Cartes mères
Carte mère Intel® D915GUX pour PC de bureau
Mémoire système

Fonctionnalités de mémoire système
La Commission a quatre connecteurs DIMM et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 1.8V (seulement) DDR2 SDRAM DIMM avec contacts plaqués or
  • DIMM sans tampon, recto ou recto-verso avec la restriction suivante : DIMM recto-verso avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge
  • Mémoire système totale maximale de 4 Go
  • Mémoire système totale minimum : 128 MB
  • Non-ECC DIMM
  • Détection de la présence de série
  • Mémoire DDR2 533 MHz ou DDR2 400 MHz SDRAM DIMM
Notes
  • Commencer par enlever le PCI Express x 16 carte vidéo avant d'installer ou de mise à niveau de mémoire pour éviter toute interférence avec le mécanisme de rétention de mémoire.
  • Pour être entièrement conforme aux spécifications applicables de mémoire DDR SDRAM, le Conseil devrait avoir des barrettes DIMM soutenant la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et du programme du chipset pour configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales avec précision. Si la mémoire non-SPD est installé, le BIOS tente de configurer correctement les paramètres de mémoire. Performance et fiabilité peuvent être touchés ou les barrettes DIMM pourrait ne pas fonctionner sous la fréquence désignée.

Configurations prises en charge des modules DIMM

Capacité DIMM Configuration SDRAM densité SDRAM organisation Front-et Back-côté Nombre de dispositifs de mémoire SDRAM
128 MO SS 256 Mbit 16 M x 16 ou vides 4
256 MO SS 256 Mbit 32 M x 8 ou vides 8
256 MO SS 512 Mbit 32 M x 16 ou vides 4
512 MO DS 256 Mbit 32 X 8/32 mètres x 8 16
512 MO SS 512 Mbit 64 M x 8 ou vides 8
512 MO SS 1 Gbit 64 M x 16 ou vides 4
1024 MO DS 512 Mbit 64 M x 8/64 M x 8 16
1024 MO SS 1 Gbit M 128 x 8 ou vides 8
2048 MO DS 1 Gbit 128 X 8/128 mètres x 8 16


Note Dans la deuxième colonne, « DS » signifie pour les modules de mémoire à double face (deux rangées de DDR SDRAM) et « SS » signifie pour les modules de mémoire recto (une ligne de DDR SDRAM).

Mémoire testée

Mémoire testée tierce partie *
Mémoire testée-tiers se produit comme demandé par les vendeurs de mémoire et est testé à une maison indépendante de mémoire qui n'est pas une partie d'Intel. Mémoire est testé par Computer Memory Test Labs * (CMTL).

Vendeur auto tests mémoire
Intel fournit des vendeurs de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test de mémoire commun à utiliser comme une extraction de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire listé terminée mise à l'essai par le vendeur de mémoire ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé les tests effectués à l'aide du programme Intel® Self Test pour Carte mère Intel® D915GUX pour PC de bureau .

Module fournisseur
Module Numéro
Taille du module
(MB)
Module vitesse
(MHz)
Temps de latence
CL-tRCD-tRP
ECC ou
Non-ECC ?
DIMM
Organisation
Module
Code de date
Composant utilisé
Numéro de pièce COMP
Crucial *
CT16HTF6464AG53EB2
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0405 Micron *
MT47H32M8FP-37F
Crucial
CT8HTF3264AG53EB3
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0405 Micron
MT47H32M8FP-37F
Crucial
CT4HTF1664AG53EB1
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0416 Micron
MT47H16M16FG-37F
Hynix *
HYMP512U648-C4
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0424 Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP564U648-C4
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0424 Hynix
HY5PS12821F-C4
Hynix
HYMP264U648-C4
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0423 Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP232U648-C4
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0418 Hynix
HY5PS56821F-C4
Hynix
HYMP532U646-C4
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0426 Hynix
HY5PS121621F-C4
Hynix
HYMP216U646-C4
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0413 Hynix
HY5PS561621F-C4
Infineon Technologies *
HYS64T128020HU-3,7-A
1 GO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0434 Infineon Technologies
HYB18T512800AF-3,7
Infineon Technologies
HYS64T64000HU-3,7-A
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0446 Infineon Technologies
HYB18T512800AF-3,7
Infineon Technologies
HYS64T32001HU-3,7-A
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0436 Infineon Technologies
HYB18T256800AF-3,7
Infineon Technologies
HYS64T32000HU-3,7-A
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0436 Infineon Technologies
HYB18T512160AF-3,7
Kingston Technology *
KVR533D2N4/512
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0000 Elpida *
E5108AB-5 C-E
Micron *
MT16HTF12864AY-53ED4
1024MB 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0611 Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT18HTF12872AY-53EB1
1024MB 533 4-4-4 ECC DSx8 0511 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF12864AY-53EB1
1024MB 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0511 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT8VDDT6464AY-53ED7
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0612 Micron
MT47H64M8B6
Micron
MT16HTF6464AG-53EB2
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0405 Micron
MT47H32M8FP-37F
Micron
MT16HTF6464AY-53EB2
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0506 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY-53EB3
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0504 Micron
MT47H64M8CB-37F
Micron
MT8HTF6464AY-53EB8
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0519 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT4HTF3264AY-53ED3
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0605 Micron
MT47H32M16BN
Micron
MT4HTF3264AY-53EB1
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0524 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY-53EB2
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0527 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AY-53EB5
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0524 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF3264AG-53EB3
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0405 Micron
MT47H32M8FP-37F
Micron
MT8HTF3264AY-53EB3
256 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0422 Conseillers techniques Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG-53EB1
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0416 Micron
MT47H16M16FG-37F
Micron
MT4HTF1664AY-53EB1
128 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx16 0434 Micron
MT47H16M16BG
Samsung *
M378T2953BG0-CD5
1024MB 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0414 Samsung
K4T51083QB-GCD5
Samsung
M378T6553BG0-CD5
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0412 Samsung
K4T51083QB-GCD5
Crucial
CT16HTF6464AG40EB2
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0402 Micron
MT47H32M8FP-5E
Crucial
CT8HTF3264AG40EB3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0352 Micron
MT47H32M8FP-5E
Crucial
CT4HTF1664AG40EB1
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0352 Micron
MT47H16M16FG-5E
Hynix
HYMP264U648-E3
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP232U648-E3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0421 Hynix
HY5PS56821F-E3
Hynix
HYMP216U646-E3
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0418 Hynix
HY5PS561621F-E3
Infineon Technologies
HYS64T128020HU-5-A
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0437 Infineon Technologies
HYB18T512800AF-5
Infineon Technologies
HYS64T64000HU-5-A
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0436 Infineon Technologies
HYB18T512800AF-5
Infineon Technologies
HYS64T32001HU-5-A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0438 Infineon Technologies
HYB18T256800AF-5
Infineon Technologies
HYS64T32000HU-5-A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0434 Infineon Technologies
HYB18T512160AF-5
Micron
MT16HTF12864AY-40EB1
1024MB 400 4-4-4 Non-ECC DSx8 0504 Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF6464AY-40EB8
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0523 Micron
MT47H64M8CB
Micron
MT16HTF6464AG-40EB2
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0402 Micron
MT47H32M8FP-5E
Micron
MT16HTF6464AY-40EB2
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0507 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT8HTF6464AY-40EB3
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0504 Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF6464AY-40EB9
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0507 Micron
MT47H64M8CB-5E
Micron
MT8HTF3264AY-40EB3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0528 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF3264AY-40EB2
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0523 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT4HTF3264AY-40EB1
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0521 Micron
MT47H32M16CC
Micron
MT8HTF3264AG-40EB3
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0352 Micron
MT47H32M8FP-5E
Micron
MT8HTF3264AY-40EB5
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0524 Micron
MT47H32M8BP
Micron
MT4HTF1664AG-40EB1
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0352 Micron
MT47H16M16FG-5E
Micron
MT4HTF1664AY-40EB1
128 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0434 Micron
MT47H16M16BG
Samsung
M368L2923DUN-CCC
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0540 Samsung
K4H510838D-INHABITUELLES
Samsung
M368L6523DUD-CCC
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0549 Samsung
K4H510838D-INHABITUELLES
Samsung
M378T6453FG0-CCC
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0414 Samsung
K4T56083QF-CCCG
Samsung
M378T3253FG0-CCC
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0414 Samsung
K4T56083QF-GCC
Super Talent électronique *
T533UB1GB
1024MB 533 4-4-4 Non-ECC DSx8 0515 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UB1GA
1024MB 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0512 INFINEON
HYB18T512800AF5
Super Talent Electronics
T533UA512B
512 MO 533 4-4-4 Non-ECC SSx8 0514 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UA512A
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0514 Samsung
K4T51083QB-ZCD5
Super Talent Electronics
T400UA256A
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0448 Samsung
K4T56083QF-CCCG
Micron
MT8VDDT6464AG-335 D 1
512 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC SSx8 0450 Micron
MT46V64M8TG-5E

Les informations contenues sur cette page s'applique également aux Intel® Desktop Board D915GHA sauf indication contraire.

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D915GUX pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-027031
Date de création : le 13 juin 2007
Dernière mise à jour : le 7 février 2012
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