Cartes mères
Carte mère Intel® D845GVSR pour PC de bureau
Mémoire système

Fonctionnalités de la mémoire système
Le D845GVSR carte bureau possède deux barrettes DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 2,5 V (uniquement) 184 broches DDR SDRAM DIMM avec contacts plaqués or
  • Modules de mémoire DIMM sans tampon, recto ou recto-verso
  • Mémoire système totale maximale: 2 Go ; mémoire minimum : 64 Mo
  • DIMM de mémoire SDRAM DDR 333 MHz est/266/200 MHz uniquement
  • Présence de série détecter (SPD)
  • Suspend to RAM

Attention
N'utilisez pas de modules de mémoire DIMM ECC avec cette carte. À l'aide de modules de mémoire DIMM ECC peut endommager la carte mère.

Notes de l'intégrateur :

  • DIMM n'est pas pris en charge.
  • Recto-verso x 16 que barrettes DIMM n'est pas pris en charge.
Remarque Pour être entièrement compatible avec les spécifications de mémoire DDR SDRAM, la carte doit avoir DIMM prenant en charge la structure de données de détection de présence série (SPD). Cette structure permet au BIOS de lire les données SPD et de programmer le chipset pour configurer correctement les paramètres de mémoire pour des performances optimales.

Fréquence de Bus système et combinaisons de vitesse de mémoire prises en charge

Si le système de processeur fréquence de Bus est : Vous pouvez utiliser ce type de module DIMM :
533 MHz DDR333 ou DDR266
400 MHz DDR266 ou DDR200

Configurations DIMM prises en charge

Capacité des DIMM Configuration(note) Densité SDRAM DDR Mémoire DDR SDRAM organisation côté/arrière-frontal Nombre de périphériques de mémoire SDRAM DDR
64 MO SS 64 Mbits 8 M x 8/vide 8
64 MO SS 128 Mbits 8 Mo x 16/vide 4
128 MO DS 64 Mbits 8 M x 8/8 M x 8 16
128 MO SS 128 Mbits M 16 x 8/vide 8
128 MO SS 256 Mbits 16 Mo x 16/vide 4
256 MO DS 128 Mbits 16 M x 8/16 M x 8 16
256 MO SS 256 Mbits 32 M x 8/vide 8
256 MO SS 512 Mbits 32 Mo x 16/vide 4
512 MO DS 256 Mbits 32 M x 8/32 M x 8 16
512 MO SS 512 Mbits 64 M x 8/vide 8
1 024 MO DS 512 Mbits 64 M x 8/64 M x 8 16
Remarque Dans cette colonne, « DS » est l'abréviation de modules de mémoire recto-verso (périphériques de mémoire SDRAM DDR sur les deux faces). « SS » signifie pour les modules de mémoire simple face (périphériques de mémoire SDRAM DDR sur un seul côté).

Mémoire testée

Tiers testés mémoire*
Intel propose des procédures de test de l'environnement, logiciel de test et du matériel nécessaire pour le laboratoire de test indépendant réaliser les tests avancés comme demandé par les fournisseurs de mémoire. Mémoire répertoriée est testée par ordinateur mémoire Test Labs (CMTL).

Mémoire testée interne
Intel a une quantité limitée de mémoire testée pour la carte mère. Ces numéros de référence ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les composants qui ont réussi les essais complète effectuée par Intel pour la carte mère D845GVSR Intel®.

DDR200

Taille (Mo) Fabricant Numéro de pièce fabricant ECC ou non-ECC
64 MO Samsung M368L0914T2-CA0 Non-ECC
128 MO Samsung M368L1713CTL-CA0 Non-ECC
128 MO Micron MT8VDDT1664AG-202A1 Non-ECC
512 MO Micron MT16VDDT6464AG-202B1 Non-ECC

DDR266
Taille (Mo) Fabricant Numéro de pièce fabricant ECC ou non-ECC
64 MO Samsung M368L0914BT2-CB0 Non-ECC
64 MO Samsung M368L0914BT2-2 Non-ECC
64 MO Samsung M368L0914BT1-CB0 Non-ECC
64 MO Samsung M368L0914DT2-CB0 Non-ECC
128 MO Samsung M368L1624BTL-CB0 Non-ECC
128 MO Samsung M368L1713CTL-CB0 Non-ECC
128 MO Samsung M368L1713CTL-2 Non-ECC
256 MO Samsung M368L3223CTL-CB0 Non-ECC
512 MO Samsung M368L6423BT1-2 Non-ECC
512 MO Samsung M368L6423CTL-2 Non-ECC
64 MO Micron MT4VDDT864AG-265B1 Non-ECC
128 MO Micron MT8VDDT1664AG-265A1 Non-ECC
128 MO Micron MT8VDDT1664AG-26AA1 Non-ECC
256 MO Micron MT16VDDT3264AG-265A1 Non-ECC
512 MO Micron MT16VDDT6464AG-265B1 Non-ECC

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D845GVSR pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-027113
Dernière modification : 07-Feb-2012
Date de création : 14-Jun-2007
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