Cartes mères
Carte mère Intel® D5400XS pour PC de bureau
Mémoire système


Fonctionnalités de la mémoire système

La carte est muni de quatre supports FB-DIMM et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :

  • 1,5 V avec option pour déclencher la tension pour prendre en charge les meilleures performances de mémoire DDR2 SDRAM FBDIMMs.
  • Entièrement mis en mémoire tampon, FBDIMMs recto ou recto verso avec la restriction suivante : recto-verso FBDIMMs avec 16 x organisation ne sont pas pris en charge.
  • 16 Go de mémoire système totale maximale.
  • Mémoire minimum : 512 Mo.
  • Détection de la présence de série.
  • Mémoire DDR2 800, DDR2 667 et barrettes DIMM de mémoire SDRAM DDR2 à 533 MHz.
Remarque Pour être entièrement compatibles avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM Intel, la carte doit être remplie avec FBDIMMs qui prennent en charge la structure de données de détection de présence série (SPD). Si vos modules de mémoire ne prennent pas en charge les SPD, vous découvrez une notification à cet effet à l'écran à la puissance. Le BIOS va tenter de configurer le contrôleur de mémoire pour un fonctionnement normal.

Un ventilateur de refroidissement DIMM est recommandé pour une utilisation sur les Carte mère Intel® D5400XS pour PC de bureau . Un ventilateur de refroidissement DIMM n'est pas inclus et doit être acheté séparément.

Règles de remplissage de mémoire :

Référez-vous aux Spécifications techniques du produit pour savoir quels DIMM correspond à quelle branche et canaux répertoriés ci-dessous :

Emplacement de Socket de mémoire Affectation
DIMM A Canal mémoire branche 0 0
DIMM B Mémoire 0 canal 1
DIMM C Canal 0 du branchement 1 mémoire
EMPLACEMENT DIMM D Mémoire 1 canal 1
  • Règles de remplissage DIMM sont régies par le chipset. Le MCH fournit quatre canaux de mémoire pleinement tamponnée DIMM (fdb) dans 2 branches. Registres de canaux dans un partage de branche l'ID de périphérique et contrôle.
  • Au sein d'une branche, les deux canaux doit avoir des modules DIMM identiques (vitesse, taille et minutage) ou uniquement la première couche est visibles.
  • Population de DIMM 3 n'est pas pris en charge. Uniquement les modules DIMM 1 branche sera visible.
  • L'utilisation de tous les modules de mémoire DIMM identiques est fortement préféré.


Mémoire important et considérations de vitesse de Bus système
Cette carte prend en charge deux vitesses de bus système et trois vitesses de mémoire. Il est important de comprendre que pas toutes les vitesses de mémoire système sont pris en charge à toutes les vitesses de bus système. Dans le tableau ci-dessous, une liste des vitesses de bus système disponibles et les vitesses de mémoire est capable.

Vitesse Bus processeur Vitesse de la mémoire installée Vitesse de mémoire signalée
1600 MHz 800 MHz 800 MHz
1600 MHz À 667 MHz 640 MHz
1333 MHz 800 MHz À 667 MHz
1333 MHz À 667 MHz À 667 MHz
1333 MHz 533 MHz 533 MHz

Configurations des DIMM gérées

Capacité des DIMM Configuration de (Remarque 1) Densité SDRAM Mémoire SDRAM organisation côté/arrière-frontal Nombre de modules SDRAM (Note 2)
512 MO SS 512 Mbits 64 M x 8 / vide 8 [9]
512 MO SS 1 GB 64 Mo x 16 / vide 4 [5]
1 GO DS 512 Mbits 64 M x 8 / 64 M x 8 16 [18]
1 GO SS 1 GB 128 M x 8 / vide 8 [9]
2 GO DS 1 GB 128 M x 8 / 128 M x 8 16 [18]
4 GO DS 1 GB 256 M x 4 36 [40]
4 GO SS 2 Gb M 512 x 4 16 [18]

Remarque
  1. Dans la deuxième colonne, « DS » fait référence à des modules de mémoire recto-verso (contenant deux lignes de SDRAM)
    et « SS » fait référence aux modules de mémoire simple face (contenant une seule ligne de SDRAM).
  2. Dans la cinquième colonne, le nombre entre parenthèses indique le nombre de modules SDRAM sur un DIMM ECC.

Mémoire testée

tierce partie testé mémoire *
3ème partie testé mémoire se produit comme demandé par les fournisseurs de mémoire et est testée en une maison de mémoire indépendants qui ne fait pas partie de Intel - laboratoires de Test mémoire ordinateur (CMTL).

Fournisseur mémoire testée par son
Intel fournit aux fabricants de mémoire qui participent à ce programme avec un plan de test commun à utiliser comme contrôle de base de la stabilité de la mémoire. Mémoire répertorié ici a été testées par le fabricant ou par Intel à l'aide de ce plan de test. Ces numéros de référence ne sont peut-être pas disponibles tout au long du cycle de vie du produit.

Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais menés à l'aide du programme d'auto-test d'Intel pour Carte mère Intel® D5400XS pour PC de bureau .

Module fournisseur / Module partie numéro Taille du module Vitesse de module ECC ou Non-ECC Organisation de DIMM
Hynix * HYMP351F72AMP4N3-Y5 4 GO 667 ECC (256Mx4) x 36
Hynix HYMP512F72CP8D3-Y5 1 GO 667 ECC (64Mx8) x 18
Hynix HYMP525F72CP4D3-Y5 2 GO 667 ECC (128Mx4) x 36
Hynix HYMP525F72CP4N3-Y5 2 GO 667 ECC (128Mx4) x 36
Hynix HYMP512F72CP8N3-Y5 1 GO 667 ECC (64Mx8) x 18
Kingston * KHX6400F2LLk2 / 2G 2 GO 800 ECC (128Mx4) x 36
Micron * MT18HTF12872FDY-667D6E4 1 GO 667 ECC (64Mx8) x 18
Micron MT18HTF25672FY-667E1E4 2 GO 667 ECC (256Mx4) x 18
Micron MT36HTF51272FY-667E1D4 4 GO 667 ECC (256Mx4) x 36
Micron MT36HTF51272FY-667E1N6 4 GO 667 ECC (256Mx4) x 36
Micron MT9HTF12872FY-667E1D4 1 GO 667 ECC (128Mx8) x 9
Micron MT9HTF12872FY-667E1N6 1 GO 667 ECC (128Mx8) x 9
Micron MT9HTF6472FY-667D5E4 512 MO 667 ECC (64Mx8) x 9
Micron MT9HTF6472FY-667D5D4 512 MO 667 ECC (64Mx8) x 9
Qimonda * HYS72T64400HFN-3 s-B 512 MO 667 ECC (64Mx8) x 9
Samsung * M395T5160CZ4-CE66 4 GO 667 ECC (256Mx4) x 36
Samsung M395T5750EZ4-CE65 2 GO 667 ECC (128Mx4) x 36
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2 GO 667 ECC (128Mx4) x 36
Samsung M395T6553EZ4-CE66 512 MO 667 ECC (64Mx8) x 9
Samsung M395T2953EZ4-CE65 1 GO 667 ECC (64Mx8) x 18

Cela s'applique à :

Carte mère Intel® D5400XS pour PC de bureau
 

ID de solution :CS-028677
Dernière modification : 04-Mar-2014
Date de création : 25-Dec-2007
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