Carte mère Intel® D915GLVG pour PC de bureau

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Carte mère Intel® D915GLVG pour PC de bureau

Mémoire système

Fonctionnalités de mémoire système
Les conseils ont quatre connecteurs DIMM et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

2,5 V (seul) DDR SDRAM DIMM avec contacts plaqués or
DIMM sans tampon, recto ou recto-verso avec la restriction suivante : DIMM recto-verso avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
Mémoire système totale maximale de 4 Go
Mémoire système totale minimum : 128 MB
Non-ECC DIMM
Détection de la présence de série
DDR 400 MHz et DDR 333 MHz SDRAM DIMM

Note :
Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications applicables de mémoire DDR SDRAM, le Conseil devrait être rempli avec DIMM supportant la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et du programme du chipset pour configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales avec précision. Si la mémoire non-SPD est installé, le BIOS tente de configurer correctement les paramètres de la mémoire, mais performances et fiabilité peuvent être touchés ou la DIMM peut ne pas fonctionner sous la fréquence déterminée.

Note de l'intégrateur
Il est possible d'installer des quatre modules de 2048 MB (2 GB) pour un total de 8 Go de mémoire système, cependant, seuls 4 Go d'espace d'adressage est disponible.

Prise en charge de la fréquence de Bus système et les combinaisons de vitesse de mémoire

Pour utiliser ce type de module DIMM...	Fréquence de bus du processeur, le système doit être...
DDR 400	800 MHz
DDR 333 (Note)	800 ou 533 MHz

Note :
Lorsque vous utilisez un processeur de fréquence de 800 MHz système autobus, mémoire DDR 333 est cadencé à 320 MHz. Cela réduit au minimum les latences système afin d'optimiser le débit du système.

Configurations prises en charge des modules DIMM

Capacité DIMM	Configuration	SDRAM densité	SDRAM organisation Front-et Back-côté	Nombre de dispositifs de mémoire SDRAM
128 MO	SS	256 Mbit	16 M x 16 ou vides	4
256 MO	SS	256 Mbit	32 M x 8 ou vides	8
256 MO	SS	512 Mbit	32 M x 16 ou vides	4
512 MO	DS	256 Mbit	32 X 8/32 mètres x 8	16
512 MO	SS	512 Mbit	64 M x 8 ou vides	8
512 MO	SS	1 Gbit	64 M x 16 ou vides	4
1024 MO	DS	512 Mbit	64 M x 8/64 M x 8	16
1024 MO	SS	1 Gbit	M 128 x 8 ou vides	8
2048 MO	DS	1 Gbit	128 X 8/128 mètres x 8	16

Note :
Dans la deuxième colonne, « DS » fait référence à des modules de mémoire à double face (contenant deux rangées de SDRAM) et « SS » se réfère à des modules de mémoire recto (contenant une ligne de SDRAM).

Mémoire testée

Vendeur auto tests mémoire
Intel fournit des vendeurs de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test de mémoire commun à utiliser comme une extraction de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertoriée ici était que soit mis à l'essai par le vendeur de mémoire ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros ne soient pas facilement accessibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé les tests effectués à l'aide du programme de Self Test d'Intel pour Carte mère Intel® D915GLVG pour PC de bureau .

Module fournisseur Module Numéro	Taille du module (MB)	Module vitesse (MHz)	Temps de latence CL-tRCD-tRP	ECC ou Non-ECC ?	DIMM Organisation	Module Code de date	Composant utilisé Numéro de pièce COMP
Infineon Technologies * HYS64D128320HU-5-B	1 GO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0445	Infineon Technologies HYB25D512800BE-5
Infineon Technologies HYS64D64320HU-5-C	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0436	Infineon Technologies HYB25D512800CE-5
Infineon Technologies HYS64D32300HU-5-C	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0432	Infineon Technologies HYB25D512800CE-5
Kingston Technology * KVR400X64C3A/1 G	1 GO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0518	Infineon HYB25D512800BE-5
Kingston Technology KVR400X64C3A/1 G	1 GO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	449	Samsung * K4H510838B-TCCC
Kingston Technology KVR400X64C3A/512	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0518	Micron * MT46V64M8-5 B
Kingston Technology KVR400X64C3A/512	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0000	Samsung K4H560838F-TCCC
Kingston Technology KVR400X64C3A/256	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0000	Promos * V58C2256804SCT5B
Samsung M368L2923CUN-CCC	1 GO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0509	Samsung K4H510838C-INHABITUELLES
Samsung M368L6423ETN-CCC	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0509	Samsung K4H560838E-TCCC
Samsung M368L6423FTN-CCC	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DSx8	0506	Samsung K4H560838F-TCCC
Samsung M368L6523CUS-CCC	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0503	Samsung K4H510838C-INHABITUELLES
Samsung M368L3223FTN-CCC	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0506	Samsung K4H560838F-TCCC
Samsung M368L3324CUS-CCC	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx16	0506	Samsung K4H511638C-INHABITUELLES
Samsung M368L3223ETN-CCC	256 MO	400	3-3-3	Non-ECC	SSx8	0506	Samsung K4H560838E-TCCC
Infineon Technologies HYS64D128320HU-6-B	1 GO	333	2.5-3-3	Non-ECC	DSx8	0434	Infineon Technologies HYB25D512800BE-6
Infineon Technologies HYS64D64320HU-6-C	512 MO	333	2.5-3-3	Non-ECC	DSx8	0436	Infineon Technologies HYB25D512800CE-6
Infineon Technologies HYS64D32300HU-6-C	256 MO	333	2.5-3-3	Non-ECC	SSx8	0436	Infineon Technologies HYB25D512800CE-6
Micron MT16VDDT6464AG-40BGB	512 MO	400	3-3-3	Non-ECC	DBx16	0511	Micron MT46V32M8TG
Micron MT16VDDT12864AG-335DB	1024MB	333	2.5-3-3	Non-ECC	DBx8	0519	Micron MT46V64M8TG
Micron MT16VDDT12864AY-335DB	1024MB	333	2.5-3-3	Non-ECC	DBx8	0438	Micron MT46V64M8P
Samsung M368L5623MTN-CB3	2 GO	333	2.5-3-3	Non-ECC	DSx8	0508	Samsung K4H1G0838M-TCB3

Mise à jour: 2 novembre 2005

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D915GLVG pour PC de bureau

Déni de responsabilité concernant la fin du support interactif
Intel ne fournit plus de support par téléphone, courrier électronique ou chat pour ces produits arrêtés. Les informations support fournies sur le site Web d'Intel ne le sont qu'à titre de référence et sujettes aux "Conditions d'utilisation".

Intel ne proposera plus de mises à jour des pilotes pour les nouveaux systèmes d’exploitation ou pour la compatibilité avec des systèmes et logiciels tiers.

ID de solution :CS-027048
Date de création : le 13 juin 2007
Dernière modification : le 30 juillet 2010