Cartes mères
Carte mère Intel® D915GAV pour PC de bureau
Mémoire système

Fonctionnalités de la mémoire système
Les cartes ont quatre connecteurs DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 2.6V (uniquement) modules DIMM SDRAM DDR avec contacts plaqués or.
  • Sans tampon, recto ou recto-verso, modules de mémoire DIMM avec la restriction suivante : les barrettes DIMM empilables avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
  • 4 Go de mémoire système totale maximale.
  • Mémoire minimum : 128 Mo.
  • Modules de mémoire DIMM non-ECC.
  • Détection de la présence de série.
  • Mémoire DDR 400 MHz et modules DIMM de mémoire SDRAM DDR 333 MHz.
Notes
  • Retirez la carte vidéo PCI Express * x 16 avant l'installation ou la mise à niveau de mémoire pour éviter les interférences avec le système de fixation.
  • Pour être entièrement compatibles avec toutes les spécifications de mémoire DDR SDRAM, la carte doit avoir des barrettes DIMM prenant en charge la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer correctement les paramètres de mémoire pour des performances optimales. Si mémoire non SPD est installé, le BIOS essaie de configurer correctement les paramètres de mémoire, mais la fiabilité et les performances peuvent être affectées ou les barrettes DIMM ne fonctionnent pas sous la fréquence désignée.

Fréquence de bus système et combinaisons de vitesse de mémoire prises en charge

Pour utiliser ce type de module DIMM : La fréquence du Bus système à processeur doit être :
DDR400 800 MHz
DDR333(note) 533 ou 800 MHz

Remarque Lorsque vous utilisez un processeur de fréquence de Bus système à 800 MHz, mémoire DDR 333 est pointé à l'arrivée à 320 MHz. Cela minimise les latences pour optimiser le débit du système.

Configurations de mémoire prises en charge

Capacité des DIMM Configuration de Densité SDRAM Organisation de la mémoire SDRAM
Côté recto-côté arrière
Nombre de
Périphériques de mémoire SDRAM
128 MO SS 256 Mbits 16 Mo x 16/vide 4
256 MO SS 256 Mbits 32 M x 8/vide 8
256 MO SS 512 Mbits 32 Mo x 16/vide 4
512 MO DS 256 Mbits 32 M x 8/32 M x 8 16
512 MO SS 512 Mbits 64 M x 8/vide 8
512 MO SS 1 GB 64 Mo x 16/vide 4
1 024 MO DS 512 Mbits 64 M x 8/64 M x 8 16
1 024 MO SS 1 GB 128 M x 8/vide 8
2 048 MO DS 1 GB 128 M x 8/128 M x 8 16

Remarque Dans la deuxième colonne, « DS » signifie les modules mémoire recto-verso (deux lignes et d'une mémoire SDRAM) et signifie « SS » pour les modules de mémoire simple face (une ligne de SDRAM).

Mémoire testée

Tiers testés mémoire*
Mémoire testée tiers se produit comme demandé par les fournisseurs de mémoire et est testée en une maison de mémoire indépendants qui ne fait pas partie d'Intel. Mémoire testée est par ordinateur mémoire Test Labs * (CMTL).

Fournisseur mémoire testée par son
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test commun à utiliser comme contrôle de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertorié ici est testée par le fabricant ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros de référence ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les composants qui ont réussi les essais menés à l'aide du programme d'auto-test Intel pour Carte mère Intel® D915GAV pour PC de bureau .

Module fournisseur
Numéro de référence de module
Taille du module
(MO)
Vitesse de module
(MHz)
Temps de latence
CL-tRCD-tRP
ECC ou
Non-ECC ?
DIMM
Employés-a
Module
Code de date
Composant utilisé
Numéro de pièce de comp
A-DONNÉES *
MDOEL6F3G31Y0D1E0Z
256 MO 400 3-4-4 Non-ECC SSx8 0527 Elpida *
DDR-DD2508ARTA
A-DONNÉES
MDOHY6F3G3X10BZE0Z
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 510A Hynix *
DDR-HY5DU56822DT-D43
Technologies Infineon *
HYS64D128320HU-5-B
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0445 Technologies Infineon
HYB25D512800BE-5
Technologies Infineon
HYS64D64320HU-5-C
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0436 Technologies Infineon
HYB25D512800CE-5
Technologies Infineon
HYS64D32300HU-5-C
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0432 Technologies Infineon
HYB25D512800CE-5
Kingston Technology *
KVR400X64C3A / 1G
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0518 Infineon
HYB25D512800BE-5
Kingston Technology
KVR400X64C3A / 1G
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 449 Samsung *
K4H510838B-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0518 Micron *
MT46V64M8-5 B
Kingston Technology
KVR400X64C3A/512
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0000 Samsung *
K4H560838F-TCCC
Kingston Technology
KVR400X64C3A/256
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0000 Promotions *
V58C2256804SCT5B
Micron *
MT16VDDT12864AY-40BD3
1 024 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0528 Micron
MT46V64M8P
Micron
MT16VDDF6464AY-40BG1
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0540 Micron
MT46V32M8BG
Micron
MT8VDDT6464AG-40BD1
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0534 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG6
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0536 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AY-40BG6
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0534 Micron
MT46V32M8P
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG4
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0508 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG-40BG5
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0535 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG-40BD3
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0523 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AY-40BD3
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0534 Micron
MT46V64M8P
Micron
MT8VDDT3264AG-40BG6
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0536 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG-40BG5
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0533 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDF3264AY-40BG1
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0540 Micron
MT46V32M8BG
Samsung *
CCC-M368L2923DUN
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0540 Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
CCC-M368L2923CUN
1 GO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0509 Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
CCC-M368L6523DUD
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0549 Samsung
K4H510838D-UCCC
Samsung
CCC-M368L6423ETN
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0509 Samsung
K4H560838E-TCCC
Samsung
CCC-M368L6423FTN
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC DSx8 0506 Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
CCC-M368L6523CUS
512 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0503 Samsung
K4H510838C-UCCC
Samsung
CCC-M368L3223FTN
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0506 Samsung
K4H560838F-TCCC
Samsung
CCC-M368L3324CUS
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx16 0506 Samsung
K4H511638C-UCCC
Samsung
CCC-M368L3223ETN
256 MO 400 3-3-3 Non-ECC SSx8 0506 Samsung
K4H560838E-TCCC
Technologies Infineon
HYS64D128320HU-6-B
1 GO 333 2.5-3-3 Non-ECC DSx8 0434 Technologies Infineon
HYB25D512800BE-6
Technologies Infineon
HYS64D64320HU-6-C
512 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC DSx8 0436 Technologies Infineon
HYB25D512800CE-6
Technologies Infineon
HYS64D32300HU-6-C
256 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC SSx8 0436 Technologies Infineon
HYB25D512800CE-6
Micron
MT16VDDT12864AG - 335D 1
1 024 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC DSx8 0537 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG - 335D 3
512 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC SSx8 0513 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG - 335D 2
512 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC SSx8 0505 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT8VDDT6464AG - 335D 1
512 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC SSx8 0450 Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT6464AG - 335G 4
512 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC DSx8 0408 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG - 33G 4
256 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC SSx8 0540 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG - 335G 4
256 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC SSx8 0450 Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT8VDDT3264AG - 335G, 6
256 MO 333 2.5-3-3 Non-ECC SSx8 0513 Micron
MT46V32M8TG
Samsung
M368L5623MTN-CB3
2 GO 333 2.5-3-3 Non-ECC DSx8 0508 Samsung
K4H1G0838M-TCB3

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D915GAV pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-027070
Dernière modification : 13-Oct-2014
Date de création : 13-Jun-2007
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