dernière modification : le 30 juillet 2010