Cartes mères
Carte mère Intel® D845GVSR pour PC de bureau
Mémoire système

Fonctionnalités de mémoire système
Le Bureau Conseil D845GVSR a deux connecteurs DIMM et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 2.5V (seulement) 184 broches DDR SDRAM DIMM avec contacts plaqués or
  • DIMM sans tampon, recto ou recto-verso
  • Mémoire système totale maximale: 2 GB ; mémoire système totale minimale : 64 Mo
  • DDR333/266/200 MHz SDRAM DIMM seulement
  • Présence de série détecter (SPD)
  • Suspendre à la RAM

Mise en garde
N'utilisez pas la fonction ECC DIMM avec ce Conseil. À l'aide de modules DIMM ECC puisse endommager le Conseil d'administration.

Notes de l'intégrateur :

  • Modules DIMM enregistrés n'est pas pris en charge.
  • Recto-verso x 16 que modules DIMM n'est pas pris en charge.
Note Pour être entièrement conforme aux spécifications applicables de mémoire DDR SDRAM, le Conseil devrait avoir des barrettes DIMM soutenant la structure de données de détection de présence série (SPD). Cette structure permet au BIOS de lire les données SPD et du programme du chipset pour configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales avec précision.

Prise en charge de la fréquence de Bus système et les combinaisons de vitesse de mémoire

Si le système de processeur, fréquence de Bus : Vous pouvez utiliser ce type de module DIMM :
533 MHz DDR333 ou DDR266
400 MHz DDR266 ou DDR200

Configurations prises en charge des modules DIMM

Capacité DIMM Configuration(note) DDR SDRAM densité DDR SDRAM organisation Front-et Back-côté Nombre de dispositifs DDR SDRAM
64 MO SS 64 Mbit 8 M x 8 ou vides 8
64 MO SS 128 Mbit 8 M x 16 ou vides 4
128 MO DS 64 Mbit 8 M x 8/8 M x 8 16
128 MO SS 128 Mbit 16 M x 8 ou vides 8
128 MO SS 256 Mbit 16 M x 16 ou vides 4
256 MO DS 128 Mbit 16 M x 8/16 M x 8 16
256 MO SS 256 Mbit 32 M x 8 ou vides 8
256 MO SS 512 Mbit 32 M x 16 ou vides 4
512 MO DS 256 Mbit 32 X 8/32 mètres x 8 16
512 MO SS 512 Mbit 64 M x 8 ou vides 8
1024 MO DS 512 Mbit 64 M x 8/64 M x 8 16
Note Dans cette colonne, « DS » signifie pour les modules de mémoire à double face (dispositifs de mémoire SDRAM DDR sur les deux côtés). « SS » signifie pour les modules de mémoire recto (dispositifs DDR SDRAM sur un seul côté).

Mémoire testée

Tiers testé mémoire*
Intel propose des procédures d'essais environnementaux, test logiciel et matériel nécessaire pour le laboratoire de test indépendant effectuer des tests avancés comme demandé par les vendeurs de mémoire. Mémoire répertoriée est testé par Computer Memory Test Labs (CMTL).

Essai de mémoire interne
Intel a une quantité limitée de mémoire pour le PC de bureau. Ces numéros ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé le test complet réalisé par Intel pour le D845GVSR Intel® pour PC de bureau.

DDR200

Taille (Mo) Référence du fabricant Numéro de pièce fabricant ECC ou non ECC
64 MO Samsung M368L0914T2-CA0 Non-ECC
128 MO Samsung M368L1713CTL-CA0 Non-ECC
128 MO Micron MT8VDDT1664AG-202A1 Non-ECC
512 MO Micron MT16VDDT6464AG-202B1 Non-ECC

DDR266
Taille (Mo) Référence du fabricant Numéro de pièce fabricant ECC ou non ECC
64 MO Samsung M368L0914BT2-CB0 Non-ECC
64 MO Samsung CA2-M368L0914BT2 Non-ECC
64 MO Samsung M368L0914BT1-CB0 Non-ECC
64 MO Samsung M368L0914DT2-CB0 Non-ECC
128 MO Samsung M368L1624BTL-CB0 Non-ECC
128 MO Samsung M368L1713CTL-CB0 Non-ECC
128 MO Samsung CA2-M368L1713CTL Non-ECC
256 MO Samsung M368L3223CTL-CB0 Non-ECC
512 MO Samsung CA2-M368L6423BT1 Non-ECC
512 MO Samsung CA2-M368L6423CTL Non-ECC
64 MO Micron MT4VDDT864AG-265B1 Non-ECC
128 MO Micron MT8VDDT1664AG-265A1 Non-ECC
128 MO Micron MT8VDDT1664AG-26AA1 Non-ECC
256 MO Micron MT16VDDT3264AG-265A1 Non-ECC
512 MO Micron MT16VDDT6464AG-265B1 Non-ECC

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D845GVSR pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-027113
Date de création : le 14 juin 2007
Dernière mise à jour : le 7 février 2012
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