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Fonctionnalités de mémoire système
Configurations de mémoire pris en charge
Mémoire testée
Fonctionnalités de mémoire système
Le Conseil a deux 204 broches DDR3 SO-DIMM sockets et supporte les fonctionnalités suivantes de la mémoire :
- DDR3 SDRAM SO-DIMM avec contacts plaqués or
- DIMM sans tampon, recto ou recto-verso
- Mémoire système totale maximale de 4 Go
- Mémoire système totale minimum : 256 MB
- Non-ECC DIMM
- Détection de la présence de série
- Mémoire DDR3 1066 MHz, DDR3 1333 MHz, DDR3 1600 MHz SO-DIMM (mémoire DDR3 1333 MHz et la DDR3 1600 MHz mémoire se déroulera à 1066 MHz)
En raison de contraintes thermiques refroidis passivement, mémoire système doit avoir une cote d'exploitation de la température de 85 ° C. Le Conseil est conçu pour être refroidie passivement dans un châssis correctement ventilé. Châssis emplacements de ventilation sont recommandés au-dessus de la zone de mémoire système pour l'efficacité de dissipation thermique maximale.
Si vous installez une seule SO-DIMM, il doit être installé dans le support de fond (SO-DIMM 1).
Pour être entièrement compatible avec toutes les spécifications applicables de mémoire SDRAM DDR3, le Conseil devrait être rempli avec SO-DIMM supportant la structure de données de détection de présence série (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et du programme du chipset pour configurer les paramètres de mémoire pour des performances optimales avec précision. Si la mémoire non-SPD est installé, performance et fiabilité peuvent être touchés ou les SODIMM peut ne pas fonctionner sous la fréquence déterminée.
Configurations de mémoire pris en charge
Configurations de mémoire système sont basées sur la disponibilité et sont sujets à changement.
| Brut carte Version |
Capacité de SO-DIMM |
Technologie des dispositifs DRAM |
Organisation de la DRAM |
# des dispositifs DRAM | | B |
1 GO |
1 Go |
128 M x 8 |
8 | | 2 GO |
2 Go |
256 M x 8 |
8 | | F |
2 GO |
1 Go |
128 M x 8 |
16 | | 4 GB1 |
2 Go |
256 M x 8 |
16 |
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1Soutien pour une 4 Go SO-DIMM installé dans l'emplacement 1. Emplacement 0 doit être laissé vide.
Mémoire testée Mémoire testée de tierce partie
Mémoire ordinateur Test Labs * (CMTL) tests de mémoire tiers pour assurer la compatibilité avec les cartes Intel comme demandé par les fabricants de mémoire. Voir laListe de mémoire CMTL testé* pour lesCarte mère Intel® D2700DC pour PC de bureau.
Le tableau ci-dessous répertorie les parties qui ont passé les tests au cours du développement. Ces numéros ne soient pas facilement accessibles tout au long du cycle de vie du produit.
| Fabricant de module |
Numéro de pièce de module |
Taille du module |
Vitesse de module |
ECC ou Non ECC |
Fabricant de composant |
Numéro de pièce composant | | ELPIDA * |
EBJ21UE8BAU0-AE-E |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
ELPIDA |
EBJ21UE8BAU0-AE-E | | EBJ21UE8BAU0-DJ-E |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
ELPIDA |
EBJ21UE8BAU0-DJ-E | | Hynix * |
HMT125S6TFR8C-G7N0 |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT125S6TFR8C-G7N0 | | HMT125S6BFR8C-H9N0 |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Hynix |
HMT125S6BFR8C-H9N0 | | Micron * |
MT8JSF12864HZ-1G4F1 |
1 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT8JSF12864HZ-1G4F1 | | MT16JSF25664HY-1G1D1 |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT16JSF25664HY-1G1D1 | | MT8J25664HZ-1G4D1 |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Micron |
MT8J25664HZ-1G4D1 | | Samsung * |
M471B2873FHS-CF8 |
1 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M471B2873FHS-CF8 | | M471B2873EH1-C9 |
1 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M471B2873EH1-C9 | | M471B5673EH1-CF8 |
2 GO |
1066 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M471B5673EH1-CF8 | | M471B5773CHS-C9 |
2 GO |
1333 MHz |
Non-ECC |
Samsung |
M471B5773CHS-C9 |
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Cela s'applique à :
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Avertissement sur la traduction électronique
