Cartes mères
Carte mère Intel® D850MV pour PC de bureau
Mémoire système

Mémoires testées

Test de la mémoire a été effectué dans les catégories suivantes :

Mémoires testées avancé*
Intel fournit les procédures d'essai environnementales avancées, tester les logiciels et le matériel nécessaire à un laboratoire de test indépendant pour effectuer des tests avancés tel que demandé par les vendeurs de mémoire. Mémoire testée par les laboratoires de Test de mémoire informatique (CMTL8).

Intel interne mémoires testées
Intel a une quantité limitée de mémoire pour la carte mère. Ces numéros ne sont peut-être pas disponibles pendant le cycle de vie du produit.

Fonctionnalités de la mémoire système

La santé maternelle et infantile 82850 intègre deux gradins verrouillage Direct Rambus banques, fournissant une bande passante de processeur à la mémoire jusqu'à 3,2 Go/sec. Les planches D850MV et D850MD ont quatre supports RIMM (deux prises pour chaque banque) et prend en charge les fonctionnalités de mémoire suivants :

  • Configurations de RIMM simples ou recto-verso
  • Jusqu'à 32 appareils de Rambus Direct par Banque
  • Configurations de mémoire de 128 Mo (minimum) à 2 Go (maximum), à l'aide de 128 Mbits ou 256 Mbit technologie PC600 ou RDRAM PC800 conforme
  • Serial presence detect (SPD)-base de configuration pour un fonctionnement optimale de la mémoire
  • Suspendre au support RAM
  • Prise en charge ECC et non ECC
Note Mémoire PC700 peut être installé sur les planches D850MV et D850MD, mais par défaut, performance PC600-niveau.

Modules RIMM de continuité
Tous les supports RIMM doit être remplies pour assurer la continuité pour raccordement à l'interface de Rambus. RIMM de continuité (ou modules « pass-through ») doivent être installés dans la deuxième banque de RDRAM si la mémoire n'est pas installé. Si aucun des connecteurs RIMM ne sont pas remplies, l'ordinateur ne terminera pas le Power-On Self-Test (POST) et les codes de bip BIOS ne seront pas entendus.

Configuration de la mémoire RDRAM
Lors de l'installation de mémoire, notez les points suivants :

  • Les quatre supports RIMM est regroupés en deux rives :
    • Banque 0 (portant sur la RIMM1 et RIMM2)
    • Banque 1 (portant sur la RIMM3 et RIMM4)
  • Banque 0 doit être remplie en premier lieu, faire en sorte que la RDRAM installé dans RIMM1 et RIMM2 est identique à la vitesse, la taille et la densité. Par exemple, la configuration système minimale utilisez deux modules RIMM MB 64 PC600 ou RDRAM PC800.
  • Si la configuration de la mémoire souhaitée a été réalisée par la Banque de remplissage 0, 1 Banque doivent être remplis avec continuité deux RIMM.
  • Si la mémoire doit être installée à la Banque 1, les modules RIMM installés dans RIMM3 et RIMM4 doivent être identiques en taille et densité les uns aux autres et correspond à la vitesse des modules RIMM dans Banque 0. Les modules RIMM sont, cependant, inutile de correspondent à celles de la banque 0 à la taille et la densité. Par exemple, si la banque 0 a deux 128 MB RIMM de PC800 RDRAM, 1 banque exigerait RDRAM PC800 également ; Toutefois, toute autre prise en charge de RIMM modules tels que 64Mo ou 192 Mo pourraient être utilisés.
  • Si la fonctionnalité ECC est requise, tous les modules RIMM installés doivent être ECC compatible.
  • Le tableau suivant donne des exemples de densité de tassement RDRAM pour différents modules RIMM. Densité de tassement (comtes) peut être identifiée sur l'étiquette RIMM.


    Configurations de mémoire prises en charge

    Technologie Rambus

    Capacité avec composants DRAM 4 par RIMM

    Capacité avec composants DRAM 6 par RIMM

    Capacité avec composants DRAM 8 par RIMM

    Capacité avec composants DRAM 12 par RIMM

    Capacité avec composants DRAM 16 par RIMM

    128/144 Mbits

    64 MO

    96 MO

    128 MO

    192 MO

    256 MO

    256/288 Mbits

    128 MO

    192 MO

    256 MO

    384 MO

    512 MO

    Cela s'applique à :

    Carte mère Intel® D850MV pour PC de bureau
     

    ID de solution :CS-009912
    Dernière modification : 26 novembre 2012
    Date de création : 14 mars 2004
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