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系统内存功能
主板有四个 DIMM 插座，支持如下内存功能：
- 带镀金触点的 1.8 V DDR2 SDRAM DIMM，提供了提高电压以支持性能更好的 DDR2 SDRAM DIMM 的选项
- 支持双通道交叉存取模式
- 无缓冲，单面或双面 DIMM，但有下列限制： 不支持 x16 组织的双面 DIMM。
- 使用 DDR2 800 MHz 或 DDR2 667 MHz DIMM 时，最大总系统内存为 16 GB
- 推荐的最小总系统内存： 512 MB
- 非 ECC DIMM
- 串行存在检测
- DDR2 800 MHz 或 DDR2 667 MHz SDRAM DIMM
- SPD 时序为 only 5-5-5 (tCL-tRCD-tRP) 的 DDR2 667 MHz DIMM
- SPD 时序为 only 5-5-5 或 6-6-6 (tCL-tRCD-tRP) 的 DDR2 800 MHz DIMM
为了完全兼容所有适用的英特尔® SDRAM 内存技术指标，该主板应该组装支持串行存在检测 (SPD) 数据结构的 DIMM。如果您的内存模块不支持 SPD，则在加电时屏幕上会显示有关此影响的通知。BIOS 将尝试配置内存控制器以便正常运行。
系统资源与硬件（如 PCI Express）需要可以减少可用寻址系统内存的物理内存地址的位置。这可能会导致减少多达 1 GB 或更多可用于操作系统和应用程序的物理寻址内存，具体取决于系统配置与操作系统的情况。
支持的内存配置
| DIMM 类型 |
SDRAM 技术 |
最小的可用 DIMM |
最大的可用 DIMM |
两个同样的 x8 双面 DIMM 的最大容量 |
| DDR2 667 |
512 MB |
256 MB |
1 GB |
4 GB |
| DDR2 667 |
1 GB |
512 MB |
2 GB |
8 GB |
| DDR2 667 |
2 GB |
1 GB |
4 GB |
16 GB |
| DDR2 800 |
512 MB |
256 MB |
1 GB |
4 GB |
| DDR2 800 |
1 GB |
512 MB |
2 GB |
8 GB |
| DDR2 800 |
2 GB |
1 GB |
4 GB |
16 GB | | 为了完全兼容所有适用的 DDR SDRAM 内存技术指标，该主板应该组装支持串行存在检测 (SPD) 数据结构的 DIMM。这使得 BIOS 可以读取 SPD 数据，正确地配置芯片组的内存设置来获得最优性能。如果安装了非 SPD 内存，BIOS 会尝试正确配置内存设置，但性能和可靠性可能会受影响，或 DIMM 可能无法按既定的频率工作。
经测试的内存
经第三方测试的内存*
应内存供应商的要求，将进行第三方内存测试，该测试在不属于英特尔的独立内存实验室 － 计算机内存测试实验室 (CMTL) 中进行。
供应商自行测试的内存
英特尔向参与此计划的内存供应商提供通用内存测试计划，以便对内存稳定性进行基础检测。此处列出的内存都已经过内存供应商或英特尔的该项测试。在产品生命周期内，这些部件号可能不易获得。
下表列出了已通过英特尔的自行测试，适用于英特尔® 台式机主板 DP43TF 的部件。
| 模块供应商/模块部件号 |
模块大小 |
模块速度(MHz) |
ECC 还是非 ECC? |
DIMM 组态 |
模块日期代码 |
使用的组件/组件部件号 |
| Aeneon* AET760UD00-25D |
1 GB |
800 |
Non-ECC |
DS x 8 |
0749 |
Aeneon AET93R25D |
| Corsair* CM2X1024-6400 G |
1 GB |
800 |
Non-ECC |
DS x 8 |
07301474-0 |
|
| Elixir* M2Y1G64TU8HB4B-3C |
1 GB |
667 |
Non-ECC |
DS x 8 |
0805.SG |
Elixir N2TU51280BE-3C |
| Elixir M2Y51264TU88A2B-3C |
512 MB |
667 |
Non-ECC |
SS x 8 |
0707 |
Elixir N2TU51280AE-3C |
| Elixir M2Y51264TU88B4B-25C |
512 MB |
800 |
Non-ECC |
SS x 8 |
0713 |
Elixir N2TU51280BE-25C |
| Elixir M2Y51264TU88BOB-25C |
512 MB |
800 |
Non-ECC |
SS x 8 |
0649 |
Elixir N2TU51280BE-25C |
| Elpida* EBE11UD8AEFA-6E-E |
1 GB |
667 |
Non-ECC |
DS x 8 |
0516 |
Elpida E5108AE-6E-E |
| Infineon* HYS64T32000HU-2.5-B |
256 MB |
800 |
Non-ECC |
SS x 4 |
0620 |
Infineon HYB181512160BF-2.5 |
| Infineon HYS64T64000HU-3S-A |
512 MB |
667 |
Non-ECC |
SS x 8 |
|
Infineon HYB181512 800AF3S |
| Kingmax* KLCC28F-A8KB5 |
512 MB |
667 |
Non-ECC |
SS x 8 |
0631 |
Kingmax KKEA88B4IAUG-29XX |
| Kingmax KLDC28F-A8KB5 |
512 MB |
800 |
Non-ECC |
SS x 8 |
0714 |
Kingmax KKEA88B4LZUG-25DF |
| Kingston* KVR667D2N5/1G |
1 GB |
667 |
Non-ECC |
DS x 8 |
BSMH1670776 |
Hynix HY5PS12B21C |
| Kingston KVR667D2N5/2G |
2 GB |
667 |
Non-ECC |
SS x 8 |
BKME1640819 |
Elpida E1108ACBG-6E-E |
| Kingston KVR667D2N5/2G |
2 GB |
667 |
Non-ECC |
DS x 8 |
BSME1620828 |
Elpida E1108ACBG-6E-E |
| Kingston KVR800D2N5/1G-SP |
1 GB |
800 |
Non-ECC |
SS x 8 |
BSMH1630668 |
STARRAM* 128MX8T2 |
| Micron* MT16HTF6464AY-667BS |
512 MB |
667 |
Non-ECC |
DS x 8 |
0523 |
Micron 5KB42D9DPN |
| Micron MT4HTF6464AY-800G1 |
512 MB |
800 |
Non-ECC |
SS x 16 |
0849 |
Micron MT47H64M16HR-25E ES:G |
| Micron MT8HTF12864AY-800G1 |
1 GB |
800 |
Non-ECC |
SS x 8 |
0840 |
Micron MT47H128M8HQ-25:G |
| Micron MT16HTF25664AY-800G1 |
2 GB |
800 |
Non-ECC |
DS x 8 |
0847 |
Micron MT47H128M8HQ-25:G |
| Nanya* NT512T64U88A1BY-3C |
512 MB |
667 |
Non-ECC |
SS x 8 |
0536 |
Nanya NT5TU64M8AE-3C |
| Samsung* M378T2953EZ3 |
1 GB |
800 |
Non-ECC |
DS x 8 |
0727 |
K4T51083QE |
| Samsung M378T3354CZ3-CE6 |
256 MB |
667 |
Non-ECC |
SS x 4 |
0522 |
Samsung K41511630C-ZCE6 |
| Samsung M378T5663QZ3-CF7 |
2 GB |
800 |
Non-ECC |
DS x 8 |
0807 |
K4T1G084QQ | |
适用于： | 
