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Fonctionnalités de la mémoire système La carte propose deux 204 broches DDR3 SO-DIMM sockets et prend en charge les fonctionnalités suivantes de la mémoire :
- SDRAM DDR3 ainsi-DIMM avec contacts plaqués or
- Modules de mémoire DIMM sans tampon, recto ou recto-verso
- 4 Go de mémoire système totale maximale
- Mémoire minimum : 256 Mo
- Modules DIMM non ECC
- Serial presence detect
- DDR3 1066 MHz, mémoire DDR3 1333 MHz, mémoire DDR3 1600 MHz ainsi-DIMM (mémoire DDR3 1333 MHz et mémoire DDR3 1600 MHz mémoire tourne à 1066 MHz)
En raison des contraintes thermiques passivement refroidi, mémoire système doit avoir une température de fonctionnement de 85 ° C. Le Conseil d'administration est conçu pour être refroidis passivement dans un châssis correctement ventilé. Châssis avec aération emplacements sont recommandés au-dessus de la zone de mémoire système pour l'efficacité de dissipation thermique maximale.
Pour mettre en conformité avec toutes les spécifications de mémoire SDRAM DDR3 applicables, le Conseil d'administration doit être rempli avec ainsi-DIMM que prise en charge de la présence de série détecte la structure de données (SPD). Cela permet au BIOS de lire les données SPD et programmer le chipset pour configurer avec précision les paramètres de mémoire pour optimiser les performances. Si la mémoire non SPD est installé, affecte la performance et la fiabilité ou la SODIMM peut ne pas fonctionne sous la fréquence déterminée.
Configurations de mémoire prise en charge Configurations de mémoire système sont basées sur la disponibilité et sont susceptibles d'être modifiées.
| Version de carte brutes |
Capacité de SO-DIMM |
Technologie de dispositif DRAM |
Organisation de DRAM |
nombre de périphériques DRAM | | B |
1 GO |
1 Go |
128 M x 8 |
8 | | 2 GO |
2 Go |
256 Mo x 8 |
8 | | F |
2 GO |
1 Go |
128 M x 8 |
16 | | 4 Go,1 |
2 Go |
256 Mo x 8 |
16 |
|
1Prise en charge pour un 4 Go SO-DIMM est installé dans l'emplacement 1. Emplacement 0 doit être laissé vide.
Mémoire testée
Ordinateur mémoire Test Labs * (CMTL) teste la mémoire de tiers pour assurer la compatibilité avec les cartes mères Intel comme demandé par les fabricants de mémoire. Consultez le CMTL testé liste mémoire* pour cette carte mère Intel®.
Le tableau ci-dessous énumère les composants qui ont réussi les essais au cours du développement. Ces numéros de référence n'est peut-être pas immédiatement disponibles tout au long du cycle de vie du produit.
| Module fournisseur |
Numéro de référence de module |
Taille |
Vitesse (MHz) | | Elpida * |
EBJ21UE8BAU0-AE-E |
2 GO |
1066 | | Hynix * |
HMT112S6TFR8C-G7 |
1 GO |
1066 | | Hynix |
HMT112S6TFR8C-H9N0 |
1 GO |
1333 | | Hynix |
HMT125S6TFR8C-G7 |
2 GO |
1066 | | Hynix |
HMT125S6AFP8C-G7 |
2 GO |
1066 | | Hynix |
HMT125S6BFR8C-H9N0 |
2 GO |
1333 | | Hynix |
HMT125S6BFR8C-H9N0 |
2 GO |
1333 | | Micron * |
MT8JSF12864HY-1G1D1 |
1 GO |
1066 | | Micron |
MT8JSF12864HZ-1G1F1 |
1 GO |
1066 | | Micron |
MT8JSF12864HZ-1G4F1 |
1 GO |
1333 | | Micron |
MT16JSF25664HZ-1G1F1 |
2 GO |
1066 | | Micron |
MT8JSF25664HZ-1G4H1 |
2 GO |
1333 | | Micron |
MT8JSF25664HZ-1G4D1 |
2 GO |
1333 | | Micron |
MT16JSF25664HZ-1G4F1 |
2 GO |
1333 | | Samsung * |
M471B2873EH1-CF8 |
1 GO |
1066 | | Samsung |
M471B2873EH1-CH9 |
1 GO |
1333 | | Samsung |
M471B5673EH1-CF8 |
2 GO |
1066 | | Samsung |
M471B5673EH1-CH9 |
2 GO |
1333 | | Samsung |
M471B5773CHS-CH9 |
2 GO |
1333 |
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Rubriques connexes : Mémoire DDR, DDR2 et DDR3 Modes de mémoire unique et multicanaux Résolution des problèmes de mémoire système
Cela s'applique à :
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